一维密排六方晶体结构镍纳米线的制备方法

    公开(公告)号:CN103031583B

    公开(公告)日:2015-02-11

    申请号:CN201210174834.5

    申请日:2012-05-31

    Abstract: 本发明涉及一种一维密排六方晶体结构镍纳米线的制备方法,包括:A、模板:准备具有均匀分布的通孔的模板,所述模板包括:氧化铝模板、苯胺模板、多肽膜;B、直流电沉积:b1、直流电沉积:将步骤a4制得的氧化铝模板的一面溅射上一层银作为阴极,待镀金属作阳极,放入电镀槽中,待镀金属盐溶液为电镀液;以及b2、参数控制:在步骤b1的阴极、阳极间加上设定的电压,保持电路电流恒定在2~4V,控制沉积时间,即得到生长在模板孔中的密排六方金属纳米线阵列。

    一维密排六方晶体结构镍纳米线的制备方法

    公开(公告)号:CN103031583A

    公开(公告)日:2013-04-10

    申请号:CN201210174834.5

    申请日:2012-05-31

    Abstract: 本发明涉及一种一维密排六方晶体结构镍纳米线的制备方法,包括:A、模板:准备具有均匀分布的通孔的模板,所述模板包括:氧化铝模板、苯胺模板、多肽膜;B、直流电沉积:b1、直流电沉积:将步骤a4制得的氧化铝模板的一面溅射上一层银作为阴极,待镀金属作阳极,放入电镀槽中,待镀金属盐溶液为电镀液;以及b2、参数控制:在步骤b1的阴极、阳极间加上设定的电压,保持电路电流恒定在2~4V,控制沉积时间,即得到生长在模板孔中的密排六方金属纳米线阵列。

    具有超高轴向剩磁比的一维磁性纳米线阵列的制备方法

    公开(公告)号:CN103031593B

    公开(公告)日:2016-02-03

    申请号:CN201210174835.X

    申请日:2012-05-31

    Abstract: 本发明公开了一种具有超高轴向剩磁比的一维磁性纳米线阵列的制备方法。采用两次阳极氧化法制备具有均匀分布的通孔的氧化铝模板,再经过直流电沉积制得磁性纳米线阵列。电沉积过程中:在氧化铝模板的一面溅射上一层银作为阴极,待镀金属作为阳极,放入镀槽中,该镀槽中含待镀金属盐溶液作为电镀液。在阴、阳电极间加上设定的电压,控制电路中电流在一恒定值进行电沉积,根据所需纳米线长短设定沉积的时间,得到生长在模板孔中的纳米线阵列。这种方法可以制得具有超高轴向剩磁比的纳米线阵列,同时沉积过程具有很好的可控性。

    轴式力磁传感器测试卡具

    公开(公告)号:CN103909482B

    公开(公告)日:2016-01-20

    申请号:CN201410112183.6

    申请日:2014-03-24

    Abstract: 轴式力磁传感器测试卡具,包括:支撑座,具有圆形竖向通孔,其中支撑座的上部具有与竖向通孔连通的圆形第一横向通孔,支撑座的下部具有沿竖向通孔的径向贯通的圆形径向通孔,其中径向通孔的中心轴与第一横向通孔的中心轴相垂直;以及压杆,从上到下分为固定端、连接杆和压头端,固定端、连接杆和压头端都为圆柱形并具有共同的中心轴,其中连接杆的直径小于固定端和压头端的直径,压头端能够在支撑座的竖向通孔中上下活动,压头端具有与支撑座的第一横向通孔直径相等的第二横向通孔。根据本发明的测试卡具不仅能够保证测试效率、精度,并且非常安全,可以保证测试中即使传感器受到破坏也不会出现伤人的事故。

    轴式力磁传感器测试卡具

    公开(公告)号:CN103909482A

    公开(公告)日:2014-07-09

    申请号:CN201410112183.6

    申请日:2014-03-24

    CPC classification number: B25B11/00

    Abstract: 轴式力磁传感器测试卡具,包括:支撑座,具有圆形竖向通孔,其中支撑座的上部具有与竖向通孔连通的圆形第一横向通孔,支撑座的下部具有沿竖向通孔的径向贯通的圆形径向通孔,其中径向通孔的中心轴与第一横向通孔的中心轴相垂直;以及压杆,从上到下分为固定端、连接杆和压头端,固定端、连接杆和压头端都为圆柱形并具有共同的中心轴,其中连接杆的直径小于固定端和压头端的直径,压头端能够在支撑座的竖向通孔中上下活动,压头端具有与支撑座的第一横向通孔直径相等的第二横向通孔。根据本发明的测试卡具不仅能够保证测试效率、精度,并且非常安全,可以保证测试中即使传感器受到破坏也不会出现伤人的事故。

    具有超高轴向剩磁比的一维磁性纳米线阵列的制备方法

    公开(公告)号:CN103031593A

    公开(公告)日:2013-04-10

    申请号:CN201210174835.X

    申请日:2012-05-31

    Abstract: 本发明公开了一种具有超高轴向剩磁比的一维磁性纳米线阵列的制备方法。采用两次阳极氧化法制备具有均匀分布的通孔的氧化铝模板,再经过直流电沉积制得磁性纳米线阵列。电沉积过程中:在氧化铝模板的一面溅射上一层银作为阴极,待镀金属作为阳极,放入镀槽中,该镀槽中含待镀金属盐溶液作为电镀液。在阴、阳电极间加上设定的电压,控制电路中电流在一恒定值进行电沉积,根据所需纳米线长短设定沉积的时间,得到生长在模板孔中的纳米线阵列。这种方法可以制得具有超高轴向剩磁比的纳米线阵列,同时沉积过程具有很好的可控性。

    基于氧化锌纳米线阵列的兰克赛体声波高温气体传感器

    公开(公告)号:CN103399085A

    公开(公告)日:2013-11-20

    申请号:CN201310361602.5

    申请日:2013-08-19

    Abstract: 本发明公开一种基于氧化锌纳米线阵列的兰克赛体声波高温气体传感器及制备方法和应用。基于氧化锌纳米线阵列的兰克赛体声波高温气体传感器包括一片厚度方向振动的兰克赛谐振晶体,一层厚度为10nm的半导体薄膜,一个半导体ZnO纳米线阵列和两片100nm厚Au电极;两片100nm厚的Au电极分别制备在兰克赛厚度方向振动的谐振晶体的上、下表面,厚度为10nm的半导体薄膜生长在厚度方向振动的兰克赛谐振晶体的上表面的Au电极上,半导体ZnO纳米线阵列贯穿厚度为10nm的半导体薄膜并垂直生长在位于厚度方向振动的兰克赛谐振晶体的上表面的Au电极上。基于半导体纳米线垂直阵列的高温气体传感器用于高温气体含量的检测。

    灭蚊灯
    8.
    实用新型

    公开(公告)号:CN203827919U

    公开(公告)日:2014-09-17

    申请号:CN201420169300.8

    申请日:2014-04-09

    Abstract: 本实用新型提供一种灭蚊灯,可同时实现灭蚊和净化空气的作用,其特征在于,具有:电击型灭蚊构件;以及与该电击型灭蚊构件固定相连的空气净化构件,其中,电击型灭蚊构件包括用于发出紫外线的紫外灯管、用于杀死蚊子的电击网格、以及固定支撑所述紫外灯管和所述电击网格的支撑座,空气净化构件包括安装在支撑座底端的用于压缩空气的风扇、设置在风扇上方并固定在紫外灯管下方的用于对空气进行初步净化的过滤层、设置在过滤层上方并固定围绕在紫外灯管周围的用于限制空气流动的限流管、设置在限流管内壁上的用于分解甲醛等有害气体的光触媒层、以及设置在限流管上方的出风口。

Patent Agency Ranking