公开(公告)号：CN113881349B

公开(公告)日：2022-10-21

申请号：CN202111020197.1

申请日：2021-09-01

Applicant: 上海工程技术大学

Inventor： 孙韬 ,  王汉强 ,  步峥峥 ,  王雪含

IPC: C09G1/18 ,  B24B37/04 ,  B24B37/005 ,  B24B49/00 ,  B24B49/16

Abstract: 本发明涉及一种用于碳化硅晶片硅表面化学机械抛光的抛光液及抛光方法。该抛光液包括非水性溶剂和pH调节剂，其中，该化学机械抛光液的pH为2.0～11.0，该非水性溶剂选自C1～C5醇。该抛光方法包括(1)配制抛光液，(2)在室温条件下以20‑60mL/min的流量向抛光垫与碳化硅晶片硅表面之间滴入上述抛光液，对碳化硅晶片的硅面施加0.5～1.0psi的压力进行机械抛光。本发明的方法大幅度提高了碳化硅晶片硅表面抛光效率，有效满足了碳化硅晶片硅表面抛光质量要求，有效减少了传统抛光液中高锰酸钾等强氧化剂的使用，保护了实验设备和生态环境。

公开(公告)号：CN113881349A

公开(公告)日：2022-01-04

申请号：CN202111020197.1

申请日：2021-09-01

Applicant: 上海工程技术大学

Inventor： 孙韬 ,  王汉强 ,  步峥峥 ,  王雪含

IPC: C09G1/18 ,  B24B37/04 ,  B24B37/005 ,  B24B49/00 ,  B24B49/16

Abstract: 本发明涉及一种用于碳化硅晶片硅表面化学机械抛光的抛光液及抛光方法。该抛光液包括非水性溶剂和pH调节剂，其中，该化学机械抛光液的pH为2.0～11.0，该非水性溶剂选自C1～C5醇。该抛光方法包括(1)配制抛光液，(2)在室温条件下以20‑60mL/min的流量向抛光垫与碳化硅晶片硅表面之间滴入上述抛光液，对碳化硅晶片的硅面施加0.5～1.0psi的压力进行机械抛光。本发明的方法大幅度提高了碳化硅晶片硅表面抛光效率，有效满足了碳化硅晶片硅表面抛光质量要求，有效减少了传统抛光液中高锰酸钾等强氧化剂的使用，保护了实验设备和生态环境。