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公开(公告)号：CN110607498B
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN201910905251.7
申请日：2019-09-24
Applicant: 上海大学
IPC: C23C14/04
Abstract: 本发明提供了一种高通量薄膜材料芯片的分立掩膜高精度对准系统，用于解决现有技术中高通量薄膜制备系统中，掩膜与基片距离大、距离控制精度低、掩膜不可重复利用、生产效率低下、沉积膜组分不可控、膜阴影范围大的技术问题；包括：载体、基片、载体驱动装置、掩膜和定位球；实施本发明的技术方案，利用硅的各向异性加工出第一凹槽、第二凹槽，结合氮化硅定位球，实现掩膜与基片的高精度距离控制，从而将基片与掩膜的距离控制在较低范围，膜阴影范围小；设置可旋转的掩膜台以及掩膜旋转机构，系统可提供多种沉积方案，实现沉积膜组分的精准控制，提高系统的生产效率；设置多个第二凹槽，掩膜可以适用多种类型基片，降低系统成本。
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公开(公告)号：CN103177538A
公开(公告)日：2013-06-26
申请号：CN201310070090.7
申请日：2013-03-06
Applicant: 上海大学
IPC: G08B21/24
Abstract: 本发明公开了一种多功能电子提示器，包括壳体、振动器、USB接口、显示器、复位按钮、按键、和喇叭，以及壳体内的电子提示器电路，电子提示器电路包括中央控制系统模块、信息采集与数据处理模块、语音匹配模块、定时模块、速度感应模块、存储器模块和电源模块；所述中央控制系统模块连接电子提示器电路的各个模块，控制各模块的动作，并进行数据信息的交换；同时中央控制系统模块与振动器、USB接口、显示器、复位按钮、按键和喇叭相连。当满足设置提示方式时，中央控制系统模块控制喇叭（或振动器）发出提示，即在隔音或熟睡环境中都能达到提醒效果，从而避免错失时间和地点。
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公开(公告)号：CN113235165A
公开(公告)日：2021-08-10
申请号：CN202110451177.3
申请日：2021-04-26
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种新型Fe1‑xTMxS单晶材料的制备方法，其中TM为过渡金属，包括钴、镍、铜元素中的一种，x为TM的化学计量数，范围为0.01≤x≤0.5。步骤包括：步骤a制备Fe1.6‑xTMxS2多晶；步骤b制备K0.8Fe1.6‑xTMxS2单晶；步骤c配置硫脲和氢氧化钠的水溶液；步骤d在步骤c的溶液中加入铁粉、TM粉末和K0.8Fe1.6‑xTMxS2单晶得到混合溶液；步骤e将混合溶液保温反应；步骤f使用水和乙醇清洗反应后的溶液得到四方结构的Fe1‑xTMxS单晶。该方法成功在四方结构FeS单晶中掺入了过渡金属元素，以Fe1.6‑xTMxS2多晶作为前驱体，准确控制过渡金属元素的含量，减弱了K0.8Fe1.6‑xTMxS2单晶生长过程中钾单质和硫元素之间的反应，成本低、工艺简单、原料无毒，制备出的单晶质量高、尺寸大，对Fe1‑xTMxS材料体系物性研究及磁性器件的应用具有重要意义。
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公开(公告)号：CN112919904A
公开(公告)日：2021-06-08
申请号：CN202110432093.5
申请日：2021-04-21
Applicant: 上海大学
IPC: C04B35/48 , C04B35/622 , C04B35/638
Abstract: 本申请涉及陶瓷材料技术领域，公开了一种氧化锆陶瓷基板及其制备方法，其中，制备方法包括如下步骤：(1)取氧化锆粉体、溶剂、分散剂、粘结剂和增塑剂进行球磨混合，形成浆料；(2)将步骤(1)中的浆料进行过滤、真空除泡和流延成型，制备流延膜；(3)按照所需形状和尺寸将步骤(2)中的流延膜裁剪、叠片，经过真空包装密封和温等静压处理，得到基板素坯；(4)将步骤(3)得到的基板素坯进行排胶、烧结，得到预设形状和尺寸的氧化锆陶瓷基板。本方法工艺简单、制备周期短，生产效率高，制备的氧化锆陶瓷基板致密度高，力学性能好，满足手机背板领域的应用要求。
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公开(公告)号：CN110607498A
公开(公告)日：2019-12-24
申请号：CN201910905251.7
申请日：2019-09-24
Applicant: 上海大学
IPC: C23C14/04
Abstract: 本发明提供了一种高通量薄膜材料芯片的分立掩膜高精度对准系统，用于解决现有技术中高通量薄膜制备系统中，掩膜与基片距离大、距离控制精度低、掩膜不可重复利用、生产效率低下、沉积膜组分不可控、膜阴影范围大的技术问题；包括：载体、基片、载体驱动装置、掩膜和定位球；实施本发明的技术方案，利用硅的各向异性加工出第一凹槽、第二凹槽，结合氮化硅定位球，实现掩膜与基片的高精度距离控制，从而将基片与掩膜的距离控制在较低范围，膜阴影范围小；设置可旋转的掩膜台以及掩膜旋转机构，系统可提供多种沉积方案，实现沉积膜组分的精准控制，提高系统的生产效率；设置多个第二凹槽，掩膜可以适用多种类型基片，降低系统成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113984813B
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202111134382.3
申请日：2021-09-27
Applicant: 上海大学
IPC: G01N23/20058 , G01N23/20008 , G01N23/20025
Abstract: 本发明提供了一种高通量薄膜晶体结构表征装置及方法，包括电子枪发射机构、面探测器、低温控制系统、样品台控制装置、样品台、真空系统；利用易聚焦的电子束作为探测源，通过聚焦元件的汇聚作用，可将电子束束斑直径缩小至微米量级，从而提高样品表面的空间分辨率；通过对电子束的偏转作用可以改变电子束的入射角，从而可以根据实际实验需求改变样品表面的空间分辨率；通过样品台移动机构可以实现样品台沿平面内的高精度可控移动，并通过逐一扫描各个样品完成高通量薄膜中所有样品的晶体结构表征，可以用于高通量薄膜晶体结构表征。
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公开(公告)号：CN113533397B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202110744044.5
申请日：2021-07-01
Applicant: 上海大学
IPC: G01N23/20058 , G01N23/20008 , G01N23/20033
Abstract: 本发明提供了一种原位研究二维材料低温晶体结构的装置及方法。包括低温控制系统、RHEED系统、衬底台、衬底台升降器、中空Z轴驱动器、真空系统。通过调节衬底台与换热装置的相对距离在低温和高温两种工作模式间进行切换。低温工作模式：衬底台背面和换热装置底端完全接触，适于二维材料的低温晶体结构测试和低熔点金属薄膜制备；高温工作模式：换热装置远离衬底台，高真空环境保证了极小的气体对流漏热。本发明在RHEED系统中集成低温控制系统，为二维材料的晶体结构测试提供了低温环境。其中，本发明的有益效果是：结构简单，操作方便，适合原位二维材料的低温晶体结构分析且不破坏样品结构。
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公开(公告)号：CN103592628A
公开(公告)日：2014-02-19
申请号：CN201310559245.3
申请日：2013-11-12
Applicant: 上海大学
IPC: G01S5/18
CPC classification number: G01S5/18 , G01S3/8083
Abstract: 本发明公开了一种基于球谐域实值权重波束形成的多声源定位方法：首先建立单位幅度平面波入射到球麦克风阵列的声场模型；然后构建球谐域含噪声源信号模型；对球麦克风阵列接收到的含噪声源信号进行球谐域实值波束形成，得到球谐域的波束；构建球麦克风阵列阵增益最大时的MVDR波束，求出此时的最优实值权重；最后，计算球谐域实值权重平方的峰值点，提取出声源的空间方位最大估计值点。该方法利用MVDR波束形成获得球谐域最优实值权重，克服了传统方法计算量大、计算复杂度高的不足，显著的降低了运算量、满足自由空间的全方位估计，对声场进行更充分的采样。
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公开(公告)号：CN103294647A
公开(公告)日：2013-09-11
申请号：CN201310172337.6
申请日：2013-05-10
Applicant: 上海大学
IPC: G06F17/15
Abstract: 本发明公开了一种基于正交张量近邻保持嵌入的头相关传输函数降维方法。包括：首先对给定的一组头相关传输函数进行张量表述，并构建近邻图；然后计算近邻图中的权重矩阵；根据上述步骤得到的权重矩阵，在投影矩阵正交性的约束下，求解泛化特征向量问题，寻找到高维头相关传输函数嵌入到低维数据空间的投影矩阵；利用上述得到的投影矩阵可以对头相关传输函数高维张量进行特征提取，挖掘出蕴藏在高维空间中的头相关传输函数的低维特征，并且保持了高维空间中头相关传输函数的局部流形结构。真实的反映了头相关传输函数数据的分布，克服了传统降维方法对原始数据局部流形结构的破坏，能广泛用于3D音频信号处理等领域。
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公开(公告)号：CN113235165B
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN202110451177.3
申请日：2021-04-26
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种Fe1‑xTMxS单晶材料的制备方法，其中TM为过渡金属，包括钴、镍、铜元素中的一种，x为TM的化学计量数，范围为0.01≤x≤0.5。步骤包括：步骤a制备Fe1.6‑xTMxS2多晶；步骤b制备K0.8Fe1.6‑xTMxS2单晶；步骤c配置硫脲和氢氧化钠的水溶液；步骤d在步骤c的溶液中加入铁粉、TM粉末和K0.8Fe1.6‑xTMxS2单晶得到混合溶液；步骤e将混合溶液保温反应；步骤f使用水和乙醇清洗反应后的溶液得到四方结构的Fe1‑xTMxS单晶。该方法成功在四方结构FeS单晶中掺入了过渡金属元素，以Fe1.6‑xTMxS2多晶作为前驱体，准确控制过渡金属元素的含量，减弱了K0.8Fe1.6‑xTMxS2单晶生长过程中钾单质和硫元素之间的反应，成本低、工艺简单、原料无毒，制备出的单晶质量高、尺寸大，对Fe1‑xTMxS材料体系物性研究及磁性器件的应用具有重要意义。
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