内循环撞击流生物膜流化床反应器

    公开(公告)号:CN101386447B

    公开(公告)日:2011-06-08

    申请号:CN200810201968.5

    申请日:2008-10-30

    Applicant: 上海大学

    CPC classification number: Y02W10/15

    Abstract: 本发明涉及一种内循环撞击流生物膜流化床反应器。它由内循环撞击流吸收器和流化床生物膜反应器部分组成的一体化有机废水处理装置,可应用于生物膜氧化法的不同污水处理。装置的下部是内循环撞击流吸收器,用于强化氧气的吸收,上部是流化床生物膜反应器,用于污水的生物氧化处理,起水污的净化作用。本装置结合了撞击流强化传递、循环流动的停留时间长的特点,在曝气部分用内循环撞击流吸收器取代了传统的鼓泡式曝气装置,强化了氧气的吸收过程,可提高水中的溶解氧含量,提高污水处理效率;循环流动的设置主要依靠流体在挡板不同位置的密度不同及污水进口流向的设置来实现,没有另外增加动力装置,故本装置具有节能高效的优点。

    强磁场下ZnO及其稀磁半导体材料的制备方法与装置

    公开(公告)号:CN101486486B

    公开(公告)日:2011-11-23

    申请号:CN200910046529.6

    申请日:2009-02-24

    Applicant: 上海大学

    Abstract: 本发明涉及强磁场下ZnO及其稀磁半导体材料的制备方法及装置,属于(磁性)半导体材料工艺技术领域。本发明方法是采用锌盐、沉淀剂及掺杂金属盐溶液为原料;按照沉淀剂与锌盐的摩尔比为1∶1~12∶1,金属盐与锌盐的摩尔比为0.1∶100~20∶100,高压反应釜的填充度为50~90%,在水热法的基础上施加磁场强度为1~70T(特斯拉)的强磁场,在反应温度为100~400℃条件下,在反应釜中反应0.5~36小时,得到反应生成物,然后将产物在50~400℃下干燥0.5~6小时,即得到ZnO或某种金属离子掺杂的稀磁半导体粉体材料。本发明方法制得的ZnO粉末材料,纯度高、掺杂均匀、微观结构可控,而某些金属离子掺杂制得的ZnO基稀磁半导体粉体材料具有室温铁磁性的。

    内循环撞击流生物膜流化床反应器

    公开(公告)号:CN101386447A

    公开(公告)日:2009-03-18

    申请号:CN200810201968.5

    申请日:2008-10-30

    Applicant: 上海大学

    CPC classification number: Y02W10/15

    Abstract: 本发明涉及一种内循环撞击流生物膜流化床反应器。它由内循环撞击流吸收器和流化床生物膜反应器部分组成的一体化有机废水处理装置,可应用于生物膜氧化法的不同污水处理。装置的下部是内循环撞击流吸收器,用于强化氧气的吸收,上部是流化床生物膜反应器,用于污水的生物氧化处理,起水污的净化作用。本装置结合了撞击流强化传递、循环流动的停留时间长的特点,在曝气部分用内循环撞击流吸收器取代了传统的鼓泡式曝气装置,强化了氧气的吸收过程,可提高水中的溶解氧含量,提高污水处理效率;循环流动的设置主要依靠流体在挡板不同位置的密度不同及污水进口流向的设置来实现,没有另外增加动力装置,故本装置具有节能高效的优点。

    骨架关节点增强的异常行为识别方法、系统、设备及介质

    公开(公告)号:CN114782998A

    公开(公告)日:2022-07-22

    申请号:CN202210568679.9

    申请日:2022-05-24

    Applicant: 上海大学

    Abstract: 本发明提供一种基于骨架关节点增强时空卷积网络的异常行为识别方法,包括:数据集预处理后生成多帧骨架序列;所述多帧骨架序列输入至若干个连续的时空卷积模块中,进行关节增强并输出时序特征;将所述时序特征输入至全局平均池化层和分类器得到异常行为识别结果。通过空间增强移位模块对各个关节点分配不同程度的权重,突出重要关节点的特征信息。本实施例训练的关节点增强时空卷积模型能有效检测人体异常行为并及时发出警报,该方法在较少计算量的情况下达到较高的准确率和召回率。

    强磁场下ZnO及其稀磁半导体材料的制备方法与装置

    公开(公告)号:CN101486486A

    公开(公告)日:2009-07-22

    申请号:CN200910046529.6

    申请日:2009-02-24

    Applicant: 上海大学

    Abstract: 本发明涉及强磁场下ZnO及其稀磁半导体材料的制备方法及装置,属于(磁性)半导体材料工艺技术领域。本发明方法是采用锌盐、沉淀剂及掺杂金属盐溶液为原料;按照沉淀剂与锌盐的摩尔比为1∶1~12∶1,金属盐与锌盐的摩尔比为0.1∶100~20∶100,高压反应釜的填充度为50~90%,在水热法的基础上施加磁场强度为1~70T(特斯拉)的强磁场,在反应温度为100~400℃条件下,在反应釜中反应0.5~36小时,得到反应生成物,然后将产物在50~400℃下干燥0.5~6小时,即得到ZnO或某种金属离子掺杂的稀磁半导体粉体材料。本发明方法制得的ZnO粉末材料,纯度高、掺杂均匀、微观结构可控,而某些金属离子掺杂制得的ZnO基稀磁半导体粉体材料具有室温铁磁性。

Patent Agency Ranking