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公开(公告)号：CN104313548A
公开(公告)日：2015-01-28
申请号：CN201410523609.7
申请日：2014-10-08
Applicant: 上海理工大学
Abstract: 本发明公开一种氮化镓纳米线的制备方法。即以Ga2O3和GaN作为混合镓源装入小瓷舟中，将镀有催化剂Ni层或Au层的Si衬底材料放到石英管中，然后将小瓷舟放到石英管中，混合镓源中心与Si衬底材料中心为10-20cm，再将石英管放入管式炉，并使小瓷舟对准管式炉正中央；然后以30-35℃/min升温至1100℃，升温过程中通入20sccmAr气保持31-37min，然后停止Ar通入15-45sccmNH3保持15-30min，然后停止氨气换用氩气，并自然冷却到室温，在Si衬底材料表面所得的淡黄色物质即为氮化镓纳米线。该制备方法所得的氮化镓纳米线有更高的结晶质量，同时制备过程具有很好的可控性。
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公开(公告)号：CN103235200B
公开(公告)日：2015-06-17
申请号：CN201310134706.2
申请日：2013-04-18
Applicant: 上海理工大学
IPC: G01R29/22
Abstract: 本发明公开了一种测量压电材料压电系数d15的动态谐振方法，包括下述步骤：(1)将压电块体水平极化，制作一种共面电极结构压电层合悬臂梁，使悬臂梁处于d15剪切工作模式；(2)将该压电层合悬臂梁与外接负载连接，形成串联测试电路；(3)搭建激励振动装置，调节振动器电压、频率和负载电阻，使悬臂梁产生共振现象，记录输出电压响应；(4)利用d15工作模式压电层合悬臂梁的正压电效应，给出测量压电系数d15的计算公式；(5)将悬臂梁结构尺寸、材料参数和谐振电压响应峰-峰值代入计算公式，计算压电系数d15。本发明涉及的方法可测量压电材料的压电系数d15，具有工艺简单，易操作的优点。可用于测量压电陶瓷、压电晶体、压电薄膜材料的压电系数d15，应用范围广泛。
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公开(公告)号：CN103346251A
公开(公告)日：2013-10-09
申请号：CN201310258261.9
申请日：2013-06-26
Applicant: 上海理工大学
IPC: H01L41/047 , H01L41/083
Abstract: 一种分段式多层微悬臂梁压电致动器，包含：由下至上相互固定的基底层、缓冲层、底电极层、压电薄膜层以及顶电极层，压电薄膜层和顶电极层在分段式多层微悬臂梁压电致动器的第二模态应力节点处断开一定空隙形成第一压电薄膜层、第二压电薄膜层和第一顶电极层、第二顶电极层，第一顶电极层和第二顶电极层同时连接外电路的正极，底电极层连接外电路的负极，形成致动电路，分段式多层微悬臂梁压电致动器的一端固定在固定单元上。本发明的分段式多层微悬臂梁压电致动器，大幅度提高了致动性能，对微悬臂梁压电致动器的开发应用，压电材料设计和性能预测具有指导意义。
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公开(公告)号：CN103235200A
公开(公告)日：2013-08-07
申请号：CN201310134706.2
申请日：2013-04-18
Applicant: 上海理工大学
IPC: G01R29/22
Abstract: 本发明公开了一种测量压电材料压电系数d15的动态谐振方法，包括下述步骤：(1)将压电块体水平极化，制作一种共面电极结构压电层合悬臂梁，使悬臂梁处于d15剪切工作模式；(2)将该压电层合悬臂梁与外接负载连接，形成串联测试电路；(3)搭建激励振动装置，调节振动器电压、频率和负载电阻，使悬臂梁产生共振现象，记录输出电压响应；(4)利用d15工作模式压电层合悬臂梁的正压电效应，给出测量压电系数d15的计算公式；(5)将悬臂梁结构尺寸、材料参数和谐振电压响应峰-峰值代入计算公式，计算压电系数d15。本发明涉及的方法可测量压电材料的压电系数d15，具有工艺简单，易操作的优点。可用于测量压电陶瓷、压电晶体、压电薄膜材料的压电系数d15，应用范围广泛。
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公开(公告)号：CN105233852B
公开(公告)日：2018-03-13
申请号：CN201510761085.X
申请日：2015-11-10
Applicant: 上海理工大学
IPC: B01J27/24 , B01J35/10 , C02F1/32 , C02F101/38
Abstract: 本发明一种GaN/CQDS复合光催化剂，由GaN和碳量子点CQDS组成，在催化剂中，GaN的质量百分比为99.99%‑90%，碳量子点CQDS的质量百分比为0.01%‑10%。本发明还提供了上述的一种GaN/CQDS复合光催化剂的制备方法，先采用GaN及Ga2O3混合制备混合镓源；然后将混合镓源加入一个反应容器中进行化学气相沉积制备GaN纳米线；再制备CQDS；将CQDS和GaN纳米线按照质量百分比混合、搅拌，搅拌后放置于超声波仪器中超声，然后将混合物干燥得GaN‑CQDS复合光催化剂。本发明的光催化剂比同类型的单一GaN光催化剂对分解物具有更高的催化效率和更快的催化速度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103346251B
公开(公告)日：2015-06-17
申请号：CN201310258261.9
申请日：2013-06-26
Applicant: 上海理工大学
IPC: H01L41/047 , H01L41/083
Abstract: 一种分段式多层微悬臂梁压电致动器，包含：由下至上相互固定的基底层、缓冲层、底电极层、压电薄膜层以及顶电极层，压电薄膜层和顶电极层在分段式多层微悬臂梁压电致动器的第二模态应力节点处断开一定空隙形成第一压电薄膜层、第二压电薄膜层和第一顶电极层、第二顶电极层，第一顶电极层和第二顶电极层同时连接外电路的正极，底电极层连接外电路的负极，形成致动电路，分段式多层微悬臂梁压电致动器的一端固定在固定单元上。本发明的分段式多层微悬臂梁压电致动器，大幅度提高了致动性能，对微悬臂梁压电致动器的开发应用，压电材料设计和性能预测具有指导意义。
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公开(公告)号：CN103399085A
公开(公告)日：2013-11-20
申请号：CN201310361602.5
申请日：2013-08-19
Applicant: 上海理工大学
IPC: G01N29/036
Abstract: 本发明公开一种基于氧化锌纳米线阵列的兰克赛体声波高温气体传感器及制备方法和应用。基于氧化锌纳米线阵列的兰克赛体声波高温气体传感器包括一片厚度方向振动的兰克赛谐振晶体，一层厚度为10nm的半导体薄膜，一个半导体ZnO纳米线阵列和两片100nm厚Au电极；两片100nm厚的Au电极分别制备在兰克赛厚度方向振动的谐振晶体的上、下表面，厚度为10nm的半导体薄膜生长在厚度方向振动的兰克赛谐振晶体的上表面的Au电极上，半导体ZnO纳米线阵列贯穿厚度为10nm的半导体薄膜并垂直生长在位于厚度方向振动的兰克赛谐振晶体的上表面的Au电极上。基于半导体纳米线垂直阵列的高温气体传感器用于高温气体含量的检测。
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公开(公告)号：CN105233852A
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201510761085.X
申请日：2015-11-10
Applicant: 上海理工大学
IPC: B01J27/24 , B01J35/10 , C02F1/32 , C02F101/38
Abstract: 本发明一种GaN/CQDS复合光催化剂，由GaN和碳量子点CQDS组成，在催化剂中，GaN的质量百分比为99.99%-90%，碳量子点CQDS的质量百分比为0.01%-10%。本发明还提供了上述的一种GaN/CQDS复合光催化剂的制备方法，先采用GaN及Ga2O3混合制备混合镓源；然后将混合镓源加入一个反应容器中进行化学气相沉积制备GaN纳米线；再制备CQDS；将CQDS和GaN纳米线按照质量百分比混合、搅拌，搅拌后放置于超声波仪器中超声，然后将混合物干燥得GaN-CQDS复合光催化剂。本发明的光催化剂比同类型的单一GaN光催化剂对分解物具有更高的催化效率和更快的催化速度。
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公开(公告)号：CN104326445A
公开(公告)日：2015-02-04
申请号：CN201410551917.0
申请日：2014-10-17
Applicant: 上海理工大学
Abstract: 一种用Ga2O3/GaN混合粉末制备氮化镓纳米线阵列的方法，将Ga2O3与GaN混合研磨装入小瓷舟中；将镀有3nm厚的Au作催化剂的Al2O3基片放到石英玻璃管中；然后将小瓷舟放入，并保证镓源中心与基片中心距离为11cm；将管式炉升温至1100℃，升温过程中先通入氩气，后换氨气流量为30sccm/min保持30min，再换用氩气自然冷却到室温，所得的Al2O3衬底材料的表面的淡黄色物质即为氮化镓纳米线。本发明采用Ga2O3/GaN混合镓源，使得GaN纳米线持续生长，质量大为提高。由于采用不同的生长位置和氨气流量，使制备的氮化镓纳米线阵列的直径和长度更均匀，垂直取向性更好，过程可控。
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