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公开(公告)号：CN105047695B
公开(公告)日：2018-09-25
申请号：CN201510315457.6
申请日：2015-06-10
Applicant: 上海新傲科技股份有限公司
IPC: H01L29/20 , H01L29/201 , H01L29/207 , H01L21/02
Abstract: 本发明提供了一种用于高电子迁移率晶体管的高阻衬底及其生长方法。所述衬底包括支撑衬底和支撑衬底表面的高阻层，所述高阻层材料为氮化物，其特征在于，所述高阻层中包含由多个掺杂层和多个非掺杂层交替设置的周期性结构，所述掺杂层的材料为含有深能级掺杂元素的氮化物。本发明的优点在于在保证深能级掺杂浓度导致高阻特性同时，也能很好地保证外延层优良的晶体质量。
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公开(公告)号：CN105047692A
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：CN201510315434.5
申请日：2015-06-10
Applicant: 上海新傲科技股份有限公司
IPC: H01L29/02
CPC classification number: H01L29/02
Abstract: 本发明提供了一种用于高电子迁移率晶体管的衬底，包括支撑衬底、支撑衬底表面的高阻层、高阻层表面的沟道层、以及沟道层表面的势垒层，所述高阻层、沟道层以及势垒层的材料均为氮化物，所述沟道层的材料为掺杂元素浓度为1×1015cm-3～9×1019cm-3的GaN材料，所述掺杂元素选自于As和P中的一种，以及两者的混合物。本发明的优点在于，外延生长氮化物沟道层过程中掺入等电子元素砷或磷，以改善材料的微观电子结构，降低缺陷密度，改善晶格完整性，提高晶体质量，从而提高材料的电子特性如电子迁移率、降低方块面电阻等。
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公开(公告)号：CN105039933A
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：CN201510315495.1
申请日：2015-06-10
Applicant: 上海新傲科技股份有限公司
IPC: C23C16/458 , C30B25/12
Abstract: 本发明提供了一种用于外延生长的托盘，所述托盘的第一表面包括多个用于平置外延衬底的卡槽，所述卡槽底部设置有多个支撑部件，所述支撑部件用于支撑所述外延衬底使其脱离卡槽底部，所述托盘的与第一表面相对应的第二表面内具有弧形凹陷，所述凹陷的位置与第一表面的所述卡槽的位置相对应。本发明的优点在于，通过采用支撑部件使外延衬底悬空，并在背面设置了弧形凹陷以均衡热应力，提高外延质量。
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公开(公告)号：CN102201358B
公开(公告)日：2014-06-04
申请号：CN201110123914.3
申请日：2011-05-13
Applicant: 上海新傲科技股份有限公司
IPC: H01L21/687 , H01L21/00 , H01L21/306
Abstract: 一种表征衬底表面性质的装置，用于夹持衬底以对其表面进行选择性遮挡，以便对衬底表面进行选择性腐蚀，包括：多个压盘，所述压盘各自具有一朝向被夹持的衬底的被腐蚀表面的平面；一背板，所述背板与压盘相对设置，用于同压盘的平面相配合以夹持衬底；第一夹具，所述第一夹具与压盘以及背板连接，用于在压盘和背板上施加对向的压力，从而将衬底夹持在压盘与背板之间；连接件，所述连接件用于连接压盘与压盘，以及压盘与夹具。
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公开(公告)号：CN102842488A
公开(公告)日：2012-12-26
申请号：CN201210303906.1
申请日：2012-08-24
Applicant: 上海新傲科技股份有限公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/768 , H01L27/146
Abstract: 本发明提供了一种在衬底的双面制造器件的方法以及衬底。所述方法包括如下步骤：提供器件衬底，所述器件衬底具有相对的第一表面和第二表面，且第一表面具有多个器件；提供第一支撑衬底，所述第一支撑衬底表面具有第一绝缘层；以第一绝缘层为中间层，将器件衬底的第一表面同第一支撑衬底键合；减薄器件衬底的第二表面；在器件衬底的暴露出的第二表面上制作器件。本发明的优点在于，在第二表面制作器件的工艺步骤不会对第一表面造成影响，并且由于键合了第一支撑衬底作为支撑结构而不必担心碎裂问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102201362A
公开(公告)日：2011-09-28
申请号：CN201110123907.3
申请日：2011-05-13
Applicant: 上海新傲科技股份有限公司
IPC: H01L21/762 , H01L21/304
Abstract: 一种制备任意厚度的带有绝缘埋层的衬底的方法，采用了研磨的方法将器件衬底和支撑衬底研磨减薄到接近目标厚度，再采用抛光工艺做精细加工，且在研磨减薄工艺中特别为器件衬底预留了更多的余量，以保证器件衬底能够得到更为精细的抛光。以上方法通过将常规的研磨和抛光等工艺巧妙结合，并根据目标厚度来控制每一步实施完毕后所保留的衬底厚度，从而做到了能够在支撑衬底的机械强度允许的范围内将支撑衬底减薄到任意厚度。
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公开(公告)号：CN102983074B
公开(公告)日：2015-10-14
申请号：CN201210500197.6
申请日：2012-11-30
Applicant: 上海新傲科技股份有限公司
IPC: H01L21/3105
Abstract: 本发明一种减薄器件层的方法以及衬底的制备方法，所述减薄器件层的方法，包括如下步骤：提供一复合衬底，所述复合衬底包括支撑层、支撑层表面的绝缘埋层以及绝缘埋层表面的器件层；采用热氧化法在器件层和支撑层表面形成相同厚度的第一和第二热氧化层；采用单面研磨法减薄器件层表面的第一热氧化层至预定厚度；同时减薄器件层和支撑层表面的第一和第二热氧化层，至器件层表面的第一热氧化层全部被除去，而支撑层表面保留有减薄后的第二热氧化层。本发明的优点在于，仅采用了一步热氧化工艺，既达到了降低器件层厚度的目的，又同时在支撑层表面形成了用来调节厚度的第二热氧化层。
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公开(公告)号：CN102768981B
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：CN201210233324.0
申请日：2012-07-06
Applicant: 上海新傲科技股份有限公司
IPC: H01L21/762
Abstract: 本发明提供了一种带有绝缘埋层衬底的制备方法，包括如下步骤：提供具有相同材料的支撑衬底和器件衬底；采用单面抛光工艺抛光支撑衬底的表面；在支撑衬底的抛光后表面和/或器件衬底的一表面形成绝缘层；以绝缘层为中间层将支撑衬底和器件衬底键合在一起；研磨减薄器件衬底；采用单面抛光工艺抛光器件衬底的被研磨表面，所采用的工艺参数与抛光支撑衬底表面相同。本发明的优点在于，两次抛光工艺采用相同的工艺条件，故抛光后的器件衬底表面应当拥有与支撑衬底表面相同的表面形貌，这样器件衬底表面与支撑衬底表面的形貌配合，能够保证了器件层的厚度是均匀的。
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公开(公告)号：CN102214613A
公开(公告)日：2011-10-12
申请号：CN201110123908.8
申请日：2011-05-13
Applicant: 上海新傲科技股份有限公司
IPC: H01L21/98
CPC classification number: H01L2224/16145
Abstract: 一种三维封装的方法，包括下列步骤：提供一个表面已经制作器件的初始衬底；提供N个叠层衬底，所述叠层衬底包括器件层和位于器件层下方的离子富集层；将初始衬底与一个叠层衬底进行贴合；腐蚀叠层衬底并停止于离子富集层的位置；在叠层衬底中形成器件的电学引线；重复上述步骤，将N个叠层衬底依次键合，形成具有N+1个器件层的三维封装结构；所述N为大于1的整数。
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公开(公告)号：CN105047695A
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：CN201510315457.6
申请日：2015-06-10
Applicant: 上海新傲科技股份有限公司
IPC: H01L29/20 , H01L29/201 , H01L29/207 , H01L21/02
CPC classification number: H01L29/2003 , H01L21/02381 , H01L21/0254 , H01L21/0257 , H01L21/02587 , H01L21/0262 , H01L29/201 , H01L29/207
Abstract: 本发明提供了一种用于高电子迁移率晶体管的高阻衬底及其生长方法。所述衬底包括支撑衬底和支撑衬底表面的高阻层，所述高阻层材料为氮化物，其特征在于，所述高阻层中包含由多个掺杂层和多个非掺杂层交替设置的周期性结构，所述掺杂层的材料为含有深能级掺杂元素的氮化物。本发明的优点在于在保证深能级掺杂浓度导致高阻特性同时，也能很好地保证外延层优良的晶体质量。
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