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公开(公告)号：CN101245187B
公开(公告)日：2010-06-30
申请号：CN200810032395.8
申请日：2008-01-08
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及一种三氧化钼/聚苯胺层状复合材料的制备方法，该方法先在无水乙酸中合成苯胺单体插层三氧化钼复合物，然后150℃下引发苯胺单体聚合即可得到三氧化钼/聚苯胺层状复合材料。所制备的三氧化钼/聚苯胺层状复合材料具规则有序层状结构，平均层间距为1.127nm，热稳定性较高。特点在于使用十二烷基胺改性后MoO3为中间体，插层过程无需还原钼；单体插层时以无水乙酸为溶剂，整个反应在非水体系中进行；在聚合阶段使用空气为引发剂，不引入其他杂质离子，产物纯度高，提高了产品的品质。
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公开(公告)号：CN102340005A
公开(公告)日：2012-02-01
申请号：CN201110301112.7
申请日：2011-10-09
Applicant: 上海大学
IPC: H01M4/58
Abstract: 本发明属于新能源材料领域，涉及一种硅酸锰锂/石墨烯复合锂离子正极材料的制备方法，按比例将锂盐、锰盐、和正硅酸四乙酯在无水乙醇中混合，Li:Mn:Si:的摩尔比为2：1：1，加入催化剂，搅拌后转入聚四氟乙烯罐中，于80℃反应得到凝胶，将凝胶烘干后研磨成粉末，以丙酮为分散剂球磨，将丙酮蒸干得反应前驱体。将前驱体压片，在氮气氛中450℃下煅烧得到目标产物；将所得产物Li2MnSiO4与石墨烯在水中分散，Li2MnSiO4、石墨烯、水的质量比为2:1:1，将其转入反应釜，140℃水热反应24h，得到Li2MnSiO4/石墨烯复合材料。本发明具有制备工艺简便，成本低廉，得到的复合材料分散性好。硅酸锰锂与石墨烯的复合提高了该材料的导电率。
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公开(公告)号：CN101148266A
公开(公告)日：2008-03-26
申请号：CN200710045913.5
申请日：2007-09-13
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及一种高长径比In2O3纳米线的制造方法，属纳米材料制备工艺技术领域。本发明的特征为在一定的pH条件下，采用草酸作为配位剂，与可溶的铟盐形成配合物，用水热法在一定温度下处理该配合物得到白色的In(OH)3纳米线前驱体，最后在400℃下煅烧该前驱体即可得到最终的产品--In2O3纳米线。用X－射线粉末衍射(XRD)、综合热分析(TG－DSC)、透射电子显微镜(TEM)及扫描电子显微镜(SEM)等表征手段对产品的晶相、形貌以及尺寸等进行分析。分析结果显示用本发明所述的方法可成功制造出立方体心相的In2O3纳米线，其直径为40－60nm，长度为2－10μm。
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公开(公告)号：CN1657416A
公开(公告)日：2005-08-24
申请号：CN200510023569.0
申请日：2005-01-26
Applicant: 上海大学
IPC: C01G15/00
Abstract: 本发明涉及用溶胶凝胶法制造一种立方晶型In2O3纳米棒的方法，属于化学化工技术领域。本发明方法的具体过程和步骤为：用氯化铟溶液，加入一定量的形貌控制剂壬基酚聚氧乙烯十醚，在50－80℃水浴中加热，用恒温磁力搅拌器搅拌约30－50分钟后，用0.1mol·L－1氨水溶液滴定；控制滴定速度，滴至溶液的pH为7时，停止滴定，在室温下静置数小时；用微孔过滤器洗涤过滤，直至用0.1mol·L－1的AgNO3溶液检验无氯离子为止；将上述滤得的溶胶沉淀物，在真空干燥器中80℃温度下干燥2小时，然后在管式炉中500℃热处理1小时，即可得棒状立方晶体型纳米In2O3。本发明用溶胶凝胶法制备In2O3纳米棒，工艺简单易行，容易操作，制得的立方晶形In2O3纳米棒纯度极高，而且产物分散均匀，可用作半导体气敏元件材料。
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公开(公告)号：CN1493526A
公开(公告)日：2004-05-05
申请号：CN03150994.0
申请日：2003-09-16
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及纳米NiO材料的溶胶凝胶制造方法。更具体的，本发明涉及一种通过溶胶凝胶法来制备一种纳米四方晶型NiO粉体或纳米NiO半导体薄膜的制造工艺方法，属化学化工技术领域。本发明的具体制备工艺步骤如下：将醋酸镍溶于无水乙醇中，再将一定量的聚乙二醇溶于去离子水中，并加入少量氨水，调节pH值为7.5－8；将配制好的醋酸镍的乙醇溶液缓慢加入聚乙二醇的水溶液中，高速搅拌，保持溶液均匀，在70℃恒温下，保持4小时，并不断搅拌，反应结束，溶液由翠绿色变成淡绿色，得到均匀稳定的溶胶；再经过滤，干燥，在500℃下煅烧2小时，即可得到纳米NiO粉体。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100534909C
公开(公告)日：2009-09-02
申请号：CN200710047105.2
申请日：2007-10-16
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及一种四棱柱形氧化锡纳米线的制备方法，该方法以Na2SnO3·4H2O为锡源，无水乙醇-去离子水混合溶液为反应溶剂，以氢氧化钠为pH值控制剂，在180～300℃下反应24～72小时即可得到四棱柱形氧化锡纳米线。所制备的氧化锡纳米线为四棱柱形单晶结构，产物形貌均一，氧化锡纳米线直径在～80nm，长度～2.5μm，为典型的金红石结构。特点在于以Na2SnO3·4H2O为锡源，不引入其他杂质离子，产物纯度高；产物无须进行热处理，降低了成本，缩短了制备周期，提高了产品的品质。
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公开(公告)号：CN101398404A
公开(公告)日：2009-04-01
申请号：CN200810201976.X
申请日：2008-10-30
Applicant: 上海大学
IPC: G01N27/407
Abstract: 本发明涉及一种检测新型制冷剂HC－600a的气敏元件的制备方法，属金属氧化物半导体气敏元件的制备工艺技术领域。本发明气敏元件的材料以SnO2－Fe2O3二元纳米复合材料为基础，其中Sn/Fe摩尔比为1～15∶100；通过浸渍法掺杂质量分数为0.1％～1.0％的贵金属元素Au和Ru，得到掺杂的气敏材料，然后将所述气敏材料经研磨后以适量去离子水及聚乙二醇调成糊状，均匀涂敷在氧化铝陶瓷管表面经500℃退火处理2小时，制得检测HC－600a制冷剂气敏元件。本发明制得的气敏元件具有对HC－600a制冷剂气体灵敏度高，对干扰气体选择性好，响应恢复时间短、稳定性好等优点，可用于新型环保制冷剂HC－600a的检漏及异丁烷相关行业的检测领域。
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公开(公告)号：CN1944269A
公开(公告)日：2007-04-11
申请号：CN200610117308.X
申请日：2006-10-19
Applicant: 上海大学
IPC: C01G15/00
Abstract: 本发明涉及一种介孔In2O3粉体材料的制备方法，属化学化工材料制备工艺技术领域。本发明的特征在于通过嵌段共聚物作为超分子模板，无机物为前驱体来制备一种立方晶型的In2O3粉体。本发明的步骤如下：首先将嵌段共聚物PE6800和氯化铟各自用去离子水配制成溶液，随后将两者混合，并滴加入氨水溶液，搅拌混合均匀并使其充分反应，至pH值为7～8，得白色溶胶状溶液。然后进行过滤、洗涤，将得到的白色固体过滤物放入烘箱中，40℃下恒温老化3～5天，然后将其放于管式炉中在500℃下煅烧5小时，最终制得黄色的介孔In2O3粉体材料。
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公开(公告)号：CN1206021C
公开(公告)日：2005-06-15
申请号：CN03150994.0
申请日：2003-09-16
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及一种溶胶凝胶法制造纳米NiO材料的方法。更具体的，本发明涉及一种通过溶胶凝胶法来制备一种纳米四方晶型NiO粉体或纳米NiO半导体薄膜的制造工艺方法，属化学化工技术领域。本发明的具体制备工艺步骤如下：将醋酸镍溶于无水乙醇中，再将一定量的聚乙二醇溶于去离子水中，并加入少量氨水，调节pH值为7.5-8；将配制好的醋酸镍的乙醇溶液缓慢加入聚乙二醇的水溶液中，高速搅拌，保持溶液均匀，在70℃恒温下，保持4小时，并不断搅拌，反应结束，溶液由翠绿色变成淡绿色，得到均匀稳定的溶胶；再经过滤，干燥，在500℃下煅烧2小时，即可得到纳米NiO粉体。
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公开(公告)号：CN101245187A
公开(公告)日：2008-08-20
申请号：CN200810032395.8
申请日：2008-01-08
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及一种三氧化钼/聚苯胺层状复合材料的制备方法，该方法先在无水乙酸中合成苯胺单体插层三氧化钼复合物，然后150℃下引发苯胺单体聚合即可得到三氧化钼/聚苯胺层状复合材料。所制备的三氧化钼/聚苯胺层状复合材料具规则有序层状结构，平均层间距为1.127nm，热稳定性较高。特点在于使用十二烷基胺改性后MoO3为中间体，插层过程无需还原钼；单体插层时以无水乙酸为溶剂，整个反应在非水体系中进行；在聚合阶段使用空气为引发剂，不引入其他杂质离子，产物纯度高，提高了产品的品质。
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