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公开(公告)号：CN115852471A
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202211398538.3
申请日：2022-11-09
Applicant: 上海电机学院
IPC: C30B11/00 , C30B28/02 , C30B29/46 , H10N10/852
Abstract: 本发明涉及一种Ag2Se基热电晶体材料及其制备方法，该制备方法包括真空封装、多晶预熔和晶体生长步骤，具体为：以银和硒单质为原料，按化学式Ag2Se1+x进行配料，装入反应器(1)中，抽真空后进行封装；将反应器(1)放入高温摇摆炉中，从室温开始加热并保温，达到最高温度时开启摇摆，预熔结束后取出反应器(1)自然冷却；将反应器(1)置于布里奇曼炉中，从室温开始加热并保温，开始执行晶体生长过程，生长结束后炉冷。与现有技术相比，本发明通过优化布里奇曼生长炉的生长温度、温度梯度、下降速度等参量，获得具有明显晶面取向性的Ag2Se基热电晶体材料，其中所生长Ag2Se1.02晶体材料的热电无量纲优值在375K时可达到0.58，是一类良好的近室温热电材料。
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