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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103207528A
公开(公告)日：2013-07-17
申请号：CN201210013381.8
申请日：2012-01-17
Applicant: 上海微电子装备有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明公开一种用于补偿光刻成像质量的光瞳修正方法，包括：指定多个掩模版和投影物镜的光瞳，获得多种照明光源图像，建立该多种照明光源主成分和空间像之间的关系；在该指定中选择一组掩模版和光瞳，对其名义光源进行主成分分析，获得各个主成分的名义权重，结合该多种照明光源主成分和空间像之间的关系利用查表算法和线性回归算法计算出该各个主成分的目标权重，从而获得光源参数设置变化量和光源内部可动元件调整量。本发明同时公开一种用于补偿光刻成像质量的光刻曝光系统。
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公开(公告)号：CN106933058A
公开(公告)日：2017-07-07
申请号：CN201511031918.3
申请日：2015-12-31
Applicant: 上海微电子装备有限公司
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/2022 , G03F7/70725
Abstract: 本发明公开了一种曝光装置及方法，该装置包括激光器、光学系统、掩模版、基底台和运动控制模块，所述激光器发射光源经所述光学系统汇聚成平行光，经所述掩模版入射到位于所述基底台上的基底表面，所述运动控制模块在基底曝光过程中控制所述基底台作垂向运动。本发明采用运动控制模块控制工件台在基底边缘曝光的过程中作垂向扫描运动，无需控制工件台的垂直方向实际位置，只需控制垂向扫描距离即可，简化了操作过程。
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公开(公告)号：CN104062853A
公开(公告)日：2014-09-24
申请号：CN201310090953.7
申请日：2013-03-21
Applicant: 上海微电子装备有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明提出一种光刻设备垂向动态曝光方法，用于将掩模版图形通过投影物镜系统曝光成像在工件台的硅片上，其特征在于：具体包括如下步骤：（1）对准工件台，找到最佳焦面，并使最佳焦面位于硅片的光刻胶顶部；（2）根据光刻胶厚度及曝光时间，计算工件台的运动速度，所述运动速度为光刻胶厚度除以曝光时间；（3）曝光时工件台按照运动速度垂向匀速上升，整个曝光过程中工件台移动的距离等于光刻胶涂层的厚度，曝光完成时使工件台的最佳焦面停留在光刻胶涂层的底部；（4）曝光结束后，工件台停止运动并开始后烘和显影过程。本发明还提出垂向动态曝光装置。本发明通过在曝光过程中，使工件台在垂向匀速移动，并且在移动过程中进行连续曝光，可以有效地增加厚胶工艺中反胶所形成的倒梯形图形的倾斜度。
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公开(公告)号：CN105989589A
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：CN201510064898.3
申请日：2015-02-09
Applicant: 上海微电子装备有限公司
Abstract: 本发明公开一种掩模图形灰度化方法，其特征在于，包括：步骤一：将原始掩模图形转换后进行特征图形识别；步骤二：根据已识别出来的所述特征图形计算各自特征值；步骤三：判断所述的各自特征值，是否小于一临界值，依此将所述原始掩模图形中的所述特征图像进行分离为HP图形单元和HE图形单元；步骤四：对分离后的所述HP图形单元进行HP灰度化或者对分离后的所述HE图形单元进行HE灰度化；步骤五：对所述HP灰度化及所述HE灰度化的数字掩模按照所述原始掩模图形中的位置进行拼接。
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公开(公告)号：CN103207528B
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：CN201210013381.8
申请日：2012-01-17
Applicant: 上海微电子装备有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明公开一种用于补偿光刻成像质量的光瞳修正方法，包括：指定多个掩模版和投影物镜的光瞳，获得多种照明光源图像，建立该多种照明光源主成分和空间像之间的关系；在该指定中选择一组掩模版和光瞳，对其名义光源进行主成分分析，获得各个主成分的名义权重，结合该多种照明光源主成分和空间像之间的关系利用查表算法和线性回归算法计算出该各个主成分的目标权重，从而获得光源参数设置变化量和光源内部可动元件调整量。本发明同时公开一种用于补偿光刻成像质量的光刻曝光系统。
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