公开(公告)号：CN104313548A

公开(公告)日：2015-01-28

申请号：CN201410523609.7

申请日：2014-10-08

Applicant: 上海理工大学

Inventor： 郑学军 ,  程宏斌 ,  李佳 ,  吴东旭 ,  罗晓菊

IPC: C23C16/34 ,  C01B21/06 ,  B82Y30/00

Abstract: 本发明公开一种氮化镓纳米线的制备方法。即以Ga2O3和GaN作为混合镓源装入小瓷舟中，将镀有催化剂Ni层或Au层的Si衬底材料放到石英管中，然后将小瓷舟放到石英管中，混合镓源中心与Si衬底材料中心为10-20cm，再将石英管放入管式炉，并使小瓷舟对准管式炉正中央；然后以30-35℃/min升温至1100℃，升温过程中通入20sccmAr气保持31-37min，然后停止Ar通入15-45sccmNH3保持15-30min，然后停止氨气换用氩气，并自然冷却到室温，在Si衬底材料表面所得的淡黄色物质即为氮化镓纳米线。该制备方法所得的氮化镓纳米线有更高的结晶质量，同时制备过程具有很好的可控性。

公开(公告)号：CN104326445A

公开(公告)日：2015-02-04

申请号：CN201410551917.0

申请日：2014-10-17

Applicant: 上海理工大学

Inventor： 郑学军 ,  程宏斌 ,  李佳 ,  吴东旭 ,  罗晓菊

IPC: C01B21/06 ,  B82Y30/00

Abstract: 一种用Ga2O3/GaN混合粉末制备氮化镓纳米线阵列的方法，将Ga2O3与GaN混合研磨装入小瓷舟中；将镀有3nm厚的Au作催化剂的Al2O3基片放到石英玻璃管中；然后将小瓷舟放入，并保证镓源中心与基片中心距离为11cm；将管式炉升温至1100℃，升温过程中先通入氩气，后换氨气流量为30sccm/min保持30min，再换用氩气自然冷却到室温，所得的Al2O3衬底材料的表面的淡黄色物质即为氮化镓纳米线。本发明采用Ga2O3/GaN混合镓源，使得GaN纳米线持续生长，质量大为提高。由于采用不同的生长位置和氨气流量，使制备的氮化镓纳米线阵列的直径和长度更均匀，垂直取向性更好，过程可控。