公开(公告)号：CN105233852B

公开(公告)日：2018-03-13

申请号：CN201510761085.X

申请日：2015-11-10

Applicant: 上海理工大学

Inventor： 程宏斌 ,  李佳 ,  郑学军 ,  姜涛 ,  王朋朋 ,  王现英 ,  苏敏

IPC: B01J27/24 ,  B01J35/10 ,  C02F1/32 ,  C02F101/38

Abstract: 本发明一种GaN/CQDS复合光催化剂，由GaN和碳量子点CQDS组成，在催化剂中，GaN的质量百分比为99.99%‑90%，碳量子点CQDS的质量百分比为0.01%‑10%。本发明还提供了上述的一种GaN/CQDS复合光催化剂的制备方法，先采用GaN及Ga2O3混合制备混合镓源；然后将混合镓源加入一个反应容器中进行化学气相沉积制备GaN纳米线；再制备CQDS；将CQDS和GaN纳米线按照质量百分比混合、搅拌，搅拌后放置于超声波仪器中超声，然后将混合物干燥得GaN‑CQDS复合光催化剂。本发明的光催化剂比同类型的单一GaN光催化剂对分解物具有更高的催化效率和更快的催化速度。

公开(公告)号：CN105233852A

公开(公告)日：2016-01-13

申请号：CN201510761085.X

申请日：2015-11-10

Applicant: 上海理工大学

Inventor： 程宏斌 ,  李佳 ,  郑学军 ,  姜涛 ,  王朋朋 ,  王现英 ,  苏敏

IPC: B01J27/24 ,  B01J35/10 ,  C02F1/32 ,  C02F101/38

Abstract: 本发明一种GaN/CQDS复合光催化剂，由GaN和碳量子点CQDS组成，在催化剂中，GaN的质量百分比为99.99%-90%，碳量子点CQDS的质量百分比为0.01%-10%。本发明还提供了上述的一种GaN/CQDS复合光催化剂的制备方法，先采用GaN及Ga2O3混合制备混合镓源；然后将混合镓源加入一个反应容器中进行化学气相沉积制备GaN纳米线；再制备CQDS；将CQDS和GaN纳米线按照质量百分比混合、搅拌，搅拌后放置于超声波仪器中超声，然后将混合物干燥得GaN-CQDS复合光催化剂。本发明的光催化剂比同类型的单一GaN光催化剂对分解物具有更高的催化效率和更快的催化速度。