公开(公告)号：CN101104945A

公开(公告)日：2008-01-16

申请号：CN200710039633.3

申请日：2007-04-19

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 李东栋 ,  姜传海 ,  蒋建华 ,  王晓燕 ,  任鑫

IPC: C25D11/12

Abstract: 一种属于材料技术领域的具有厚阻挡层的阳极氧化铝薄膜的制备方法。包括如下第一步氧化：将未经退火和电化学抛光处理的铝箔放入以水或乙二醇为溶剂的酸性电解液中，以恒流或恒压的方式进行第一步阳极氧化，得到多孔阳极氧化铝薄膜；第二步氧化：将第一步阳极氧化制得的多孔阳极氧化铝薄膜在以水或乙二醇为溶剂的中性电解液中以恒流的方式进行第二步阳极氧化，直至达到击穿电压。利用本方法制备的氧化膜具有的高比表面积和厚阻挡层，使其同时拥有较大的静电电容和较高的击穿电压，在高性能铝电解电容器及其它微电子领域有着广泛的应用前景。

公开(公告)号：CN101104944A

公开(公告)日：2008-01-16

申请号：CN200710039634.8

申请日：2007-04-19

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 李东栋 ,  姜传海 ,  李萍 ,  任鑫

IPC: C25D11/04

Abstract: 一种材料技术领域的制备方法，具体的是一种有序多孔氧化铝薄膜的制备方法。首先，铝片进行电解抛光；其次，在低电压下预氧化一段时间；随后，缓慢升高氧化电压达到预定的高电压再继续氧化一段时间；最后，为了便于观察氧化膜底部的有序结构，用溶液选择性腐蚀去除铝基体。通过低压下预氧化，以及向草酸电解液中加入乙醇的方法拓宽了操作条件，实现了高电压下稳定氧化而不发生击穿。在较短的氧化时间内得到高度有序的多孔氧化铝薄膜，且孔间距在300nm至360nm范围内精确可控。这种简单高效的制备方法可以大大推动多孔氧化铝模板在工业及纳米材料制备领域的应用。

公开(公告)号：CN101899644A

公开(公告)日：2010-12-01

申请号：CN201010230837.7

申请日：2010-07-20

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 姜传海 ,  任鑫 ,  李东栋

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/18 ,  C23C14/58 ,  C25D11/04 ,  C25D11/24

Abstract: 一种导电材料技术领域的有序多孔氧化铝薄膜及其透明导电玻璃复合基底的制备方法，通过磁控溅射法在透明导电玻璃上分别沉积钛层、钨层和铝层，然后对溅射得到的铝层进行退火热处理和阳极氧化处理，得到多孔阳极氧化铝膜，最后对多孔阳极氧化铝膜进行扩孔与氧化阻挡层的去除，制备得到有序多孔氧化铝薄膜。本发明实现了溅射后铝层的应力消除，增强了铝层、钨层、钛层与透明导电玻璃基底之间的结合力，从而避免了铝阳极氧化时的鼓泡、脱落现象，在透明导电玻璃上制备出高度有序的多孔氧化铝薄膜，且孔径在40-80nm范围内精确可控。