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公开(公告)号：CN101620057B
公开(公告)日：2011-03-30
申请号：CN200910052378.5
申请日：2009-06-02
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及一种基于有序硅基介孔材料SBA-15的石英晶体微天平湿度传感器的制备方法，属湿敏材料及湿度传感器技术领域。本发明采用比表面积大、吸附性能好、孔径均一且尺寸在纳米尺度上可调、结构高度有序的硅基介孔材料SBA-15作为石英晶体微天平(QCM)质量型传感器的湿敏材料，构建湿度传感器。本发明制备的湿度传感器具有湿度量程大(可以在整个相对湿度范围内测量)、湿滞小、响应快、灵敏度高、重复性好、性能稳定、制作工艺简单，材料用量少、抗腐蚀、成本低、易于集成化等特点。本发明不仅为QCM质量型传感器找到了一种很好的湿敏材料，更为有序硅基介孔材料的应用开辟了一个新领域。
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公开(公告)号：CN101734614B
公开(公告)日：2012-08-08
申请号：CN200910200533.3
申请日：2009-12-22
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及一种金属氧化物纳米线/贵金属纳米晶复合材料的制造方法。该方法的具体步骤为：将贵金属纳米晶均匀分散在溶剂中，再滴加到2-巯基乙基磷酸的乙醇溶液中，过夜反应，得到磷酸功能化的贵金属纳米晶溶液；将金属氧化物纳米线加入到该磷酸功能化的贵金属纳米晶溶液中，过夜反应，经过滤，并用乙醇和去离子水洗涤，即得到金属氧化物纳米线/贵金属纳米晶复合材料。本发明方法采用2-巯基乙基磷酸(2-MEPA)作为联结剂，使贵金属纳米晶和金属氧化物纳米线能够通过功能性有机基团结合；通过调节贵金属纳米晶的尺寸及其在金属氧化物纳米线表面分散状态，进而调控金属氧化物纳米线/贵金属纳米晶复合材料的光、电、催化及敏感特性。
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公开(公告)号：CN101620057A
公开(公告)日：2010-01-06
申请号：CN200910052378.5
申请日：2009-06-02
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及一种基于有序硅基介孔材料SBA-15的石英晶体微天平湿度传感器的制备方法，属湿敏材料及湿度传感器技术领域。本发明采用比表面积大、吸附性能好、孔径均一且尺寸在纳米尺度上可调、结构高度有序的硅基介孔材料SBA-15作为石英晶体微天平(QCM)质量型传感器的湿敏材料，构建湿度传感器。本发明制备的湿度传感器具有湿度量程大(可以在整个相对湿度范围内测量)、湿滞小、响应快、灵敏度高、重复性好、性能稳定、制作工艺简单，材料用量少、抗腐蚀、成本低、易于集成化等特点。本发明不仅为QCM质量型传感器找到了一种很好的湿敏材料，更为有序硅基介孔材料的应用开辟了一个新领域。
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公开(公告)号：CN100534908C
公开(公告)日：2009-09-02
申请号：CN200710045913.5
申请日：2007-09-13
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及一种高长径比In2O3纳米线的制造方法，属纳米材料制备工艺技术领域。本发明的特征为在一定的pH条件下，采用草酸作为配位剂，与可溶的铟盐形成配合物，用水热法在一定温度下处理该配合物得到白色的In(OH)3纳米线前驱体，最后在400℃下煅烧该前驱体即可得到最终的产品——In2O3纳米线。用X-射线粉末衍射(XRD)、综合热分析(TG-DSC)、透射电子显微镜(TEM)及扫描电子显微镜(SEM)等表征手段对产品的晶相、形貌以及尺寸等进行分析。分析结果显示用本发明所述的方法可成功制造出立方体心相的In2O3纳米线，其直径为40-60nm，长度为2-10μm。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101140254B
公开(公告)日：2010-08-11
申请号：CN200710047110.3
申请日：2007-10-16
Applicant: 上海大学
IPC: G01N27/12
Abstract: 本发明涉及一种用于提高氧化物半导体材料气敏性能的新方法，其特征是采用贵金属量子点作为催化剂，对氧化物半导体材料进行表面修饰，从而达到提高气体传感器灵敏度和选择性的目的。本发明制作的气体传感器可用于低浓度气体的检测。目前半导体型气体传感器的检测下限为一般为几个ppm左右，很难检测到ppb量级，这样的敏感性能不适用于环境或工业安全等领域的监测。而采用本发明方法制作的气体传感器完全可以满足这方面的要求。
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公开(公告)号：CN101140254A
公开(公告)日：2008-03-12
申请号：CN200710047110.3
申请日：2007-10-16
Applicant: 上海大学
IPC: G01N27/12
Abstract: 本发明涉及一种用于提高氧化物半导体材料气敏性能的新方法，其特征是采用贵金属量子点作为催化剂，对氧化物半导体材料进行表面修饰，从而达到提高气体传感器灵敏度和选择性的目的。本发明制作的气体传感器可用于低浓度气体的检测。目前半导体型气体传感器的检测下限为一般为几个ppm左右，很难检测到ppb量级，这样的敏感性能不适用于环境或工业安全等领域的监测。而采用本发明方法制作的气体传感器完全可以满足这方面的要求。
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公开(公告)号：CN101734614A
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200910200533.3
申请日：2009-12-22
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及一种金属氧化物纳米线/贵金属纳米晶复合材料的制造方法。该方法的具体步骤为：将贵金属纳米晶均匀分散在溶剂中，再滴加到2-巯基乙基磷酸的乙醇溶液中，过夜反应，得到磷酸功能化的贵金属纳米晶溶液；将金属氧化物纳米线加入到该磷酸功能化的贵金属纳米晶溶液中，过夜反应，经过滤，并用乙醇和去离子水洗涤，即得到金属氧化物纳米线/贵金属纳米晶复合材料。本发明方法采用2-巯基乙基磷酸(2-MEPA)作为联结剂，使贵金属纳米晶和金属氧化物纳米线能够通过功能性有机基团结合；通过调节贵金属纳米晶的尺寸及其在金属氧化物纳米线表面分散状态，进而调控金属氧化物纳米线/贵金属纳米晶复合材料的光、电、催化及敏感特性。
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公开(公告)号：CN101148266A
公开(公告)日：2008-03-26
申请号：CN200710045913.5
申请日：2007-09-13
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及一种高长径比In2O3纳米线的制造方法，属纳米材料制备工艺技术领域。本发明的特征为在一定的pH条件下，采用草酸作为配位剂，与可溶的铟盐形成配合物，用水热法在一定温度下处理该配合物得到白色的In(OH)3纳米线前驱体，最后在400℃下煅烧该前驱体即可得到最终的产品--In2O3纳米线。用X－射线粉末衍射(XRD)、综合热分析(TG－DSC)、透射电子显微镜(TEM)及扫描电子显微镜(SEM)等表征手段对产品的晶相、形貌以及尺寸等进行分析。分析结果显示用本发明所述的方法可成功制造出立方体心相的In2O3纳米线，其直径为40－60nm，长度为2－10μm。
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