公开(公告)号：CN117554398A

公开(公告)日：2024-02-13

申请号：CN202311525440.4

申请日：2023-11-15

Applicant: 上海交通大学 ,  上海核工程研究设计院股份有限公司 ,  江西天红科技有限公司

Inventor： 钟圣怡 ,  翟昊宇 ,  林皓 ,  尚晓晴 ,  李玲 ,  鲍一晨 ,  刘刚 ,  王世杰 ,  唐熠彬 ,  李浩 ,  刘全山 ,  周伟 ,  张新生 ,  陈玉

IPC: G01N23/20

Abstract: 本发明提供了一种针对六方晶系晶间应力的中子衍射测试方法及系统，包括：步骤S1：确定待测材料的组成相及其晶体结构类型，检测待测材料的织构；步骤S2：确定需检测三维内应力场的待测织构分量及其待测晶面，计算待测织构分量的待测晶面相对待测样品的具体方向关系；步骤S3：中子衍射数据采集，获得所有对应的待测的晶面的中子衍射信号；步骤S4：计算材料不同织构分量的三维内应力场。本发明解决了六方晶系不同织构分量的三维内应力场检测的短板，为诸如镁，钛，锆等六方晶系合金测试不同织构分量的三阶应力张量提供有效的技术指导。

公开(公告)号：CN111489796B

公开(公告)日：2022-06-10

申请号：CN202010215097.3

申请日：2020-03-24

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 钟圣怡 ,  翟昊宇 ,  陈哲 ,  王浩伟

IPC: G16C60/00 ,  G16C20/30 ,  G16C20/70

Abstract: 本发明提供了一种计算材料的中子屏蔽性能的方法、系统及介质，包括：步骤1：对样品进行微观表征，统计样品的微观组织信息；步骤2：根据微观组织信息，计算屏蔽颗粒的个数和基底材料的吸收截面；步骤3：计算复合材料的有效吸收截面；步骤4：将复合材料的有效吸收截面作为基底材料的吸收截面，返回步骤2继续执行，直到计算完所有屏蔽颗粒，得到复合材料的总体中子衰减系数。本发明可以根据材料中所含有多种微观颗粒的尺寸分布，形状，体积分数等信息对材料的中子屏蔽性能的进行定量计算；解决了传统匀质的中子屏蔽性能计算方法中忽略了材料中多种颗粒和相的微观尺寸分布，形状等信息对中子屏蔽性能的影响的问题。

公开(公告)号：CN111489796A

公开(公告)日：2020-08-04

申请号：CN202010215097.3

申请日：2020-03-24

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 钟圣怡 ,  翟昊宇 ,  陈哲 ,  王浩伟

IPC: G16C60/00 ,  G16C20/30 ,  G16C20/70

Abstract: 本发明提供了一种计算材料的中子屏蔽性能的方法、系统及介质，包括：步骤1：对样品进行微观表征，统计样品的微观组织信息；步骤2：根据微观组织信息，计算屏蔽颗粒的个数和基底材料的吸收截面；步骤3：计算复合材料的有效吸收截面；步骤4：将复合材料的有效吸收截面作为基底材料的吸收截面，返回步骤2继续执行，直到计算完所有屏蔽颗粒，得到复合材料的总体中子衰减系数。本发明可以根据材料中所含有多种微观颗粒的尺寸分布，形状，体积分数等信息对材料的中子屏蔽性能的进行定量计算；解决了传统匀质的中子屏蔽性能计算方法中忽略了材料中多种颗粒和相的微观尺寸分布，形状等信息对中子屏蔽性能的影响的问题。

公开(公告)号：CN116380955A

公开(公告)日：2023-07-04

申请号：CN202310296747.5

申请日：2023-03-23

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 钟圣怡 ,  王柏桦 ,  林皓 ,  翟昊宇 ,  盛普聪

IPC: G01N23/207 ,  G01L1/25

Abstract: 本发明提供了一种中子衍射同步检测织构和应力的方法和系统，包括：步骤1：获取各相的晶体结构类型和中子衍射检测织构所需极图数目及晶面；步骤2：进行中子衍射检测，得到材料织构信息；步骤3：获取待测织构分量及待测晶面，计算待测织构分量的待测晶面在对应晶面极图中的具体位置；步骤4：获取检测织构的晶面极图、极图扫描范围及扫描步长；步骤5：进行中子衍射数据采集；步骤6：计算材料不同织构分量的三维内应力场；步骤7：将得到的中子衍射数据投影至晶面极图，并利用晶体结构的对称性及数学过程将其补全为完整的晶面极图。本发明程度降低了织构‑应力同步检测的工作量，提高了织构‑应力同步检测效率。