公开(公告)号：CN105070094A

公开(公告)日：2015-11-18

申请号：CN201510537115.9

申请日：2015-08-27

Applicant: 上海仪电电子股份有限公司

Inventor： 于震宇 ,  辛帅 ,  吴剑清

IPC: G08G1/14

Abstract: 本发明涉及车位检测技术领域，尤其涉及一种基于机器视觉的车位检测系统及车位检测方法，通过构建包括车位拍摄模块、嵌入式模块、车位显示模块、云端处理模块和用户交互模块的基于机器视觉的车位检测系统以检测车位，其中，车位拍摄模块拍摄多个车位停车情况的图像信号，嵌入式模块根据图像信号分析判断拍摄到的车位的通车情况并交由显示模块显示，云端处理模块根据嵌入式模块分析判断的车位的停车情况给出停车建议，用户交互界面给用户显示推荐的停车位置，采用本技术方案，高效检测车位并给正在驶向停车场的用户推荐停车位，方便了用户，提高了车位的停车效率。

公开(公告)号：CN105070094B

公开(公告)日：2018-01-02

申请号：CN201510537115.9

申请日：2015-08-27

Applicant: 上海仪电电子股份有限公司

Inventor： 于震宇 ,  辛帅 ,  吴剑清

IPC: G08G1/14

Abstract: 本发明涉及车位检测技术领域，尤其涉及一种基于机器视觉的车位检测系统及车位检测方法，通过构建包括车位拍摄模块、嵌入式模块、车位显示模块、云端处理模块和用户交互模块的基于机器视觉的车位检测系统以检测车位，其中，车位拍摄模块拍摄多个车位停车情况的图像信号，嵌入式模块根据图像信号分析判断拍摄到的车位的通车情况并交由显示模块显示，云端处理模块根据嵌入式模块分析判断的车位的停车情况给出停车建议，用户交互界面给用户显示推荐的停车位置，采用本技术方案，高效检测车位并给正在驶向停车场的用户推荐停车位，方便了用户，提高了车位的停车效率。

公开(公告)号：CN104409341B

公开(公告)日：2017-11-14

申请号：CN201410669080.X

申请日：2014-11-20

Applicant: 上海仪电电子股份有限公司

Inventor： 张永平 ,  辛帅 ,  戴伟忠 ,  舒畅

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/285

Abstract: 本发明涉及电子技术领域，具体涉及一种欧姆接触电极制作方法。碳化硅衬底上制备欧姆接触电极的方法，包括以下步骤：步骤1，准备一设定掺杂浓度的碳化硅衬底；步骤2，于所述碳化硅衬底上光刻欧姆接触图形；步骤3，沉积薄膜层，以形成复合结构；步骤4，去除欧姆接触图形以外区域的薄膜层以得到欧姆接触电极。本发明可以制备出高质量的低阻欧姆接触，使得碳化硅材料大规模用于生产各种功率器件及各种新型传感器芯片成为可能。

公开(公告)号：CN104316771B

公开(公告)日：2017-07-28

申请号：CN201410669159.2

申请日：2014-11-20

Applicant: 上海仪电电子股份有限公司

Inventor： 张永平 ,  辛帅 ,  王浩 ,  王硕

IPC: G01R27/14

Abstract: 本发明涉及电子技术领域，具体涉及一种碳化硅器件的欧姆接触测试方法。步骤1，准备第一预定结构样品和第二预定结构样品，所述第一预定结构样品和所述第二预定结构样品上分别形成多个欧姆接触电极组，每一组所述欧姆接触电极组包括四个呈设定间隔设置的欧姆接触电极，以所述第一预定结构样品作为参考测试样品；步骤2，测试并获得每一组所述欧姆接触电极组的电学性能；步骤3，对所述第一预定结构样品的电学性能和所述第二预定结构样品的电学性能进行对比。本发明用于测试碳化硅器件的欧姆接触，测试准确度高，便于进行对比试验。

公开(公告)号：CN104409341A

公开(公告)日：2015-03-11

申请号：CN201410669080.X

申请日：2014-11-20

Applicant: 上海仪电电子股份有限公司

Inventor： 张永平 ,  辛帅 ,  戴伟忠 ,  舒畅

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/285

CPC classification number: H01L21/28 ,  H01L21/283 ,  H01L21/28506

Abstract: 本发明涉及电子技术领域，具体涉及一种欧姆接触电极制作方法。碳化硅衬底上制备欧姆接触电极的方法，包括以下步骤：步骤1，准备一设定掺杂浓度的碳化硅衬底；步骤2，于所述碳化硅衬底上光刻欧姆接触图形；步骤3，沉积薄膜层，以形成复合结构；步骤4，去除欧姆接触图形以外区域的薄膜层以得到欧姆接触电极。本发明可以制备出高质量的低阻欧姆接触，使得碳化硅材料大规模用于生产各种功率器件及各种新型传感器芯片成为可能。

公开(公告)号：CN104316771A

公开(公告)日：2015-01-28

申请号：CN201410669159.2

申请日：2014-11-20

Applicant: 上海仪电电子股份有限公司

Inventor： 张永平 ,  辛帅 ,  王浩 ,  王硕

IPC: G01R27/14

Abstract: 本发明涉及电子技术领域，具体涉及一种碳化硅器件的欧姆接触测试方法。步骤1，准备第一预定结构样品和第二预定结构样品，所述第一预定结构样品和所述第二预定结构样品上分别形成多个欧姆接触电极组，每一组所述欧姆接触电极组包括四个呈设定间隔设置的欧姆接触电极，以所述第一预定结构样品作为参考测试样品；步骤2，测试并获得每一组所述欧姆接触电极组的电学性能；步骤3，对所述第一预定结构样品的电学性能和所述第二预定结构样品的电学性能进行对比。本发明用于测试碳化硅器件的欧姆接触，测试准确度高，便于进行对比试验。