公开(公告)号：CN106782667B

公开(公告)日：2020-06-30

申请号：CN201611041190.7

申请日：2016-11-11

Applicant: 上海航天测控通信研究所

Inventor： 王茂森 ,  吴杰 ,  朱新忠 ,  范宇飞 ,  刘凯俊 ,  刘伟亮 ,  章泉源 ,  魏文超 ,  闵康磊

IPC: G11C29/50 ,  G11C29/56 ,  G11C29/02

Abstract: 本发明提供了一种抗辐照栅氧击穿型PROM存储器编程后老化试验方法和装置，方法包括：步骤1，将编程后的抗辐照栅氧击穿型PROM存储器进行第一温度烘焙，持续至少64小时后完成静态老化，所述第一温度为140～150℃；步骤2，调整温度至第二温度，向静态老化后的所述存储器发送激励信号，并采集所述存储器响应所述激励信号获得的信号处理数据，持续至少160小时后完成动态老化，所述第二温度为100～125℃；步骤3，根据预存的校验数据对所述信号处理数据进行校验。本发明能够让所述编程后的抗辐照栅氧击穿型PROM存储器度过早期失效期，将潜在的缺陷尽早暴露，剔除缺陷芯片。

公开(公告)号：CN106782667A

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201611041190.7

申请日：2016-11-11

Applicant: 上海航天测控通信研究所

Inventor： 王茂森 ,  吴杰 ,  朱新忠 ,  范宇飞 ,  刘凯俊 ,  刘伟亮 ,  章泉源 ,  魏文超 ,  闵康磊

IPC: G11C29/50 ,  G11C29/56 ,  G11C29/02

CPC classification number: G11C29/50 ,  G11C29/028 ,  G11C29/56

Abstract: 本发明提供了一种抗辐照栅氧击穿型PROM存储器编程后老化试验方法和装置，方法包括：步骤1，将编程后的抗辐照栅氧击穿型PROM存储器进行第一温度烘焙，持续至少64小时后完成静态老化，所述第一温度为140～150℃；步骤2，调整温度至第二温度，向静态老化后的所述存储器发送激励信号，并采集所述存储器响应所述激励信号获得的信号处理数据，持续至少160小时后完成动态老化，所述第二温度为100～125℃；步骤3，根据预存的校验数据对所述信号处理数据进行校验。本发明能够让所述编程后的抗辐照栅氧击穿型PROM存储器度过早期失效期，将潜在的缺陷尽早暴露，剔除缺陷芯片。