公开(公告)号：CN119125276A

公开(公告)日：2024-12-13

申请号：CN202411322509.8

申请日：2024-09-23

Applicant: 上海大学

Inventor： 宋世平 ,  赵之涵 ,  陈世兴 ,  王丽华 ,  彭红珍 ,  樊春海

IPC: G01N27/327 ,  G01N27/30

Abstract: 本发明提出了一种检测特定位点5‑羟甲基化胞嘧啶(5‑hydroxymethylcytosine,5hmC)的方法。该方法利用电化学生物传感平台，通过设计半标记引物并特异性扩增生成杂交双链DNA，其中双标记双链DNA能够被捕获并产生电流信号。T7核酸内切酶I能够识别并切割经过氧化+亚硫酸氢盐处理和亚硫酸氢盐处理后产生的DNA杂交中的A‑C错配，从而引起电流信号的减少。电流信号的变化与5hmC的含量正相关。本发明具有高灵敏度，能够在存在10万倍甲基化DNA或未甲基化DNA的情况下检测到10pg的羟甲基化DNA；检测周期短，可在24小时内完成，并且具备单碱基分辨率。

公开(公告)号：CN117637817A

公开(公告)日：2024-03-01

申请号：CN202311696494.7

申请日：2023-12-11

Applicant: 上海大学

Inventor： 张建华 ,  宋世平 ,  任开琳 ,  殷录桥 ,  陆文庆

IPC: H01L29/10 ,  H01L27/085 ,  H01L29/778 ,  H01L21/8252 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明公开了一种单片集成半桥电路结构及其制备方法，涉及单片集成半桥电路技术领域。方法包括：钝化层和设置有沟槽的基体；钝化层设置于基体的上表面；且沟槽内填充有钝化层；基体包括自下而上依次设置的衬底电极、第一P+衬底层、N‑衬底层、第二P+衬底层、缓冲层、GaN沟道层和AlGaN势垒层；第一P+衬底层和N‑衬底层形成第一PN结；N‑衬底层和第二P+衬底层形成第二PN结；沟槽贯穿于AlGaN势垒层、GaN沟道层、缓冲层和第二P+衬底层，且沟槽的底部位于N‑衬底层的内部。本发明通过设置第一P+衬底层、N‑衬底层、第二P+衬底层和沟槽形成双PN结衬底能够降低对衬底电位的依赖性，完成高边管和低边管的隔离。