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公开(公告)号：CN105511218A
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201410498866.X
申请日：2014-09-26
Applicant: 上海微电子装备有限公司
Abstract: 本发明公开一种光子晶体工艺层的光刻拼接方法，其特征在于，包括：步骤一、定义一光子晶体结构图形特征，所述光子晶体结构图形特征为一距图形中心间距均为s，内圈为正六边形，外圈为正十二边形的图形结构，其中s大于两倍投影光刻机最小分辨率R；步骤二、根据所述光子晶体结构图形特征形成以光子晶体结构；步骤三、在光子晶体结构中提取六边形结构作为单元图形；步骤四、将含所述单元图形的掩模图像作为曝光场曝光视场区域。本发明还公开了一种包含光子晶体结构的单元图形的掩模版，一种LED光子晶体工艺层的制作方法以及一种包含光子晶体结构的单元图形的掩模版的制作方法。
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公开(公告)号：CN105278266A
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：CN201410319287.4
申请日：2014-07-07
Applicant: 上海微电子装备有限公司
IPC: G03F9/00
Abstract: 本发明公开一种玻璃基板的偏差检测和修正方法，先将方形基板进行曝光工艺，曝出特殊标记图形，再根据标记图形与基板边缘的位置关系，计算出方形基板的偏差值，即偏心值和偏向值，实现对预对准处理后的基板偏移进行精确检测和修正。
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公开(公告)号：CN102738063B
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：CN201110086204.8
申请日：2011-04-07
Applicant: 上海微电子装备有限公司
IPC: H01L21/768
Abstract: 本发明公开一种线路互联结构制法，包括：提供一基底，该基底一表面形成有多数个电性连接垫，于该基底表面形成一光阻层；于该光阻层中形成相互堆叠之第一开口及第二开口，以露出该基底第一表面之电性连接垫；以及于该第一开口及第二开口中形成线路互联结构，且该线路互联结构电性连接至该基底第一表面之电性连接垫。
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公开(公告)号：CN103034047B
公开(公告)日：2014-10-29
申请号：CN201110299002.1
申请日：2011-09-29
Applicant: 上海微电子装备有限公司
Abstract: 一种提高分辨率的光刻工艺，包括：于一基底表面设置硬掩模层（hardmask），所述硬掩模层具有与所述基底表面接触的第一表面及与所述第一表面相对的第二表面，其特征在于，所述第二表面包括至少一个楔形面；在所述楔形面涂覆一层光刻胶，并于所述光刻胶中形成一图形(pattern）；垂直于所述基底方向进行第一干法刻蚀，移除部分的硬掩模层，将所述图形转换到所述硬掩膜层上；去除所述光刻胶；以及垂直于所述基底方向进行第二干法刻蚀，移除部分的基底，将所述硬掩模层上的图形转换到所述基底上。本光刻工艺可以在光源等技术参数不变的情况下提高光刻机的分辨率。
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公开(公告)号：CN104062853A
公开(公告)日：2014-09-24
申请号：CN201310090953.7
申请日：2013-03-21
Applicant: 上海微电子装备有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明提出一种光刻设备垂向动态曝光方法，用于将掩模版图形通过投影物镜系统曝光成像在工件台的硅片上，其特征在于：具体包括如下步骤：（1）对准工件台，找到最佳焦面，并使最佳焦面位于硅片的光刻胶顶部；（2）根据光刻胶厚度及曝光时间，计算工件台的运动速度，所述运动速度为光刻胶厚度除以曝光时间；（3）曝光时工件台按照运动速度垂向匀速上升，整个曝光过程中工件台移动的距离等于光刻胶涂层的厚度，曝光完成时使工件台的最佳焦面停留在光刻胶涂层的底部；（4）曝光结束后，工件台停止运动并开始后烘和显影过程。本发明还提出垂向动态曝光装置。本发明通过在曝光过程中，使工件台在垂向匀速移动，并且在移动过程中进行连续曝光，可以有效地增加厚胶工艺中反胶所形成的倒梯形图形的倾斜度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104698769B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201310671769.1
申请日：2013-12-10
Applicant: 上海微电子装备有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明提供了一种蓝宝石衬底的拼接曝光方法，包括：在曝光前，根据蓝宝石衬底表面欲制作的图形在一个掩模上制作掩模图形，所述掩模图形包括透光区域和不透光区域，所述不透光区域由规则排布于所述透光区域上的若干单位图形组成；在曝光时，通过该掩模对所述蓝宝石衬底表面的所有曝光区域进行曝光，且相邻两个曝光区域的曝光图案实现拼接；所述掩模图形的边界处向外侧设有透光的冗余部，以增强相邻两个曝光区域拼接处的曝光能量。本发明通过冗余部的设计，使得拼接位置对应的能量能够达到阈值能量，实现残胶消除。同时，由于拼接位置对应的曝光能量与其他位置对应的曝光能量相一致，故而就不会产生关键尺寸（CD）的变化。
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公开(公告)号：CN105022233A
公开(公告)日：2015-11-04
申请号：CN201410171815.6
申请日：2014-04-25
Applicant: 上海微电子装备有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明公开了一种用于浸没式曝光装置的物件表面形貌检测装置，包括：设置在曝光装置和被曝光物体之间的液体供给装置，所述液体供给装置内部为一空腔，所述空腔四周设置有若干与液体供给管路连通的小孔，液体通过所述小孔填充至液体供给装置与被曝光物体之间，所述液体供给管路上安装有液体压力传感器。本发明通过在曝光装置和被曝光物体之间设置一个液体供给装置，在液体供给装置的空腔周围设置若干小孔，每个小孔单独供给液体。通过液体压力传感器检测每个小孔的液体压力值，判断被测量物体表面与出液小孔的相对距离。通过该相对距离反映被测量物体表面的高度，将每个小孔内获得压力转换成高度值，模拟出被测量物体表面形貌。
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公开(公告)号：CN104698769A
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201310671769.1
申请日：2013-12-10
Applicant: 上海微电子装备有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明提供了一种蓝宝石衬底的拼接曝光方法，包括：在曝光前，根据蓝宝石衬底表面欲制作的图形在一个掩模上制作掩模图形，所述掩模图形包括透光区域和不透光区域，所述不透光区域由规则排布于所述透光区域上的若干单位图形组成；在曝光时，通过该掩模对所述蓝宝石衬底表面的所有曝光区域进行曝光，且相邻两个曝光区域的曝光图案实现拼接；所述掩模图形的边界处向外侧设有透光的冗余部，以增强相邻两个曝光区域拼接处的曝光能量。本发明通过冗余部的设计，使得拼接位置对应的能量能够达到阈值能量，实现残胶消除。同时，由于拼接位置对应的曝光能量与其他位置对应的曝光能量相一致，故而就不会产生关键尺寸（CD）的变化。
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公开(公告)号：CN103034047A
公开(公告)日：2013-04-10
申请号：CN201110299002.1
申请日：2011-09-29
Applicant: 上海微电子装备有限公司
Abstract: 一种提高分辨率的光刻工艺，包括：于一基底表面设置硬掩模层（hardmask），所述硬掩模层具有与所述基底表面接触的第一表面及与所述第一表面相对的第二表面，其特征在于，所述第二表面包括至少一个楔形面；在所述楔形面涂覆一层光刻胶，并于所述光刻胶中形成一图形(pattern）；垂直于所述基底方向进行第一干法刻蚀，移除部分的硬掩模层，将所述图形转换到所述硬掩膜层上；去除所述光刻胶；以及垂直于所述基底方向进行第二干法刻蚀，移除部分的基底，将所述硬掩模层上的图形转换到所述基底上。本光刻工艺可以在光源等技术参数不变的情况下提高光刻机的分辨率。
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公开(公告)号：CN102738063A
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN201110086204.8
申请日：2011-04-07
Applicant: 上海微电子装备有限公司
IPC: H01L21/768
Abstract: 本发明公开一种线路互联结构制法，包括：提供一基底，该基底一表面形成有多数个电性连接垫，于该基底表面形成一光阻层；于该光阻层中形成相互堆叠之第一开口及第二开口，以露出该基底第一表面之电性连接垫；以及于该第一开口及第二开口中形成线路互联结构，且该线路互联结构电性连接至该基底第一表面之电性连接垫。
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