-
公开(公告)号:CN118438343A
公开(公告)日:2024-08-06
申请号:CN202410692055.7
申请日:2024-05-31
Applicant: 上海工程技术大学
Abstract: 本发明属于聚氨酯材料技术领域,涉及一种有机压电聚氨酯抛光垫及其制备方法。制备方法:在制备聚氨酯抛光垫的过程中,于聚醚多元醇与异氰酸酯反应前,向聚醚多元醇中分批加入PVDF纤维,并搅拌至PVDF纤维均匀地分散在聚醚多元醇中,最终得到的聚氨酯抛光垫即为有机压电聚氨酯抛光垫;制得的有机压电聚氨酯抛光垫包括聚氨酯基体和PVDF纤维,聚氨酯基体具有孔洞结构,PVDF纤维以网状结构分布在聚氨酯基体中。本发明的方法简单,制得的有机压电聚氨酯抛光垫具有良好的抛光效果与抛光效率。
-
公开(公告)号:CN118221897A
公开(公告)日:2024-06-21
申请号:CN202410319238.4
申请日:2024-03-20
Applicant: 上海工程技术大学
Abstract: 本发明属于聚氨酯抛光垫领域,涉及一种压电聚氨酯抛光垫及其制备方法,压电聚氨酯抛光垫材质为改性聚氨酯,改性聚氨酯为分子链中嵌有羟基化改性压电材料颗粒的聚氨酯;制备方法为:在制备聚氨酯抛光垫的过程中,于聚醚多元醇与异氰酸酯反应前,在聚醚多元醇中加入羟基化改性压电材料颗粒,最终得到的聚氨酯抛光垫即为压电聚氨酯抛光垫。本发明的制备方法简单,制得的聚氨酯抛光垫具有压电效应,在CMP抛光过程中的抛光效果与抛光效率优异。
-
公开(公告)号:CN113370001A
公开(公告)日:2021-09-10
申请号:CN202110571775.4
申请日:2021-05-25
Applicant: 上海工程技术大学
Abstract: 本发明公开了一种硅衬底化学机械抛光方法,其步骤为:使用含磨料粒子的抛光液对抛光垫进行激活处理,激活处理包括预抛光处理,预抛光处理是指使用含磨料粒子的抛光液对抛光垫进行抛光;将待加工工件置于激活处理后的抛光垫上方,使用不含磨料粒子的抛光液对待加工工件的表面进行抛光加工。本发明的硅衬底化学机械抛光方法,大大简化了硅衬底加工工艺步骤,减少了硅溶胶等磨料粒子的使用,降低了研发成本以及生产设备的投入;在保持了相对较高的切削率的情况下,节约了磨料,保护了人员和环境;其相比于现有成熟工艺改动幅度不大,可方便地使用本发明的方法替换现有成熟工艺,极具应用前景。
-
-