公开(公告)号：CN104078336A

公开(公告)日：2014-10-01

申请号：CN201410312421.8

申请日：2014-07-02

Applicant: 上海朕芯微电子科技有限公司

Inventor： 杨凡力

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/30

CPC classification number: H01L21/6835 ,  H01L2221/68345 ,  H01L2221/68386

Abstract: 本发明公开的一种无衬底结构的功率器件制造工艺，由以下步骤组成：(1)制备产品晶圆和衬底晶圆；(2)在产品晶圆上形成一氢离子注入层；(3)在衬底晶圆上形成一层多孔硅氧化层；(4)将氢离子注入层表面贴在多孔硅氧化层表面上；(5)将产品晶圆的氢离子注入层以外的部分从氢离子注入层的层底处剥离掉,然后对剥离面进行抛光处理；(6)在氢离子注入层上加工出功率器件；(7)将衬底晶圆剥离下来形成无衬底结构的功率器件。本发明与现有技术相比的优点在于：(1)两次剥离保证所有的晶圆都不浪费；剥离下来的晶圆还可以重复使用。(2)制备的功率器件真正无衬底，最大限度降低功率器件的导通电阻。

公开(公告)号：CN104347542A

公开(公告)日：2015-02-11

申请号：CN201410504932.X

申请日：2014-09-26

Applicant: 上海朕芯微电子科技有限公司

Inventor： 杨凡力

IPC: H01L23/31 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L24/96 ,  H01L21/568 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/03

Abstract: 本发明公开的一种五面包封的CSP结构，包括晶粒和附着在所述晶粒表面的压焊点、钝化层以及附着在所述压焊点上的导电体，所述钝化层覆盖在所述晶粒上表面没有被压焊点覆盖的区域且所述钝化层还覆盖在所述压焊点没有被导电体覆盖的区域，其特征在于，所述晶粒的底面以及四周侧面和钝化层的四周侧面被环氧树脂包封。本发明公开的该五面包封的CSP结构的制造工艺。本发明将管芯的五面(晶圆正面除外)用环氧树脂包封起来，有利于改善电子器件及集成电路的可靠性，并且又是WLCSP封装，有利于电子产品的小型化。同时其制造工艺简单，可靠。

公开(公告)号：CN104241094A

公开(公告)日：2014-12-24

申请号：CN201410312414.8

申请日：2014-10-08

Applicant: 上海朕芯微电子科技有限公司

Inventor： 杨凡力

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/683

CPC classification number: H01L21/02013 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/6836

Abstract: 本发明公开的一种避免超薄硅片边缘破损的加工方法，其特征在于，具体包括如下步骤：(1)在需要减薄的硅片边缘加工出一槽，所述槽的槽口位于硅片的表面；(2)在加工有槽的硅片的表面贴一保护膜，所述保护膜跨过所述槽；或者加工有槽的硅片的表面贴在另一硅片上；(3)研磨所述硅片的背面对所述硅片进行减薄处理，减薄至规定厚度；(4)撕去硅片表面的保护膜，得到符合要求的减薄后的硅片；或者将减薄后的硅片与另一硅片分离得到符合的减薄后的硅片。本发明与现有技术相比，具有以下优点：1、加工简单；2、易于贴膜；3、且硅片后续的加工工艺和传统的方法兼容。

公开(公告)号：CN104078336B

公开(公告)日：2018-01-09

申请号：CN201410312421.8

申请日：2014-07-02

Applicant: 上海朕芯微电子科技有限公司

Inventor： 杨凡力

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/30

Abstract: 本发明公开的一种无衬底结构的功率器件制造工艺，由以下步骤组成：(1)制备产品晶圆和衬底晶圆；(2)在产品晶圆上形成一氢离子注入层；(3)在衬底晶圆上形成一层多孔硅氧化层；(4)将氢离子注入层表面贴在多孔硅氧化层表面上；(5)将产品晶圆的氢离子注入层以外的部分从氢离子注入层的层底处剥离掉,然后对剥离面进行抛光处理；(6)在氢离子注入层上加工出功率器件；(7)将衬底晶圆剥离下来形成无衬底结构的功率器件。本发明与现有技术相比的优点在于：(1)两次剥离保证所有的晶圆都不浪费；剥离下来的晶圆还可以重复使用。(2)制备的功率器件真正无衬底，最大限度降低功率器件的导通电阻。

公开(公告)号：CN104051369A

公开(公告)日：2014-09-17

申请号：CN201410311847.1

申请日：2014-07-02

Applicant: 上海朕芯微电子科技有限公司

Inventor： 杨凡力

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/28 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L2224/12105 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/81005 ,  H01L2924/15311

Abstract: 本发明公开的一种用于2.5D封装的中间互联层，包括基体，基体采用环氧树脂制成，在基体内设置有若干露出基体的铜柱或锡球，其制备方法包括如下步骤：(1)采用硅片或金属框架制成一衬底；(2)在衬底的指定区域内形成若干铜柱或锡球；(3)在衬底形成有铜柱或锡球这一面上采用涂覆或热压方法制备一层环氧树脂层，环氧树脂层淹没掉所述铜柱或锡球；(4)研磨环氧树脂层直至露出铜柱或锡球；(5)在环氧树脂层的研磨面上布线；(6)去掉衬底制成的中间互联层或者将需要倒装焊的管芯焊接在中间互联层的一个面上再去掉衬底。本发明与现有技术相比，采用环氧树脂等有机材料作为中间互联层，不需要TSV等复杂的工艺，加工工艺非常简单。