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公开(公告)号：CN119571280A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202411677025.5
申请日：2024-11-22
IPC: C23C14/58 , C23C16/56 , C23C16/455 , C23C14/35 , C23C14/28 , C23C14/54 , C23C16/52 , C23C14/08 , C23C16/40 , H01L21/3105
Abstract: 本发明提供一种铪基薄膜晶体结构的调控方法，包括：提供一衬底；在所述衬底上制备铪基薄膜，通过控制铪基薄膜的制备参数，改变铪基薄膜的应变；对薄膜结构进行热退火，基于铪基薄膜的温度‑应变相图，通过控制退火温度调控铪基薄膜的晶体结构。本发明通过调控铪基薄膜制备过程中的参数向薄膜中引入不同大小的应变，进而通过协同控制退火过程中的温度和铪基薄膜的应变，达到有效、精细调节铪基薄膜的晶体结构的目的，能够实现对材料性能的优化，本发明的调控方法比传统的单一温度或薄膜参数控制更为精确且有效。
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公开(公告)号：CN119360989A
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202411385595.7
申请日：2024-09-30
Abstract: 本发明涉及一种基于第一性原理计算预测二维氧化铪介电性的方法，具体步骤包括：S1，利用晶体结构建模软件切出氧化铪的不同表面，并在c方向添加真空层，得到二维氧化铪薄膜结构；S2，使用密度泛函理论软件计算不同二维结构的表面能，确定能量最低的稳定表面构型；S3，沿稳定晶面构建不同厚度的薄膜结构，使用密度泛函微扰理论方法计算静态和光学介电常数矩阵，分析薄膜厚度对介电常数的影响；S4，手动调整输入文件中的晶格常数a与b，评估晶格畸变对介电性的影响；S5，构建氧化铪与氧化锆生长界面的结构模型，考察界面应力对介电性的影响。与现有技术相比，本发明结合动态随机存储器的器件结构，为提升其电容器性能提供前瞻性的解决方案。
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公开(公告)号：CN101104945A
公开(公告)日：2008-01-16
申请号：CN200710039633.3
申请日：2007-04-19
Applicant: 上海交通大学
IPC: C25D11/12
Abstract: 一种属于材料技术领域的具有厚阻挡层的阳极氧化铝薄膜的制备方法。包括如下第一步氧化：将未经退火和电化学抛光处理的铝箔放入以水或乙二醇为溶剂的酸性电解液中，以恒流或恒压的方式进行第一步阳极氧化，得到多孔阳极氧化铝薄膜；第二步氧化：将第一步阳极氧化制得的多孔阳极氧化铝薄膜在以水或乙二醇为溶剂的中性电解液中以恒流的方式进行第二步阳极氧化，直至达到击穿电压。利用本方法制备的氧化膜具有的高比表面积和厚阻挡层，使其同时拥有较大的静电电容和较高的击穿电压，在高性能铝电解电容器及其它微电子领域有着广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN101104944A
公开(公告)日：2008-01-16
申请号：CN200710039634.8
申请日：2007-04-19
Applicant: 上海交通大学
IPC: C25D11/04
Abstract: 一种材料技术领域的制备方法，具体的是一种有序多孔氧化铝薄膜的制备方法。首先，铝片进行电解抛光；其次，在低电压下预氧化一段时间；随后，缓慢升高氧化电压达到预定的高电压再继续氧化一段时间；最后，为了便于观察氧化膜底部的有序结构，用溶液选择性腐蚀去除铝基体。通过低压下预氧化，以及向草酸电解液中加入乙醇的方法拓宽了操作条件，实现了高电压下稳定氧化而不发生击穿。在较短的氧化时间内得到高度有序的多孔氧化铝薄膜，且孔间距在300nm至360nm范围内精确可控。这种简单高效的制备方法可以大大推动多孔氧化铝模板在工业及纳米材料制备领域的应用。
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公开(公告)号：CN101899644A
公开(公告)日：2010-12-01
申请号：CN201010230837.7
申请日：2010-07-20
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 一种导电材料技术领域的有序多孔氧化铝薄膜及其透明导电玻璃复合基底的制备方法，通过磁控溅射法在透明导电玻璃上分别沉积钛层、钨层和铝层，然后对溅射得到的铝层进行退火热处理和阳极氧化处理，得到多孔阳极氧化铝膜，最后对多孔阳极氧化铝膜进行扩孔与氧化阻挡层的去除，制备得到有序多孔氧化铝薄膜。本发明实现了溅射后铝层的应力消除，增强了铝层、钨层、钛层与透明导电玻璃基底之间的结合力，从而避免了铝阳极氧化时的鼓泡、脱落现象，在透明导电玻璃上制备出高度有序的多孔氧化铝薄膜，且孔径在40-80nm范围内精确可控。
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