公开(公告)号：CN104409341B

公开(公告)日：2017-11-14

申请号：CN201410669080.X

申请日：2014-11-20

Applicant: 上海仪电电子股份有限公司

Inventor： 张永平 ,  辛帅 ,  戴伟忠 ,  舒畅

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/285

Abstract: 本发明涉及电子技术领域，具体涉及一种欧姆接触电极制作方法。碳化硅衬底上制备欧姆接触电极的方法，包括以下步骤：步骤1，准备一设定掺杂浓度的碳化硅衬底；步骤2，于所述碳化硅衬底上光刻欧姆接触图形；步骤3，沉积薄膜层，以形成复合结构；步骤4，去除欧姆接触图形以外区域的薄膜层以得到欧姆接触电极。本发明可以制备出高质量的低阻欧姆接触，使得碳化硅材料大规模用于生产各种功率器件及各种新型传感器芯片成为可能。

公开(公告)号：CN104409341A

公开(公告)日：2015-03-11

申请号：CN201410669080.X

申请日：2014-11-20

Applicant: 上海仪电电子股份有限公司

Inventor： 张永平 ,  辛帅 ,  戴伟忠 ,  舒畅

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/285

CPC classification number: H01L21/28 ,  H01L21/283 ,  H01L21/28506

Abstract: 本发明涉及电子技术领域，具体涉及一种欧姆接触电极制作方法。碳化硅衬底上制备欧姆接触电极的方法，包括以下步骤：步骤1，准备一设定掺杂浓度的碳化硅衬底；步骤2，于所述碳化硅衬底上光刻欧姆接触图形；步骤3，沉积薄膜层，以形成复合结构；步骤4，去除欧姆接触图形以外区域的薄膜层以得到欧姆接触电极。本发明可以制备出高质量的低阻欧姆接触，使得碳化硅材料大规模用于生产各种功率器件及各种新型传感器芯片成为可能。