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公开(公告)号：CN111574927A
公开(公告)日：2020-08-25
申请号：CN202010570947.1
申请日：2020-06-22
Applicant: 宁波日晟新材料有限公司 , 上海工程技术大学
Abstract: 本发明公开了一种含还原剂的碳化硅抛光液，所述碳化硅抛光液由研磨剂颗粒、还原剂、硝酸和去离子水组成，且所述碳化硅抛光液pH值为1～7。本发明的碳化硅抛光液，不仅具有切削率高，表面质量稳定，循环使用寿命长的优点，而且无挥发性和重金属污染问题，易于长期储存，尤其适用于难加工的含硅表面的超精密光学器件或半导体功率器件的表面抛光。本发明还公开了一种含还原剂的碳化硅抛光液的制备方法和应用。
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公开(公告)号：CN113881349A
公开(公告)日：2022-01-04
申请号：CN202111020197.1
申请日：2021-09-01
Applicant: 上海工程技术大学
IPC: C09G1/18 , B24B37/04 , B24B37/005 , B24B49/00 , B24B49/16
Abstract: 本发明涉及一种用于碳化硅晶片硅表面化学机械抛光的抛光液及抛光方法。该抛光液包括非水性溶剂和pH调节剂，其中，该化学机械抛光液的pH为2.0～11.0，该非水性溶剂选自C1～C5醇。该抛光方法包括(1)配制抛光液，(2)在室温条件下以20‑60mL/min的流量向抛光垫与碳化硅晶片硅表面之间滴入上述抛光液，对碳化硅晶片的硅面施加0.5～1.0psi的压力进行机械抛光。本发明的方法大幅度提高了碳化硅晶片硅表面抛光效率，有效满足了碳化硅晶片硅表面抛光质量要求，有效减少了传统抛光液中高锰酸钾等强氧化剂的使用，保护了实验设备和生态环境。
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公开(公告)号：CN113370001A
公开(公告)日：2021-09-10
申请号：CN202110571775.4
申请日：2021-05-25
Applicant: 上海工程技术大学
Abstract: 本发明公开了一种硅衬底化学机械抛光方法，其步骤为：使用含磨料粒子的抛光液对抛光垫进行激活处理，激活处理包括预抛光处理，预抛光处理是指使用含磨料粒子的抛光液对抛光垫进行抛光；将待加工工件置于激活处理后的抛光垫上方，使用不含磨料粒子的抛光液对待加工工件的表面进行抛光加工。本发明的硅衬底化学机械抛光方法，大大简化了硅衬底加工工艺步骤，减少了硅溶胶等磨料粒子的使用，降低了研发成本以及生产设备的投入；在保持了相对较高的切削率的情况下，节约了磨料，保护了人员和环境；其相比于现有成熟工艺改动幅度不大，可方便地使用本发明的方法替换现有成熟工艺，极具应用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111748285A
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN202010570937.8
申请日：2020-06-22
Applicant: 宁波日晟新材料有限公司 , 上海工程技术大学
IPC: C09G1/02 , H01L21/306
Abstract: 本发明公开了一种含高铁酸盐的碳化硅抛光液，所述碳化硅抛光液由研磨剂颗粒、高铁酸盐、双氧水、硝酸和去离子水组成，且所述碳化硅抛光液pH值为1～7。本发明的碳化硅抛光液，具有切削率高，表面质量稳定，循环使用寿命长的优点，尤其适用于难加工的含硅表面的超精密光学器件或半导体功率器件的表面抛光。本发明还公开了一种含高铁酸盐的碳化硅抛光液的制备方法和应用。
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公开(公告)号：CN118438343A
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202410692055.7
申请日：2024-05-31
Applicant: 上海工程技术大学
Abstract: 本发明属于聚氨酯材料技术领域，涉及一种有机压电聚氨酯抛光垫及其制备方法。制备方法：在制备聚氨酯抛光垫的过程中，于聚醚多元醇与异氰酸酯反应前，向聚醚多元醇中分批加入PVDF纤维，并搅拌至PVDF纤维均匀地分散在聚醚多元醇中，最终得到的聚氨酯抛光垫即为有机压电聚氨酯抛光垫；制得的有机压电聚氨酯抛光垫包括聚氨酯基体和PVDF纤维，聚氨酯基体具有孔洞结构，PVDF纤维以网状结构分布在聚氨酯基体中。本发明的方法简单，制得的有机压电聚氨酯抛光垫具有良好的抛光效果与抛光效率。
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公开(公告)号：CN118221897A
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202410319238.4
申请日：2024-03-20
Applicant: 上海工程技术大学
Abstract: 本发明属于聚氨酯抛光垫领域，涉及一种压电聚氨酯抛光垫及其制备方法，压电聚氨酯抛光垫材质为改性聚氨酯，改性聚氨酯为分子链中嵌有羟基化改性压电材料颗粒的聚氨酯；制备方法为：在制备聚氨酯抛光垫的过程中，于聚醚多元醇与异氰酸酯反应前，在聚醚多元醇中加入羟基化改性压电材料颗粒，最终得到的聚氨酯抛光垫即为压电聚氨酯抛光垫。本发明的制备方法简单，制得的聚氨酯抛光垫具有压电效应，在CMP抛光过程中的抛光效果与抛光效率优异。
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公开(公告)号：CN111514830A
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：CN202010305406.6
申请日：2020-04-17
Applicant: 上海工程技术大学
Inventor： 孙韬
Abstract: 本发明公开了一种反应器，至少包括平板I和平板II，平板I和平板II相互平行且间隔排布，平板I和平板II均转动且转动方向相同或相反；平板I、平板II和反应器外壳围成的空间即为反应器内发生化学反应的空间，平板I、平板II和反应器外壳围成的空间设有一个以上的进料口和出料口，原料通过进料口进入该空间内，反应产物通过出料口流出。本发明的反应器，设计合理，结构简单，成本低廉；不仅实现反应物的充分混合，而且可以借助界面摩擦力，在反应器内常温常压条件下实现高温高压才能完成的化学反应，降低对反应环境条件的要求，极大地降低了成本，极具应用前景。
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公开(公告)号：CN113881349B
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN202111020197.1
申请日：2021-09-01
Applicant: 上海工程技术大学
IPC: C09G1/18 , B24B37/04 , B24B37/005 , B24B49/00 , B24B49/16
Abstract: 本发明涉及一种用于碳化硅晶片硅表面化学机械抛光的抛光液及抛光方法。该抛光液包括非水性溶剂和pH调节剂，其中，该化学机械抛光液的pH为2.0～11.0，该非水性溶剂选自C1～C5醇。该抛光方法包括(1)配制抛光液，(2)在室温条件下以20‑60mL/min的流量向抛光垫与碳化硅晶片硅表面之间滴入上述抛光液，对碳化硅晶片的硅面施加0.5～1.0psi的压力进行机械抛光。本发明的方法大幅度提高了碳化硅晶片硅表面抛光效率，有效满足了碳化硅晶片硅表面抛光质量要求，有效减少了传统抛光液中高锰酸钾等强氧化剂的使用，保护了实验设备和生态环境。
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