公开(公告)号：CN104730395A

公开(公告)日：2015-06-24

申请号：CN201510157385.7

申请日：2015-04-03

Applicant: 上海航天测控通信研究所

Inventor： 顾东梁 ,  李超 ,  王茂森 ,  沈霞宏 ,  张旭光 ,  范宇飞

IPC: G01R31/00

Abstract: 本发明公开了一种基于FPGA的测试系统及方法，调试设备通过通信接口电路发送测试配置数据至测试板，测试板上FPGA的中心控制单元接收测试配置数据进行初始化包括初始化被测器件的控制驱动模块。然后，调试设备通过通信接口电路发送控制指令至测试板，测试板上FPGA的中心控制单元接收控制指令，驱动测试流程包括输出控制信号至被测器件以及接收采集被测器件输出的测试数据。

公开(公告)号：CN106782667A

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201611041190.7

申请日：2016-11-11

Applicant: 上海航天测控通信研究所

Inventor： 王茂森 ,  吴杰 ,  朱新忠 ,  范宇飞 ,  刘凯俊 ,  刘伟亮 ,  章泉源 ,  魏文超 ,  闵康磊

IPC: G11C29/50 ,  G11C29/56 ,  G11C29/02

CPC classification number: G11C29/50 ,  G11C29/028 ,  G11C29/56

Abstract: 本发明提供了一种抗辐照栅氧击穿型PROM存储器编程后老化试验方法和装置，方法包括：步骤1，将编程后的抗辐照栅氧击穿型PROM存储器进行第一温度烘焙，持续至少64小时后完成静态老化，所述第一温度为140～150℃；步骤2，调整温度至第二温度，向静态老化后的所述存储器发送激励信号，并采集所述存储器响应所述激励信号获得的信号处理数据，持续至少160小时后完成动态老化，所述第二温度为100～125℃；步骤3，根据预存的校验数据对所述信号处理数据进行校验。本发明能够让所述编程后的抗辐照栅氧击穿型PROM存储器度过早期失效期，将潜在的缺陷尽早暴露，剔除缺陷芯片。

公开(公告)号：CN106782667B

公开(公告)日：2020-06-30

申请号：CN201611041190.7

申请日：2016-11-11

Applicant: 上海航天测控通信研究所

Inventor： 王茂森 ,  吴杰 ,  朱新忠 ,  范宇飞 ,  刘凯俊 ,  刘伟亮 ,  章泉源 ,  魏文超 ,  闵康磊

IPC: G11C29/50 ,  G11C29/56 ,  G11C29/02

Abstract: 本发明提供了一种抗辐照栅氧击穿型PROM存储器编程后老化试验方法和装置，方法包括：步骤1，将编程后的抗辐照栅氧击穿型PROM存储器进行第一温度烘焙，持续至少64小时后完成静态老化，所述第一温度为140～150℃；步骤2，调整温度至第二温度，向静态老化后的所述存储器发送激励信号，并采集所述存储器响应所述激励信号获得的信号处理数据，持续至少160小时后完成动态老化，所述第二温度为100～125℃；步骤3，根据预存的校验数据对所述信号处理数据进行校验。本发明能够让所述编程后的抗辐照栅氧击穿型PROM存储器度过早期失效期，将潜在的缺陷尽早暴露，剔除缺陷芯片。