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公开(公告)号：CN119571280A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202411677025.5
申请日：2024-11-22
IPC: C23C14/58 , C23C16/56 , C23C16/455 , C23C14/35 , C23C14/28 , C23C14/54 , C23C16/52 , C23C14/08 , C23C16/40 , H01L21/3105
Abstract: 本发明提供一种铪基薄膜晶体结构的调控方法，包括：提供一衬底；在所述衬底上制备铪基薄膜，通过控制铪基薄膜的制备参数，改变铪基薄膜的应变；对薄膜结构进行热退火，基于铪基薄膜的温度‑应变相图，通过控制退火温度调控铪基薄膜的晶体结构。本发明通过调控铪基薄膜制备过程中的参数向薄膜中引入不同大小的应变，进而通过协同控制退火过程中的温度和铪基薄膜的应变，达到有效、精细调节铪基薄膜的晶体结构的目的，能够实现对材料性能的优化，本发明的调控方法比传统的单一温度或薄膜参数控制更为精确且有效。
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公开(公告)号：CN119392224A
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202411390853.0
申请日：2024-10-08
Applicant: 上海交通大学
IPC: C23C16/52 , G06F30/27 , G16C60/00 , G16C20/10 , C23C16/455 , C23C16/40 , G06F111/06
Abstract: 本发明提供一种基于贝叶斯优化的铪锆氧薄膜工艺参数优化方法及系统，所述方法包括：制备铪锆氧薄膜；获取所述铪锆氧薄膜的性能，并构建铪锆氧薄膜的工艺参数条件与对应性能的数据集；基于所述数据集，采用贝叶斯优化方法对铪锆氧薄膜工艺参数进行优化，包括：依次进行构建代理模型、定义采集函数、迭代优化采集函数、更新代理模型的步骤，重复上述步骤直到满足终止条件；根据贝叶斯优化的结果，确定制备铪锆氧薄膜的最优工艺参数组合。本发明可以快速确定铪锆氧薄膜的最优工艺参数，降低开发半导体工艺的成本。
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公开(公告)号：CN117888079A
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202211225201.2
申请日：2022-10-09
Applicant: 上海交通大学
IPC: C23C16/34 , C23C16/455 , C23C16/52
Abstract: 本发明提供一种原子层沉积制备AlScN薄膜的方法，该方法包括：将衬底放入沉积室；将沉积室抽真空至预设压力后，将沉积室加热，并向沉积室中恒定通入载气；在衬底的表面进行a次AlN沉积循环；进行b次ScN沉积循环；重复a次AlN沉积循环和b次ScN沉积循环的步骤，直至薄膜达到目标厚度，降温后得到Al1‑xScxN薄膜。本发明充分利用原子层沉积工艺表面自限制的生长原理，实现薄膜厚度的原子尺度精准调控，利用AlN和ScN的周期比例调控，实现组分比例的精准调控，利用ALD工艺薄膜的均一性，实现三维结构的集成能力。
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公开(公告)号：CN112941488A
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN202110104485.9
申请日：2021-01-26
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明提供一种基于掺杂过渡金属氮化物温度传感器及其制备方法，包括在制备过渡金属氮化物薄膜的过程中或过渡金属氮化物薄膜制备完成后，向过渡金属氮化物薄膜引入阳离子空位形成掺杂过渡金属氮化物薄膜；并通过调控阳离子空位浓度使掺杂过渡金属氮化物薄膜晶体结构发生相变，得到理想的掺杂过渡金属氮化物薄膜；采用掺杂过渡金属氮化物薄膜通过MEMS加工工艺制备目标温度传感器。本发明提出一种基于掺杂过渡金属氮化物温度传感器的制备方法，提出通过调控空位浓度从而调控温度敏感膜结构、电阻，最终使得温度传感器温区及灵敏度可调，这对开发适用于不同目标温区的电阻式掺杂过渡金属氮化物薄膜温度传感器具有指导意义。
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公开(公告)号：CN117151161A
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202311122907.0
申请日：2023-09-01
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本公开提供一种基于忆容器的储备池计算系统。基于忆容器的储备池计算系统包括：输入掩膜模块，包括掩膜单元，掩膜单元用于对输入信号的振幅进行调制处理，确定振幅正比于输入信号的电压信号；储备池模块，包括储备池单元，每一储备池单元包括一个忆容器，构建基于忆容器的perisach模型，每一基于忆容器的perisach模型的输出端输出忆容器的极化强度，基于忆容器的perisach模型作为储备池网络的节点；输出模块，在储备池网络的训练阶段获取储备池网络的输出权重，在储备池网络的测试阶段将忆容器的极化强度与储备池网络的输出权重进行乘积处理并输出预测结果。通过本公开，采用忆容器构建储备池网络，在提高储备池计算系统的工作效率的同时降低了静态功耗。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112941488B
公开(公告)日：2023-03-10
申请号：CN202110104485.9
申请日：2021-01-26
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明提供一种基于掺杂过渡金属氮化物温度传感器及其制备方法，包括在制备过渡金属氮化物薄膜的过程中或过渡金属氮化物薄膜制备完成后，向过渡金属氮化物薄膜引入阳离子空位形成掺杂过渡金属氮化物薄膜；并通过调控阳离子空位浓度使掺杂过渡金属氮化物薄膜晶体结构发生相变，得到理想的掺杂过渡金属氮化物薄膜；采用掺杂过渡金属氮化物薄膜通过MEMS加工工艺制备目标温度传感器。本发明提出一种基于掺杂过渡金属氮化物温度传感器的制备方法，提出通过调控空位浓度从而调控温度敏感膜结构、电阻，最终使得温度传感器温区及灵敏度可调，这对开发适用于不同目标温区的电阻式掺杂过渡金属氮化物薄膜温度传感器具有指导意义。
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公开(公告)号：CN115332443A
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202211021475.X
申请日：2022-08-24
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明提供一种提高铪基铁电器件耐久性的方法及铪基铁电器件，该方法包括：在衬底上制备铪基薄膜；在所述铪基薄膜上形成金属电极，形成铪基器件；对所述铪基薄膜进行热退火使其结晶具有反铁电特性，得到铪基反铁电薄膜，形成铪基铁电器件；对所述铪基反铁电薄膜施加电场循环，使所述铪基反铁电薄膜在获得剩余极化强度的同时提高耐久性。本发明通过加以电场循环使铪基反铁电薄膜获得剩余极化强度，使其满足剩余极化强度的同时获得更好的耐久性。
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公开(公告)号：CN114551599A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202210133665.4
申请日：2022-02-09
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L27/11502 , H01L27/11514 , G11C11/22
Abstract: 本发明提供一种逻辑和存储功能可重构的铁电晶体管器件，包括控制晶体管和铁电晶体管，所述控制晶体管和铁电晶体管连接；通过调整所述控晶体管，进行所述铁电晶体管的逻辑功能和存储功能的重构。本发明的一种逻辑和存储功能可重构的铁电晶体管，通过设置输铁电晶体管栅极状态和存储状态，可实现输出状态在或非门和反相器之间的重构。
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公开(公告)号：CN119521683A
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202411579559.4
申请日：2024-11-07
Applicant: 上海交通大学
IPC: H10D1/66
Abstract: 本发明提供一种降低SiC‑MOS器件界面态密度的方法及MOS电容，所述方法包括：提供碳化硅衬底；在所述碳化硅衬底上形成二氧化硅氧化层；采用快速退火工艺进行纯氧气退火；采用快速退火工艺进行纯氮气退火；在所述二氧化硅氧化层上形成栅电极；在所述碳化硅衬底的底部形成衬底电极，得到SiC‑MOS电容。本发明通过对二氧化硅(SiO2)/碳化硅(SiC)界面进行低压纯氧气退火、纯氮气退火两步退火工艺，器件具有较低的界面态密度和较高的平带电压稳定性。
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公开(公告)号：CN118448269A
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202410714540.X
申请日：2024-06-04
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 本发明提供一种提升铁电场效应晶体管存储窗口的方法，该方法包括：通过调节铁电场效应晶体管的反铁电层与介电层的电容比例，使介电层与反铁电层的漏电水平在工作电压处相同。本发明可以减少由于介电层与反铁电层其中一侧漏电导致整体击穿的风险，有效消除由于漏电对存储窗口带来的影响，从而将铁电晶体管存储窗口提升至两倍的矫顽电场。
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