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公开(公告)号：CN114195368B
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202111550258.5
申请日：2021-12-17
Applicant: 上海大学
IPC: C03B20/00
Abstract: 本发明涉及一种高温熔铸法制备熔融石英制品的控压装置，熔铸腔顶部分别安装有传动电机、气压传感器，电机处安装压力杆，压力杆正下方设有样品台，样品台上加工出两端导通的石墨管，石墨管底部与真空室、真空泵相连，石墨管与真空室之间设有阀门，石墨管顶端与模具内相连，坩埚安装在操作台上，镕铸炉壁上的管道上设有气流控制器并与气瓶相连。通过上述设计，本发明装置将气体压力与电机压力相结合，共同作用于高温熔体，促进了高粘度石英熔体的流动成型、减少了熔铸过程中原料的挥发和气泡的形成。解决了传统石英熔铸过程中成型困难的问题，缩短生产周期，节约了生产成本，易于投入工业化生产。
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公开(公告)号：CN103203230A
公开(公告)日：2013-07-17
申请号：CN201310127798.1
申请日：2013-04-15
Applicant: 上海大学
IPC: B01J23/10
Abstract: 本发明涉及一种碳化铈镧合金制备La掺杂CeO2纳米粉的方法，用真空感应炉熔炼83%的金属铈，9%的金属镧和8%的石墨（质量百分比），熔化后浇铸得到碳化铈镧合金，合金粉与去离子水按质量比1:10～1:100配制，经18～36小时，10～50℃恒温搅拌反应，通过洗涤和烘干得到比表面积为109~131m2/gLa掺杂CeO2纳米粉。与相同工艺制备的纯CeO2纳米粉相比，La掺杂CeO2纳米粉不仅热稳定性有所提高，而且还具有良好的甲烷催化活性，T10和T50和T90分别为419，502和562℃。该方法低温，绿色，易于实现工业化生产。
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公开(公告)号：CN114212977B
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202111550383.6
申请日：2021-12-17
Applicant: 上海大学
Abstract: 一种制备石英玻璃制品的双加热腔高温熔铸装置，保温腔安装在熔铸腔下方，保温腔与熔铸腔分别安装有加热体和温度传感器，隔板安装在保温腔与熔铸腔之间，隔板连接有传动装置，操作台安装在保温腔内部并与升降轴相连，坩埚安装在操作台上。本发明的保温腔与熔铸腔可实现独立加热，通过隔板的移动可控制保温腔与熔铸腔的连通与闭合，通过操作台的升降可控制原料的加热位置，实现石英玻璃原料的分腔加热，缩短石英玻璃原料处于高温液相的时间，减少原料挥发，有利于设备的维护和提高原料利用率，且本发明可在熔铸成型的同时实现热处理消除应力的过程，简化生产流程，缩短生产周期，降低生产成本。
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公开(公告)号：CN114212977A
公开(公告)日：2022-03-22
申请号：CN202111550383.6
申请日：2021-12-17
Applicant: 上海大学
Abstract: 一种制备石英玻璃制品的双加热腔高温熔铸装置，保温腔安装在熔铸腔下方，保温腔与熔铸腔分别安装有加热体和温度传感器，隔板安装在保温腔与熔铸腔之间，隔板连接有传动装置，操作台安装在保温腔内部并与升降轴相连，坩埚安装在操作台上。本发明的保温腔与熔铸腔可实现独立加热，通过隔板的移动可控制保温腔与熔铸腔的连通与闭合，通过操作台的升降可控制原料的加热位置，实现石英玻璃原料的分腔加热，缩短石英玻璃原料处于高温液相的时间，减少原料挥发，有利于设备的维护和提高原料利用率，且本发明可在熔铸成型的同时实现热处理消除应力的过程，简化生产流程，缩短生产周期，降低生产成本。
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公开(公告)号：CN102491742A
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：CN201110363649.6
申请日：2011-11-17
Applicant: 上海大学
IPC: C04B35/453 , C04B35/622
Abstract: 本发明涉及脉冲磁场下锰铜共掺杂ZnO稀磁半导体材料的制备方法与装置，属于磁性半导体材料工艺技术领域。本发明方法是采用锌盐，沉淀剂及共掺杂金属盐溶液为原材料；按照沉淀剂与锌盐的摩尔比为4:1~6:1，共掺杂金属盐与锌盐的摩尔比为1:100~5:100，高压反应釜的填充度为50~80%，在水热法的基础上施加强度为1~80T（特斯拉）的脉冲磁场，在反应温度为120~400℃条件下，在反应釜中反应2~24小时，得到反应生成物，然后将产物在80~85℃下干燥10~12小时，即可得到锰铜共掺杂ZnO稀磁半导体粉体材料。本发明方法制得的锰铜共掺杂ZnO稀磁半导体粉末材料，纯度高、掺杂均匀、微观结构可控，某些工艺参数条件下制备的锰铜共掺杂ZnO稀磁半导体材料具有室温铁磁性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101486486B
公开(公告)日：2011-11-23
申请号：CN200910046529.6
申请日：2009-02-24
Applicant: 上海大学
IPC: C01G9/02
Abstract: 本发明涉及强磁场下ZnO及其稀磁半导体材料的制备方法及装置，属于(磁性)半导体材料工艺技术领域。本发明方法是采用锌盐、沉淀剂及掺杂金属盐溶液为原料；按照沉淀剂与锌盐的摩尔比为1∶1～12∶1，金属盐与锌盐的摩尔比为0.1∶100～20∶100，高压反应釜的填充度为50～90％，在水热法的基础上施加磁场强度为1～70T(特斯拉)的强磁场，在反应温度为100～400℃条件下，在反应釜中反应0.5～36小时，得到反应生成物，然后将产物在50～400℃下干燥0.5～6小时，即得到ZnO或某种金属离子掺杂的稀磁半导体粉体材料。本发明方法制得的ZnO粉末材料，纯度高、掺杂均匀、微观结构可控，而某些金属离子掺杂制得的ZnO基稀磁半导体粉体材料具有室温铁磁性的。
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公开(公告)号：CN101434418A
公开(公告)日：2009-05-20
申请号：CN200810203984.8
申请日：2008-12-04
Applicant: 上海大学
IPC: C01G51/04
Abstract: 本发明涉及一种在磁场作用下水热法制备Co3O4纳米材料的方法，属于化学化工材料工艺技术领域。本发明方法是采用钴盐、分散剂、沉淀剂、表面活性剂、溶剂做原料；按照沉淀剂与钴盐的摩尔质量比为1∶1～6∶1，填充度为50～85％，在水热法的基础上采用磁场强度为1～100T(特斯拉)，反应温度为100～240℃条件下，在反应釜中反应4～36小时，得到反应生成物，然后将产物在60～80℃真空干燥箱中干燥6～12小时，即制得纳米Co3O4粉体材料。本发明方法制得的Co3O4纳米粉体材料，其晶粒更加细化、分散均匀、纯度很高，没有其他杂质。
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公开(公告)号：CN100376009C
公开(公告)日：2008-03-19
申请号：CN200510111916.5
申请日：2005-12-23
Applicant: 上海大学
CPC classification number: Y02E40/64
Abstract: 本发明涉及一种高密度MgB2超导块材的制备方法。该方法的具体步骤如下：将Mg粉料和B粉料，经研磨后封入钽箔，将钽箔放置于加热管内，并在惰性气氛下，升温至650～950℃，保温0.5～10小时，进行第一次烧结制成MgB2超导材料；将MgB2超导材料研磨成颗粒度为2～3μm的MgB2粉末，再与Mg粉和B粉混合后进行第二次烧结，即得到高密度的MgB2超导块材。本发明方法制得的MgB2超导块材具有细化的晶粒、较大的晶界面积、理想的晶界连接，不存在微裂纹，并且不夹杂有其他的化合物，纯度很高。
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公开(公告)号：CN101016158A
公开(公告)日：2007-08-15
申请号：CN200510111919.9
申请日：2005-12-23
Applicant: 上海大学
CPC classification number: Y02E40/64
Abstract: 本发明涉及一种脉冲磁场作用下制备化学掺杂的MgB2系超导材料的制备方法。本发明方法是采用高纯度的Mg粉和B粉做原料，按规定的化学计量比配料，即Mg∶B＝0.7∶2.0～1.3∶2.0；再按不超过Mg和B粉料总重量的15％加入掺杂物质，在套管法的基础上运用脉冲频率为0.03～0.10赫兹，磁场强度为1～100T(特斯拉)；升温速度为3～30℃/分钟；升温至反应温度600～1000℃后保温10－300分钟；然后将样品随炉冷却，取出样品MgB2，即为化学掺杂的MgB2系超导材料。本发明方法可以制得晶粒细小、晶向排列一致、晶界面积大、晶界间杂质少，结构致密以及超导电性临界电流密度高的低温超导材料。
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公开(公告)号：CN1794366A
公开(公告)日：2006-06-28
申请号：CN200510111917.X
申请日：2005-12-23
Applicant: 上海大学
CPC classification number: Y02E40/64 , Y02E40/641
Abstract: 本发明涉及一种高密度MgB2超导线材的制备方法。该方法的具体步骤如下：将Mg粉料和B粉料，经研磨后封入钽箔，将钽箔放置于加热管内，并在惰性气氛下，升温至650～950℃，保温0.5～10小时，进行第一次烧结制成MgB2超导材料；将MgB2超导材料研磨成颗粒度为2～3μm的MgB2粉末，再与Mg粉和B粉混合后进行第二次烧结，即得到高密度的MgB2超导线材。本发明方法制得的MgB2超导线材具有细化的晶粒、较大的晶界面积、理想的晶界连接，不存在微裂纹，并且不夹杂有其他的化合物，纯度很高。
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