新型异质集成光源绝热耦合结构
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN119511446A

    公开(公告)日:2025-02-25

    申请号:CN202411831486.3

    申请日:2024-12-12

    Applicant: 上海大学

    Abstract: 本发明公开了一种新型异质集成光源绝热耦合结构,包括有源波导结构和无源波导结构,其特征在于:无源波导结构包括平板硅芯和脊硅芯003,脊硅芯003一端有宽度逐渐变小的无源耦合段011,在无源耦合段011上方叠加有源波导结构002,有源波导结构002的有源耦合段012为楔形。光从无源波导输入进入无源耦合段011,此段脊硅芯003宽度逐渐减小,而有源耦合段012的宽度逐渐增加,在此过程中硅波导与有源波导有效折射率相匹配,部分光信号通过绝热耦合的方式从无源耦合段011进入有源耦合段012中。通过本发明所提出的锥形耦合结构可以实现光在无源硅波导‑异质集成光源有源波导之间的极低损耗传输,有效地降低了两者之间的耦合损耗。

    一种硅基锗跑道型微环光电探测器

    公开(公告)号:CN119277842A

    公开(公告)日:2025-01-07

    申请号:CN202411192975.9

    申请日:2024-08-28

    Applicant: 上海大学

    Abstract: 本发明公开了一种硅基锗跑道型微环光电探测器,包括硅波导层(012),硅波导层(012)上表面有脊型的硅母线波导(001)和跑道型硅微环(006),跑道型硅微环(006)的长轴垂直于硅母线波导(001),跑道型硅微环(006)靠近硅母线波导(001)的部分圆弧段为耦合区(020),跑道型外硅微环(006)两条直线段的上表面有锗吸收层(004)。相较于圆形的Ge‑on‑Si微环结构,跑道型微环只在直线段制备Ge‑on‑Si结构,解决了锗和硅的晶格失配导致的环形锗难以生长、锗层质量差、良品率低的问题,在性能方面,跑道环在仿真中的谐振强度、光强倍增因子等都高于圆形环。

    2μm波段的高质量光生微波实现系统

    公开(公告)号:CN118413273A

    公开(公告)日:2024-07-30

    申请号:CN202410595990.1

    申请日:2024-05-14

    Applicant: 上海大学

    Abstract: 本发明公开了一种2μm波段的高质量光生微波实现系统,包括光源,其特征在于:光源射出的光依次通过光放大器、光隔离器、偏振控制器进入强度调制器,强度调制器中由射频源和直流源驱动。用射频源输出正弦类型的射频调制信号,并用直流源输出直流偏置电压,驱动强度调制器以产生光频梳,将光频梳输入接收端的光电探测器进行光电能量转换得到光生微波。将光生微波技术扩展至2μm波段并利用空芯光子带隙光纤传输,能够获得更高的传输及光电转换效率。仅使用单个强度调制器产生光学频率梳,将光频梳应用于光生微波的合成,利用其天然的相位相干性以及频率间隔稳定性,使其在光电探测器处能够拍频产生高相位噪声性能的高质量光生微波。

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