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公开(公告)号：CN106282960A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201610752183.1
申请日：2016-08-29
Applicant: 上海理工大学
Abstract: 根据本发明提供的择优取向的铟锡合金薄膜的制备方法，能得到择优取向的铟锡合金薄膜。具体是指将石英基片放置于镀膜夹具；在一定真空度及烘烤温度下进行沉积镀膜，在一定的真空条件下用电子束辐照轰击薄膜表面使其改性。一定真空度大于5×10-4Pa；烘烤温度为100-200℃。本发明制备的铟锡合金薄膜表现择优取向，可通过控制电子束流大小及辐照时间控制其生长取向。该种铟锡合金薄膜的结晶度好，具有良好的附着性、均匀性和热稳定，最终得到的铟锡合金薄膜具有优异的性能，是应用在传感器等领域中很有价值的材料。
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公开(公告)号：CN106548929B
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201611121607.0
申请日：2016-12-08
Applicant: 上海理工大学
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明提供了一种近红外波段透射增强特性的ITO基透明导电薄膜的制备方法，将石英基片放置于镀膜夹具；在一定真空度及烘烤温度下，采用电子束蒸发法进行沉积镀膜，先后在石英基片上分别沉积ITO层和Cu层以形成Cu/ITO复合薄膜；将制备好的Cu/ITO复合薄膜放置于电子束辐照系统中，待真空室抽至一定真空度时，在一定功率下用电子束辐照轰击复合薄膜的表面一定时间使其改性，冷却即可得到所述具有近红外波段透射增强特性的Cu/ITO复合薄膜。本发明制备的Cu/ITO复合薄膜表现近红外波段透射增强，可通过控制电子束流大小及辐照时间控制其近红外透过率，操作方法及流程简单，可控性强。
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公开(公告)号：CN106646685B
公开(公告)日：2019-06-28
申请号：CN201710015596.6
申请日：2017-01-10
Applicant: 上海理工大学
IPC: G02B1/10
Abstract: 本发明涉及一种宽波段半反半透导电镜片及其制备方法，包括基片和附在基片表面上的复合膜层，基片材质为石英或玻璃，复合膜层是沉积于基片表面，并由厚度为50～100nm的银薄膜以及分散在异丙醇或乙醇中、浓度为0.02～0.2mg/ml的氧化石墨烯复合而成的多层薄膜。本发明不仅将工艺简化至两层薄膜结构，同时还在600nm～1800nm这一宽波段内得到了半反半透效果。依照本发明所制备的镜片不仅在宽波段内具有半反半透的性质，同时也兼具导电性，在触摸屏、电子设备及智能穿戴领域拥有广阔的应用空间。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106548929A
公开(公告)日：2017-03-29
申请号：CN201611121607.0
申请日：2016-12-08
Applicant: 上海理工大学
IPC: H01L21/02
CPC classification number: H01L21/02631 , H01L21/02521
Abstract: 本发明提供了一种近红外波段透射增强特性的ITO基透明导电薄膜的制备方法，将石英基片放置于镀膜夹具；在一定真空度及烘烤温度下，采用电子束蒸发法进行沉积镀膜，先后在石英基片上分别沉积ITO层和Cu层以形成Cu/ITO复合薄膜；将制备好的Cu/ITO复合薄膜放置于电子束辐照系统中，待真空室抽至一定真空度时，在一定功率下用电子束辐照轰击复合薄膜的表面一定时间使其改性，冷却即可得到所述具有近红外波段透射增强特性的Cu/ITO复合薄膜。本发明制备的Cu/ITO复合薄膜表现近红外波段透射增强，可通过控制电子束流大小及辐照时间控制其近红外透过率，操作方法及流程简单，可控性强。
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公开(公告)号：CN106893984B
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201710064299.0
申请日：2017-02-04
Applicant: 上海理工大学
Abstract: 本发明涉及一种增强可见光波段透射的掺锡氧化铟基复合薄膜的制备方法，分别采用电子束蒸发法、直流反应磁控溅射法沉积ITO、Au薄膜，获得ITO/Au/ITO复合结构薄膜。然后将样品进行电子束辐照改性，即可得到所述具有可见光波段透射增强特性的ITO/Au/ITO复合薄膜。本发明可通过控制电子束功率大小及辐照时间控制其可见光透过率，操作方法及流程简单，可重复性高且可控性强。
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公开(公告)号：CN106282960B
公开(公告)日：2018-06-19
申请号：CN201610752183.1
申请日：2016-08-29
Applicant: 上海理工大学
Abstract: 根据本发明提供的择优取向的铟锡合金薄膜的制备方法，能得到择优取向的铟锡合金薄膜。具体是指将石英基片放置于镀膜夹具；在一定真空度及烘烤温度下进行沉积镀膜，在一定的真空条件下用电子束辐照轰击薄膜表面使其改性。一定真空度大于5×10‑4Pa；烘烤温度为100‑200℃。本发明制备的铟锡合金薄膜表现择优取向，可通过控制电子束流大小及辐照时间控制其生长取向。该种铟锡合金薄膜的结晶度好，具有良好的附着性、均匀性和热稳定，最终得到的铟锡合金薄膜具有优异的性能，是应用在传感器等领域中很有价值的材料。
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公开(公告)号：CN106893984A
公开(公告)日：2017-06-27
申请号：CN201710064299.0
申请日：2017-02-04
Applicant: 上海理工大学
CPC classification number: C23C14/30 , C23C14/0036 , C23C14/086 , C23C14/185 , C23C14/35
Abstract: 本发明涉及一种增强可见光波段透射的掺锡氧化铟基复合薄膜的制备方法，分别采用电子束蒸发法、直流反应磁控溅射法沉积ITO、Au薄膜，获得ITO/Au/ITO复合结构薄膜。然后将样品进行电子束辐照改性，即可得到所述具有可见光波段透射增强特性的ITO/Au/ITO复合薄膜。本发明可通过控制电子束功率大小及辐照时间控制其可见光透过率，操作方法及流程简单，可重复性高且可控性强。
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公开(公告)号：CN106646685A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201710015596.6
申请日：2017-01-10
Applicant: 上海理工大学
IPC: G02B1/10
CPC classification number: G02B1/10
Abstract: 本发明涉及一种宽波段半反半透导电镜片及其制备方法，包括基片和附在基片表面上的复合膜层，基片材质为石英或玻璃，复合膜层是沉积于基片表面，并由厚度为50～100nm的银薄膜以及分散在异丙醇或乙醇中、浓度为0.02～0.2mg/ml的氧化石墨烯复合而成的多层薄膜。本发明不仅将工艺简化至两层薄膜结构，同时还在600nm～1800nm这一宽波段内得到了半反半透效果。依照本发明所制备的镜片不仅在宽波段内具有半反半透的性质，同时也兼具导电性，在触摸屏、电子设备及智能穿戴领域拥有广阔的应用空间。
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