-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103411533A
公开(公告)日：2013-11-27
申请号：CN201310338263.9
申请日：2013-08-05
Applicant: 上海交通大学 , 上海汇众汽车车桥系统有限公司
IPC: G01B11/00
Abstract: 一种三维测量领域的结构光自适应多次曝光拍摄法。利用已拍摄结构光条纹图像的质量参数来自动确定下一次拍摄的曝光时间，并判断拍摄何时结束。具体方法是计算结构光条纹图像上位置的质量参数值，用来判断这些位置是否达到理想的曝光质量，并确定下一次拍摄的曝光时间，通过条纹的低质量参数的像素比例判断拍摄是否结束，最后将不同曝光时间下的高质量参数的图像进行数据拼接。本发明可有效克服焊缝表面复杂状况对结构光条纹图像的干扰，获取清晰可靠且无局部数据缺失的结构光条纹图像，从而提高三维测量的精确度和稳定性。
-
公开(公告)号：CN103411533B
公开(公告)日：2015-10-14
申请号：CN201310338263.9
申请日：2013-08-05
Applicant: 上海交通大学 , 上海汇众汽车车桥系统有限公司
IPC: G01B11/00
Abstract: 一种三维测量领域的结构光自适应多次曝光拍摄法。利用已拍摄结构光条纹图像的质量参数来自动确定下一次拍摄的曝光时间，并判断拍摄何时结束。具体方法是计算结构光条纹图像上位置的质量参数值，用来判断这些位置是否达到理想的曝光质量，并确定下一次拍摄的曝光时间，通过条纹的低质量参数的像素比例判断拍摄是否结束，最后将不同曝光时间下的高质量参数的图像进行数据拼接。本发明可有效克服焊缝表面复杂状况对结构光条纹图像的干扰，获取清晰可靠且无局部数据缺失的结构光条纹图像，从而提高三维测量的精确度和稳定性。
-
公开(公告)号：CN105098076B
公开(公告)日：2018-03-09
申请号：CN201510335120.1
申请日：2015-06-16
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 , 上海交通大学
CPC classification number: H01L51/107 , H01L51/0055 , H01L51/0541 , H01L51/0558 , H01L51/105 , H01L2251/303
Abstract: 本发明提供了一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置，该薄膜晶体管包括：有机半导体层和源漏电极层，还包括金属氧化物绝缘层，所述金属氧化物绝缘层设置在所述有机半导体层和所述源漏电极层之间，功函高于所述源漏电极层的功函。本发明提供的薄膜晶体管中，功函较高的金属氧化物绝缘层能够产生界面偶极势垒以降低源漏电极中的载流子进入到有机半导体层中的难度，从而能够减小源漏电极层与半导体层之间的接触电阻，提高薄膜晶体管的电学性能。
-
公开(公告)号：CN105118835A
公开(公告)日：2015-12-02
申请号：CN201510435044.1
申请日：2015-07-22
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 , 上海交通大学
Inventor： 黄维
IPC: H01L27/12 , H01L21/336 , H01L29/786
CPC classification number: H01L27/1292 , H01L27/127 , H01L29/4908 , H01L29/66765 , H01L29/66969
Abstract: 本发明涉及一种阵列基板及其制作方法、显示面板和显示装置，该制作方法包括：在栅绝缘层之上形成源极和漏极；在栅绝缘层和源极与漏极之上形成光刻胶；对光刻胶进行蚀刻形成沟道区，以露出源极和漏极之间的栅绝缘层，以及部分源极和部分漏极；在沟道区形成有源层，以覆盖漏出的栅绝缘层、部分源极和部分漏极。通过本发明的技术方案，可以先形成源极和漏极，然后通过光刻胶形成沟道区，进而在沟道区直接形成有源层，无需对形成有源层的半导体材料进行蚀刻，从而避免对有源层造成损伤。
-
公开(公告)号：CN105098076A
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201510335120.1
申请日：2015-06-16
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 , 上海交通大学
Inventor： 黄维
CPC classification number: H01L51/107 , H01L51/0055 , H01L51/0541 , H01L51/0558 , H01L51/105 , H01L2251/303
Abstract: 本发明提供了一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置，该薄膜晶体管包括：有机半导体层和源漏电极层，还包括金属氧化物绝缘层，所述金属氧化物绝缘层设置在所述有机半导体层和所述源漏电极层之间，功函高于所述源漏电极层的功函。本发明提供的薄膜晶体管中，功函较高的金属氧化物绝缘层能够产生界面偶极势垒以降低源漏电极中的载流子进入到有机半导体层中的难度，从而能够减小源漏电极层与半导体层之间的接触电阻，提高薄膜晶体管的电学性能。
-
-
-
-
Search Results
5
records
(took 0.069 seconds)
