公开(公告)号：CN103993145A

公开(公告)日：2014-08-20

申请号：CN201410189167.7

申请日：2014-05-06

Applicant: 上海大学

Inventor： 夏爽 ,  金鑫 ,  刘廷光 ,  杨辉 ,  张子龙 ,  周邦新

IPC: C21D8/00

Abstract: 本发明涉及一种提高316、304等奥氏体不锈钢低ΣCSL晶界比例的工艺方法，它是将奥氏体不锈钢在1000℃～1200℃固溶热处理后；在300℃～900℃进行3%～20%的变形；进行再结晶退火，在1000℃～1200℃保温5min～1h，可得到含有高比例低ΣCSL晶界的奥氏体不锈钢。本工艺不需改变材料的成分，也不用添加额外的生产设备，工艺简单，容易实现，具有十分明显的经济效益。

公开(公告)号：CN104593571A

公开(公告)日：2015-05-06

申请号：CN201510022326.9

申请日：2015-01-16

Applicant: 上海大学

Inventor： 夏爽 ,  张子龙 ,  刘廷光 ,  杨辉 ,  赵清 ,  周邦新 ,  白琴

IPC: C21D6/00 ,  C21D8/00 ,  C21D1/26

Abstract: 本发明涉及一种提高316不锈钢耐腐蚀性能的晶界工程工艺方法，它是将316不锈钢在1050～1150℃保温5～60min，水冷后在室温进行变形量为3～15%的加工变形，然后在1020～1150℃保温3～120min进行退火，最后水冷可得较高耐腐蚀性能的316不锈钢。本工艺不仅不需改变材料的成分，而且与现有的同类工艺相比，既不需长时间退火，也不需要反复加工及退火，工艺更加简单，操作容易，具有十分明显的经济效益。

公开(公告)号：CN114584092A

公开(公告)日：2022-06-03

申请号：CN202111532861.0

申请日：2021-12-15

Applicant: 上海大学

Inventor： 张子龙 ,  顾克云 ,  黄健 ,  王林军

IPC: H03H3/007

Abstract: 本发明公开了一种金刚石简谐振子制备的工艺方法，通过离子注入法将高能粒子注入高温高压(HTHP)单晶金刚石(SCD)衬底形成类石墨的损伤层；在HTHP‑SCD衬底上外延生长SCD层，同时类石墨的损伤层转变成石墨改性层；高温高真空退火处理外延生长SCD层和石墨改性层以减少缺陷；光刻工艺在外延SCD层表面制作相应的图形并制备金属掩模版；干法刻蚀工艺和湿法刻蚀工艺相结合刻蚀掉金属掩模版和石墨改性层，形成镂空结构，从而得到金刚石简谐振子。本发明制备的金刚石简谐振子具有非常优异的稳定性和可重复性，可广泛应用于量子器件、化学传感、生物传感、温度探测、质量探测和磁探测等领域。

公开(公告)号：CN105420472A

公开(公告)日：2016-03-23

申请号：CN201510764303.5

申请日：2015-11-11

Applicant: 上海大学

Inventor： 夏爽 ,  张子龙 ,  曹伟 ,  刘廷光 ,  赵清 ,  周邦新 ,  白琴

IPC: C21D8/00

CPC classification number: C21D8/005

Abstract: 本发明公开了一种提高316Lmod不锈钢耐腐蚀性能的晶界工程工艺方法，将316Lmod不锈钢在1050～1150℃保温5～60min，水冷后在室温进行变形量为3～15%的加工变形，然后在1020～1150℃保温3～120min进行退火，最后水冷可得较高耐腐蚀性能的316Lmod不锈钢。本发明工艺方法能显著提高316Lmod不锈钢的低ΣCSL晶界比例，本发明工艺方法不仅不需改变材料的成分，而且与现有的同类工艺相比，既不需长时间退火，也不需要反复加工及退火，工艺更加简单，操作容易，在其它一些低层错能的面心立方金属材料中也可以参照使用，有利于工业生产中的成本控制，容易推广，具有十分明显的经济效益。

公开(公告)号：CN104278138A

公开(公告)日：2015-01-14

申请号：CN201410444680.6

申请日：2014-09-03

Applicant: 上海大学

Inventor： 夏爽 ,  杨辉 ,  张子龙 ,  赵清 ,  刘廷光 ,  周邦新 ,  李慧 ,  白琴

IPC: C21D8/02

Abstract: 本发明涉及一种提高304不锈钢耐腐蚀性能的晶界工程工艺方法，它是将304不锈钢在1050～1150℃保温10～60min，然后水冷；进行3～15%的加工变形；进行退火，在1050～1150℃保温10～120min，然后水冷，可得较高耐腐蚀性能的304不锈钢。本工艺不仅不需改变材料的成分，而且与现有的同类工艺相比，既不需长时间的退火，也不需要反复加工及退火，所以工艺更加简单，容易操作，具有十分明显的经济效益。

公开(公告)号：CN113658852A

公开(公告)日：2021-11-16

申请号：CN202110853195.4

申请日：2021-07-27

Applicant: 上海大学

Inventor： 黄健 ,  顾克云 ,  尚艺 ,  邓洁 ,  刘尊 ,  张志洛 ,  丁可可 ,  张子龙 ,  唐可 ,  王林军

IPC: H01L21/02 ,  H01L31/032 ,  C23C14/02 ,  C23C14/08 ,  C23C14/16 ,  C23C14/34 ,  C23C14/35 ,  C23C14/54 ,  C23C14/58

Abstract: 本发明公开了一种硅基尺寸可控β‑Ga2O3纳米线的制备方法，所述硅基尺寸可控β‑Ga2O3纳米线的制备工艺是：首先在单晶Si(100)衬底上沉积不同厚度的金(Au)催化层，并对催化层进行原位球化退火，得到不同尺寸的Au纳米颗粒，然后进行磁控溅射生长β‑Ga2O3纳米线并原位退火，得到不同尺寸的β‑Ga2O3纳米线。本发明通过调控β‑Ga2O3纳米线的尺寸可得到具有缺陷少、电阻率高、均匀致密等优点的β‑Ga2O3纳米线。本发明制备的不同的尺寸的β‑Ga2O3纳米线在日盲紫外探测器应用中表现出优异的性能，在军事领域可应用于导弹逼近预警系统、紫外通信、紫外成像导航等，在民用领域的汽车尾气检测、火焰检测、指纹检测等方面有广阔的应用前景。