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公开(公告)号：CN102130039A
公开(公告)日：2011-07-20
申请号：CN201010608061.8
申请日：2010-12-27
Applicant: 上海新傲科技股份有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/762 , H01L21/324 , H01L21/48
Abstract: 一种采用吸杂工艺制备带有绝缘埋层的半导体衬底的方法，包括：提供器件衬底与支撑衬底；在器件衬底的表面形成绝缘层；采用两步热处理工艺热处理器件衬底；将带有绝缘层的器件衬底与支撑衬底键合，使绝缘层夹在器件衬底与支撑衬底之间；对键合界面实施退火加固；对键合后的器件衬底实施倒角研磨、减薄以及抛光。本发明的优点在于，在键合前采用吸杂工艺对器件衬底进行处理，表面形成洁净区域，随后将该洁净区转移到另一片支撑衬底之上，得到具有高晶体质量的键合材料。并且在热处理器件衬底的工艺中仅采用了两步热处理步骤，而将第三步高温热处理步骤与后续加固键合界面的步骤整合成一步，从而降低了工艺复杂度，节约了工艺成本并提高了工艺效率。
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公开(公告)号：CN102130037B
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN201010607936.2
申请日：2010-12-27
Applicant: 上海新傲科技股份有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/762 , H01L21/48
Abstract: 一种采用吸杂工艺制备带有绝缘埋层的半导体衬底的方法，包括如下步骤：提供器件衬底与支撑衬底；在器件衬底的表面形成绝缘层；热处理器件衬底，从而在所述器件衬底的表面形成洁净区域；将带有绝缘层的器件衬底与支撑衬底键合，使绝缘层夹在器件衬底与支撑衬底之间；对键合界面实施退火加固，使键合界面的牢固程度能够满足后续倒角研磨、减薄以及抛光工艺的要求；对键合后的器件衬底实施倒角研磨、减薄以及抛光。本发明的优点在于，在键合前采用吸杂工艺对器件衬底进行处理，表面形成洁净区域，随后将该洁净区域转移到另一片支撑衬底之上，得到具有高晶体质量的键合材料。
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公开(公告)号：CN102130039B
公开(公告)日：2013-04-10
申请号：CN201010608061.8
申请日：2010-12-27
Applicant: 上海新傲科技股份有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/762 , H01L21/324 , H01L21/48
Abstract: 一种采用吸杂工艺制备带有绝缘埋层的半导体衬底的方法，包括：提供器件衬底与支撑衬底；在器件衬底的表面形成绝缘层；采用两步热处理工艺热处理器件衬底；将带有绝缘层的器件衬底与支撑衬底键合，使绝缘层夹在器件衬底与支撑衬底之间；对键合界面实施退火加固；对键合后的器件衬底实施倒角研磨、减薄以及抛光。本发明的优点在于，在键合前采用吸杂工艺对器件衬底进行处理，表面形成洁净区域，随后将该洁净区转移到另一片支撑衬底之上，得到具有高晶体质量的键合材料。并且在热处理器件衬底的工艺中仅采用了两步热处理步骤，而将第三步高温热处理步骤与后续加固键合界面的步骤整合成一步，从而降低了工艺复杂度，节约了工艺成本并提高了工艺效率。
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公开(公告)号：CN102130037A
公开(公告)日：2011-07-20
申请号：CN201010607936.2
申请日：2010-12-27
Applicant: 上海新傲科技股份有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/762 , H01L21/48
Abstract: 一种采用吸杂工艺制备带有绝缘埋层的半导体衬底的方法，包括如下步骤：提供器件衬底与支撑衬底；在器件衬底的表面形成绝缘层；热处理器件衬底，从而在所述器件衬底的表面形成洁净区域；将带有绝缘层的器件衬底与支撑衬底键合，使绝缘层夹在器件衬底与支撑衬底之间；对键合界面实施退火加固，使键合界面的牢固程度能够满足后续倒角研磨、减薄以及抛光工艺的要求；对键合后的器件衬底实施倒角研磨、减薄以及抛光。本发明的优点在于，在键合前采用吸杂工艺对器件衬底进行处理，表面形成洁净区域，随后将该洁净区域转移到另一片支撑衬底之上，得到具有高晶体质量的键合材料。
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公开(公告)号：CN103400797A
公开(公告)日：2013-11-20
申请号：CN201310355143.X
申请日：2013-08-15
Applicant: 上海新傲科技股份有限公司
IPC: H01L21/762
Abstract: 本发明提供一种带有空腔的半导体衬底的制备方法，包括如下步骤：提供第一衬底与第二衬底，第一衬底包括支撑层、支撑层表面的氧化层以及氧化层表面的器件层；在第二衬底表面形成图形化的空腔；在第二衬底和/或器件层表面形成绝缘层；以绝缘层和器件层为中间层，将第一衬底与第二衬底键合在一起；对键合后的衬底实施退火步骤；对第一衬底的支撑层实施机械研磨以减薄，并保留厚度大于5μm的支撑层；对保留部分的支撑层实施化学机械抛光以将保留部分的支撑层全部去除；腐蚀去除氧化层，形成带有空腔的半导体衬底。本发明的优点在于，采用机械研磨、化学机械抛光及腐蚀结合的方式，防止顶层硅层在机械研磨过程中由于只有局部支撑而破碎的情况发生。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103258778A
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：CN201310175296.6
申请日：2013-05-14
Applicant: 上海新傲科技股份有限公司
IPC: H01L21/762 , B81C3/00 , B81C1/00
Abstract: 本发明提供了一种带有空腔的衬底的制备方法，包括如下步骤：提供支撑衬底和器件衬底，所述支撑衬底用于键合的表面内具有凹槽；将支撑衬底和器件衬底键合在一起；向器件衬底的中心方向研磨键合后的器件衬底边缘，至去除器件衬底边缘的悬空部分；研磨减薄器件衬底至预定厚度。本发明的优点在于，在研磨减薄之前首先去除边缘悬空部分，防止当减薄到某一厚度之后，器件衬底的边缘悬空处由于没有键合界面的加固保护作用，会因无法承受应力作用而发生碎裂，从而降低了在研磨的过程中发生碎边的几率。
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公开(公告)号：CN103241708A
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：CN201310175322.5
申请日：2013-05-14
Applicant: 上海新傲科技股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种带有空腔的衬底的制备方法，包括如下步骤：提供支撑衬底和器件衬底，所述支撑衬底用于键合的表面内具有凹槽；在真空环境下将支撑衬底和器件衬底键合在一起；减薄器件衬底至预定厚度。本发明的优点在于，键合是在真空中进行的，即使器件衬底变薄，外界对空腔的压力也是由外向内的，这个压力只会对支撑衬底和器件衬底之间的键合结合面起到加固的作用，而不会导致碎片。
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公开(公告)号：CN103117235A
公开(公告)日：2013-05-22
申请号：CN201310036846.6
申请日：2013-01-31
Applicant: 上海新傲科技股份有限公司
IPC: H01L21/60
Abstract: 本发明提供了一种等离子辅助键合方法，包括如下步骤：提供第一衬底和第二衬底，所述第一衬底表面包含一氧化层；采用氮气等离子体处理工艺处理所述氧化层的表面；对所述第二衬底的用于键合的表面进行等离子处理，本步骤所采用的等离子体种类和处理时间至少有一项不同于对所述氧化层表面的处理步骤。本发明的优点在于，通过调整等离子体气体和等离子体处理时间，对待键合的两片衬底表面采用不同的等离子体处理，可以获得两种不同化学特性的表面，从而提高键合界面性能和键合良率。
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公开(公告)号：CN103258778B
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：CN201310175296.6
申请日：2013-05-14
Applicant: 上海新傲科技股份有限公司
IPC: H01L21/762 , B81C3/00 , B81C1/00
Abstract: 本发明提供了一种带有空腔的衬底的制备方法，包括如下步骤：提供支撑衬底和器件衬底，所述支撑衬底用于键合的表面内具有凹槽；将支撑衬底和器件衬底键合在一起；向器件衬底的中心方向研磨键合后的器件衬底边缘，至去除器件衬底边缘的悬空部分；研磨减薄器件衬底至预定厚度。本发明的优点在于，在研磨减薄之前首先去除边缘悬空部分，防止当减薄到某一厚度之后，器件衬底的边缘悬空处由于没有键合界面的加固保护作用，会因无法承受应力作用而发生碎裂，从而降低了在研磨的过程中发生碎边的几率。
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公开(公告)号：CN103400797B
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：CN201310355143.X
申请日：2013-08-15
Applicant: 上海新傲科技股份有限公司
IPC: H01L21/762
Abstract: 本发明提供一种带有空腔的半导体衬底的制备方法，包括如下步骤：提供第一衬底与第二衬底，第一衬底包括支撑层、支撑层表面的氧化层以及氧化层表面的器件层；在第二衬底表面形成图形化的空腔；在第二衬底和/或器件层表面形成绝缘层；以绝缘层和器件层为中间层，将第一衬底与第二衬底键合在一起；对键合后的衬底实施退火步骤；对第一衬底的支撑层实施机械研磨以减薄，并保留厚度大于5μm的支撑层；对保留部分的支撑层实施化学机械抛光以将保留部分的支撑层全部去除；腐蚀去除氧化层，形成带有空腔的半导体衬底。本发明的优点在于，采用机械研磨、化学机械抛光及腐蚀结合的方式，防止顶层硅层在机械研磨过程中由于只有局部支撑而破碎的情况发生。
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