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公开(公告)号：CN103243383B
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201310172563.4
申请日：2013-05-10
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 一种冷速控制高温超导块体材料的生长方法，包括如下工序：a）制备LRE123相和LRE211相的粉末；b）制备前驱体；c）将籽晶放置在所述前驱体的上表面；d）将所述前驱体和籽晶置于生长炉中，升温至最高温度，并保温；e）快速将温度降低至包晶反应温度，然后以每小时0.5℃～1.0℃的速率降温20-40小时，最后淬火制得超导块体材料。本发明通过控制在超导体块材在生长过程中的降温速度，调整生长过程熔体中的组分，有效抑制包晶反应过程中出现的轻稀土元素和钡元素的替代情况，提高空气下制备的LREBCO超导体的超导性能。
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公开(公告)号：CN103603043A
公开(公告)日：2014-02-26
申请号：CN201310628453.4
申请日：2013-11-29
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明公开了一种嵌入式籽晶生长钙掺杂YBCO准单晶体的方法，包括如下工序：a）制备Y123相的粉末；b）制备嵌入式籽晶的前驱体；c）将嵌入式籽晶的前驱体置于生长炉中进行熔融织构法生长钙掺杂YBCO准单晶体；其中，前驱体按Y123+（0～15）wt%CaCO3+（0.3～1.5）wt%CeO2的比例混合均匀，压制而成的圆柱形前驱体；嵌入式籽晶是指在压制过程中，将籽晶的诱导生长面水平地固定嵌入前驱体的内部。本发明的籽晶嵌入到钙掺杂YBCO前驱体内，有效抑制薄膜籽晶中的稀土元素的溶解和扩散，保证薄膜在高温状态的结构完整，提高薄膜的热稳定性，进而利于钙掺杂YBCO准单晶体的制备。
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公开(公告)号：CN103060914A
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：CN201210514213.7
申请日：2012-12-04
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明公开了一种阶梯型加速缓冷快速生长REBCO高温超导块体的方法，以c轴取向的NdBCO/YBCO/MgO薄膜为籽晶，将薄膜籽晶的ab面接触前驱块体的上表面，将前驱块体和薄膜籽晶置于生长炉中进行熔融结构生长，生长炉的温度程序为：从室温开始经过5h升温至960℃，保温3h；继续加热，升温至最高温度Tmax，保温1～2h；在15min内，降温至起始生长温度Ts；以阶梯型加速缓冷的生长程序，生长REBCO高温超导块体。本发明的一种阶梯型加速缓冷快速生长REBCO高温超导块体的方法，保证了籽晶诱导生长的同时，不会产生自发形核和第二相的富集，而且，逐步提高的降温速率，保证了生长所需的越来越大的驱动力。
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公开(公告)号：CN103603034B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201310548601.1
申请日：2013-11-07
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明公开了一种制备大尺寸高温超导单晶体的方法，包括步骤：（a）将BaCO3粉末和CuO粉末进行配料、湿磨和烧结，获得Ba?Cu?O粉末；（b）将Ba?Cu?O粉末加入到RE2O3坩埚中加热至第一温度，并继续保温，获得RE?Ba?Cu?O溶液，再冷却至第二温度；（c）使用REBCO/MgO薄膜作为籽晶，首先在第二温度的RE?Ba?Cu?O溶液提拉法保温生长10～20小时，然后设置溶液的缓冷速度为0.2～2.0℃/h，所得REBCO单晶体再继续提拉法生长50～100小时。本发明引入生长温度的缓冷工序，持续增加溶液的过饱和度，有利于提高单晶体的生长速度，制备大尺寸REBCO高温超导单晶体。
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公开(公告)号：CN103696009B
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201310693653.8
申请日：2013-12-17
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明公开了一种在空气中制备a轴取向高温超导膜的方法，包括以下步骤：a)制备Ba-Cu-O粉末；b)将Ba-Cu-O先驱粉末加入晶体生长炉中的Y2O3坩埚中，加热至第一温度进行保温，获得Y-Ba-Cu-O溶液；c)在溶液加入Ba-Cu-O先驱粉末，并保温；d)将溶液以第一降温速度降低至第二温度；e)将固定在连接杆的NGO单晶基板作为籽晶材料插入到步骤d)得到的溶液，生长纯a轴取向的YBCO液相外延膜。本发明采用NGO单晶基板作为籽晶，通过控制第二次加入Ba-Cu-O粉末的量以及保温的时间以实现外延生长a轴取向YBCO超导厚膜性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103276447B
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201310242515.8
申请日：2013-06-18
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明公开了一种制备特定混合取向YBCO高温超导厚膜的方法，包括如下工序：1)制备Ba-Cu-O相的先驱粉末；2)将Ba-Cu-O先驱粉末加入到晶体生长炉中的Y2O3坩埚中；加热至第一温度进行保温，获得Y-Ba-Cu-O溶液；3)在高温溶液加入Ba-Cu-O先驱粉末，并保温；4)将溶液以第一降温速度降低至第二温度；5)将固定在连接杆的籽晶材料插入到步骤4)得到的溶液，液相外延生长获得特定混合取向YBCO高温超导厚膜。本发明通过在高温阶段再次加入Ba-Cu-O粉末，使Y-Ba-Cu-O溶液在亚稳区达到较低过饱和度的状态，生长一致取向的混合晶界结构的YBCO液相外延膜，工艺简单，操作方便。
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公开(公告)号：CN103603034A
公开(公告)日：2014-02-26
申请号：CN201310548601.1
申请日：2013-11-07
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明公开了一种制备大尺寸高温超导单晶体的方法，包括步骤：（a）将BaCO3粉末和CuO粉末进行配料、湿磨和烧结，获得Ba-Cu-O粉末；（b）将Ba-Cu-O粉末加入到RE2O3坩埚中加热至第一温度，并继续保温，获得RE-Ba-Cu-O溶液，再冷却至第二温度；（c）使用REBCO/MgO薄膜作为籽晶，首先在第二温度的RE-Ba-Cu-O溶液提拉法保温生长10～20小时，然后设置溶液的缓冷速度为0.2～2.0℃/h，所得REBCO单晶体再继续提拉法生长50～100小时。本发明引入生长温度的缓冷工序，持续增加溶液的过饱和度，有利于提高单晶体的生长速度，制备大尺寸REBCO高温超导单晶体。
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公开(公告)号：CN103541011A
公开(公告)日：2014-01-29
申请号：CN201310534506.6
申请日：2013-10-31
Applicant: 上海交通大学
IPC: C30B29/22
Abstract: 本发明公开了一种生长REBCO高温超导准单晶体的方法，包括如下工序：a）制备RE123相和RE211相的粉末；b）按RE123+（0.3～1.5）wt%CeO2的配比制备第一前驱体；c）按RE123+30mol%RE211+（0.3～1.5）wt%CeO2的配比制备第二前驱体；c）籽晶放置在第二前驱体的上表面，第二前驱体放置在第一前驱体的上表面；d）将工序c）所得样品置于生长炉中进行熔融织构生长高温超导块体。本发明操作简单，通过在第二先驱体内添加RE211相，有效抑制高温熔融状态下薄膜籽晶中稀土元素的溶解和扩散，提高薄膜籽晶的热稳定性，有利于诱导生长REBCO高温超导准单晶体。
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公开(公告)号：CN102925985A
公开(公告)日：2013-02-13
申请号：CN201210352797.2
申请日：2012-09-19
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明公开了一种批量生长REBCO超导块体的方法，在底部加热的生长炉中放置具有上、下两层搁板的支架；制作多个前驱体和小前驱体，将多个前驱体分别放置在两层搁板上，其中，上层搁板上的前驱体的上表面放置有c轴取向的NdBCO/MgO薄膜作为籽晶，下层搁板上的前驱体的上表面放置有小前驱体，小前驱体的上表面放置有c轴取向的NdBCO/MgO薄膜作为籽晶；进行熔融结构生长以得到多个REBCO超导块体。本发明实现了双层批量生产REBCO超导块材，充分地利用了生长炉内部的空间，降低了生产成本。并且，本发明批量生长的REBCO超导块体生长良好，具有均一、稳定的性质。
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公开(公告)号：CN103603043B
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201310628453.4
申请日：2013-11-29
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明公开了一种嵌入式籽晶生长钙掺杂YBCO准单晶体的方法，包括如下工序：a）制备Y123相的粉末；b）制备嵌入式籽晶的前驱体；c）将嵌入式籽晶的前驱体置于生长炉中进行熔融织构法生长钙掺杂YBCO准单晶体；其中，前驱体按Y123+（0～15）wt%CaCO3+（0.3～1.5）wt%CeO2的比例混合均匀，压制而成的圆柱形前驱体；嵌入式籽晶是指在压制过程中，将籽晶的诱导生长面水平地固定嵌入前驱体的内部。本发明的籽晶嵌入到钙掺杂YBCO前驱体内，有效抑制薄膜籽晶中的稀土元素的溶解和扩散，保证薄膜在高温状态的结构完整，提高薄膜的热稳定性，进而利于钙掺杂YBCO准单晶体的制备。
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