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公开(公告)号：CN110607498B
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN201910905251.7
申请日：2019-09-24
Applicant: 上海大学
IPC: C23C14/04
Abstract: 本发明提供了一种高通量薄膜材料芯片的分立掩膜高精度对准系统，用于解决现有技术中高通量薄膜制备系统中，掩膜与基片距离大、距离控制精度低、掩膜不可重复利用、生产效率低下、沉积膜组分不可控、膜阴影范围大的技术问题；包括：载体、基片、载体驱动装置、掩膜和定位球；实施本发明的技术方案，利用硅的各向异性加工出第一凹槽、第二凹槽，结合氮化硅定位球，实现掩膜与基片的高精度距离控制，从而将基片与掩膜的距离控制在较低范围，膜阴影范围小；设置可旋转的掩膜台以及掩膜旋转机构，系统可提供多种沉积方案，实现沉积膜组分的精准控制，提高系统的生产效率；设置多个第二凹槽，掩膜可以适用多种类型基片，降低系统成本。
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公开(公告)号：CN113235165A
公开(公告)日：2021-08-10
申请号：CN202110451177.3
申请日：2021-04-26
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种新型Fe1‑xTMxS单晶材料的制备方法，其中TM为过渡金属，包括钴、镍、铜元素中的一种，x为TM的化学计量数，范围为0.01≤x≤0.5。步骤包括：步骤a制备Fe1.6‑xTMxS2多晶；步骤b制备K0.8Fe1.6‑xTMxS2单晶；步骤c配置硫脲和氢氧化钠的水溶液；步骤d在步骤c的溶液中加入铁粉、TM粉末和K0.8Fe1.6‑xTMxS2单晶得到混合溶液；步骤e将混合溶液保温反应；步骤f使用水和乙醇清洗反应后的溶液得到四方结构的Fe1‑xTMxS单晶。该方法成功在四方结构FeS单晶中掺入了过渡金属元素，以Fe1.6‑xTMxS2多晶作为前驱体，准确控制过渡金属元素的含量，减弱了K0.8Fe1.6‑xTMxS2单晶生长过程中钾单质和硫元素之间的反应，成本低、工艺简单、原料无毒，制备出的单晶质量高、尺寸大，对Fe1‑xTMxS材料体系物性研究及磁性器件的应用具有重要意义。
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公开(公告)号：CN110607498A
公开(公告)日：2019-12-24
申请号：CN201910905251.7
申请日：2019-09-24
Applicant: 上海大学
IPC: C23C14/04
Abstract: 本发明提供了一种高通量薄膜材料芯片的分立掩膜高精度对准系统，用于解决现有技术中高通量薄膜制备系统中，掩膜与基片距离大、距离控制精度低、掩膜不可重复利用、生产效率低下、沉积膜组分不可控、膜阴影范围大的技术问题；包括：载体、基片、载体驱动装置、掩膜和定位球；实施本发明的技术方案，利用硅的各向异性加工出第一凹槽、第二凹槽，结合氮化硅定位球，实现掩膜与基片的高精度距离控制，从而将基片与掩膜的距离控制在较低范围，膜阴影范围小；设置可旋转的掩膜台以及掩膜旋转机构，系统可提供多种沉积方案，实现沉积膜组分的精准控制，提高系统的生产效率；设置多个第二凹槽，掩膜可以适用多种类型基片，降低系统成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113984813B
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202111134382.3
申请日：2021-09-27
Applicant: 上海大学
IPC: G01N23/20058 , G01N23/20008 , G01N23/20025
Abstract: 本发明提供了一种高通量薄膜晶体结构表征装置及方法，包括电子枪发射机构、面探测器、低温控制系统、样品台控制装置、样品台、真空系统；利用易聚焦的电子束作为探测源，通过聚焦元件的汇聚作用，可将电子束束斑直径缩小至微米量级，从而提高样品表面的空间分辨率；通过对电子束的偏转作用可以改变电子束的入射角，从而可以根据实际实验需求改变样品表面的空间分辨率；通过样品台移动机构可以实现样品台沿平面内的高精度可控移动，并通过逐一扫描各个样品完成高通量薄膜中所有样品的晶体结构表征，可以用于高通量薄膜晶体结构表征。
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公开(公告)号：CN113533397B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202110744044.5
申请日：2021-07-01
Applicant: 上海大学
IPC: G01N23/20058 , G01N23/20008 , G01N23/20033
Abstract: 本发明提供了一种原位研究二维材料低温晶体结构的装置及方法。包括低温控制系统、RHEED系统、衬底台、衬底台升降器、中空Z轴驱动器、真空系统。通过调节衬底台与换热装置的相对距离在低温和高温两种工作模式间进行切换。低温工作模式：衬底台背面和换热装置底端完全接触，适于二维材料的低温晶体结构测试和低熔点金属薄膜制备；高温工作模式：换热装置远离衬底台，高真空环境保证了极小的气体对流漏热。本发明在RHEED系统中集成低温控制系统，为二维材料的晶体结构测试提供了低温环境。其中，本发明的有益效果是：结构简单，操作方便，适合原位二维材料的低温晶体结构分析且不破坏样品结构。
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公开(公告)号：CN113235165B
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN202110451177.3
申请日：2021-04-26
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种Fe1‑xTMxS单晶材料的制备方法，其中TM为过渡金属，包括钴、镍、铜元素中的一种，x为TM的化学计量数，范围为0.01≤x≤0.5。步骤包括：步骤a制备Fe1.6‑xTMxS2多晶；步骤b制备K0.8Fe1.6‑xTMxS2单晶；步骤c配置硫脲和氢氧化钠的水溶液；步骤d在步骤c的溶液中加入铁粉、TM粉末和K0.8Fe1.6‑xTMxS2单晶得到混合溶液；步骤e将混合溶液保温反应；步骤f使用水和乙醇清洗反应后的溶液得到四方结构的Fe1‑xTMxS单晶。该方法成功在四方结构FeS单晶中掺入了过渡金属元素，以Fe1.6‑xTMxS2多晶作为前驱体，准确控制过渡金属元素的含量，减弱了K0.8Fe1.6‑xTMxS2单晶生长过程中钾单质和硫元素之间的反应，成本低、工艺简单、原料无毒，制备出的单晶质量高、尺寸大，对Fe1‑xTMxS材料体系物性研究及磁性器件的应用具有重要意义。
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公开(公告)号：CN113984813A
公开(公告)日：2022-01-28
申请号：CN202111134382.3
申请日：2021-09-27
Applicant: 上海大学
IPC: G01N23/20058 , G01N23/20008 , G01N23/20025
Abstract: 本发明提供了一种高通量薄膜晶体结构表征装置及方法，包括电子枪发射机构、面探测器、低温控制系统、样品台控制装置、样品台、真空系统；利用易聚焦的电子束作为探测源，通过聚焦元件的汇聚作用，可将电子束束斑直径缩小至微米量级，从而提高样品表面的空间分辨率；通过对电子束的偏转作用可以改变电子束的入射角，从而可以根据实际实验需求改变样品表面的空间分辨率；通过样品台移动机构可以实现样品台沿平面内的高精度可控移动，并通过逐一扫描各个样品完成高通量薄膜中所有样品的晶体结构表征，可以用于高通量薄膜晶体结构表征。
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公开(公告)号：CN113533397A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202110744044.5
申请日：2021-07-01
Applicant: 上海大学
IPC: G01N23/20058 , G01N23/20008 , G01N23/20033
Abstract: 本发明提供了一种原位研究二维材料低温晶体结构的装置及方法。包括低温控制系统、RHEED系统、衬底台、衬底台升降器、中空Z轴驱动器、真空系统。通过调节衬底台与换热装置的相对距离在低温和高温两种工作模式间进行切换。低温工作模式：衬底台背面和换热装置底端完全接触，适于二维材料的低温晶体结构测试和低熔点金属薄膜制备；高温工作模式：换热装置远离衬底台，高真空环境保证了极小的气体对流漏热。本发明在RHEED系统中集成低温控制系统，为二维材料的晶体结构测试提供了低温环境。其中，本发明的有益效果是：结构简单，操作方便，适合原位二维材料的低温晶体结构分析且不破坏样品结构。
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