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公开(公告)号：CN104790038A
公开(公告)日：2015-07-22
申请号：CN201510246415.1
申请日：2015-05-14
Applicant: 上海交通大学
CPC classification number: C30B29/22 , C30B11/006 , C30B11/14
Abstract: 本发明提供一种REBCO准单晶生长工艺中控制液体流失的方法，该方法采用镶嵌式籽晶的前驱体熔融织构制备REBCO准单晶，在制备工艺过程中，采用Fe2O3粉末作为铁掺杂与CeO2联合掺杂的REBCO准单晶的前驱粉体的组分，制备镶嵌式籽晶的前驱体，将镶嵌式籽晶的前驱体置于生长炉中进行熔融织构生长工艺，获得REBCO准单晶；观察所述REBCO准单晶下方垫片的液体流失情况。本发明易于操作、完全重复可控，与传统的以RE123+1wt%CeO2的比例的制备方式相比，本发明可以有效控制液体流失，减少因液体流失对REBCO准单晶的生长速度及晶体完整性的影响，有利于研发人员进行物性研究及器件的应用开发。
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公开(公告)号：CN102747416B
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：CN201210244120.7
申请日：2012-07-13
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明公开了一种多籽晶诱导生长REBCO超导块体的方法，包括步骤：制备RE123相和RE211相的粉末；制备前驱体；将多个籽晶非等间距地放置在前驱体的上表面，这些籽晶是c轴取向的NdBCO/MgO薄膜，该薄膜与前驱体的上表面相接触的表面是其ab面；将前驱体与多个籽晶置于生长炉中进行熔融结构生长REBCO超导块体，这些籽晶在前驱体上诱导生长REBCO晶体，这些REBCO晶体两两之间在其生长前沿彼此相对的对角处相遇并生长成一个整体。本发明通过合适地安排各个籽晶方向和间距，实现了在REBCO超导块体的生长过程中有效地排除晶界处的残余熔体，从而提高了超导块材的整体性能。
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公开(公告)号：CN104264226A
公开(公告)日：2015-01-07
申请号：CN201410504717.X
申请日：2014-09-26
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明提供了一种铁掺杂的REBCO高温超导准单晶体的制备方法，包括：制备RE123相的粉末；制备前驱体：将RE123相的粉末按RE123+（3~5）mol%Fe2O3+1wt%CeO2的比例均匀混合后，再压制而成的圆柱形前驱体；将籽晶放置在前驱体的上表面；将前驱体和籽晶置于生长炉中进行熔融织构生长高温超导材料。本发明采用顶部籽晶熔融织构制备铁掺杂的REBCO高温超导准单晶体，在制备工艺过程中，只需要将Fe2O3均匀混入前驱体粉末中，压制圆柱状前驱体，方法简单、易于操作、完全重复可控。
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公开(公告)号：CN104164701A
公开(公告)日：2014-11-26
申请号：CN201410382530.7
申请日：2014-08-06
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明公开了一种液相外延制备高温超导膜的方法，该方法包括以下步骤：a.制备Ba-Cu-O粉料；b.对步骤a得到的粉料进行预处理；c.烧结步骤b得到的粉料，制得Ba-Cu-O粉末；d.将步骤c得到的粉末加入到Y2O3材料的坩埚中加热至第一温度，并继续保温，获得Y-Ba-Cu-O溶液；e.将步骤d所得的溶液冷却至第二温度；f.使用LaAlO3单晶基板作为籽晶，将其插入步骤e所得的溶液中，采用顶部籽晶提拉法液相外延生长YBCO超导膜。本发明采用LAO单晶基板作为籽晶，通过控制降温速度和第二温度生长YBCO超导膜，对高温超导器件研发具有重要意义。
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公开(公告)号：CN103603043A
公开(公告)日：2014-02-26
申请号：CN201310628453.4
申请日：2013-11-29
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明公开了一种嵌入式籽晶生长钙掺杂YBCO准单晶体的方法，包括如下工序：a）制备Y123相的粉末；b）制备嵌入式籽晶的前驱体；c）将嵌入式籽晶的前驱体置于生长炉中进行熔融织构法生长钙掺杂YBCO准单晶体；其中，前驱体按Y123+（0～15）wt%CaCO3+（0.3～1.5）wt%CeO2的比例混合均匀，压制而成的圆柱形前驱体；嵌入式籽晶是指在压制过程中，将籽晶的诱导生长面水平地固定嵌入前驱体的内部。本发明的籽晶嵌入到钙掺杂YBCO前驱体内，有效抑制薄膜籽晶中的稀土元素的溶解和扩散，保证薄膜在高温状态的结构完整，提高薄膜的热稳定性，进而利于钙掺杂YBCO准单晶体的制备。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103060914A
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：CN201210514213.7
申请日：2012-12-04
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明公开了一种阶梯型加速缓冷快速生长REBCO高温超导块体的方法，以c轴取向的NdBCO/YBCO/MgO薄膜为籽晶，将薄膜籽晶的ab面接触前驱块体的上表面，将前驱块体和薄膜籽晶置于生长炉中进行熔融结构生长，生长炉的温度程序为：从室温开始经过5h升温至960℃，保温3h；继续加热，升温至最高温度Tmax，保温1～2h；在15min内，降温至起始生长温度Ts；以阶梯型加速缓冷的生长程序，生长REBCO高温超导块体。本发明的一种阶梯型加速缓冷快速生长REBCO高温超导块体的方法，保证了籽晶诱导生长的同时，不会产生自发形核和第二相的富集，而且，逐步提高的降温速率，保证了生长所需的越来越大的驱动力。
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公开(公告)号：CN102747416A
公开(公告)日：2012-10-24
申请号：CN201210244120.7
申请日：2012-07-13
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明公开了一种多籽晶诱导生长REBCO超导块体的方法，包括步骤：制备RE123相和RE211相的粉末；制备前驱体；将多个籽晶非等间距地放置在前驱体的上表面，这些籽晶是c轴取向的NdBCO/MgO薄膜，该薄膜与前驱体的上表面相接触的表面是其ab面；将前驱体与多个籽晶置于生长炉中进行熔融结构生长REBCO超导块体，这些籽晶在前驱体上诱导生长REBCO晶体，这些REBCO晶体两两之间在其生长前沿彼此相对的对角处相遇并生长成一个整体。本发明通过合适地安排各个籽晶方向和间距，实现了在REBCO超导块体的生长过程中有效地排除晶界处的残余熔体，从而提高了超导块材的整体性能。
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公开(公告)号：CN104178808B
公开(公告)日：2017-01-25
申请号：CN201410382526.0
申请日：2014-08-06
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明公开了一种制备高温超导人工晶界的液相外延方法，包括以下步骤：(a)制备Ba-Cu-O先驱粉末；(b)将Ba-Cu-O先驱粉末加入到晶体生长炉中的Y2O3坩埚，加热至第一温度进行保温，获得Y-Ba-Cu-O溶液；(c)在溶液中再次加入Ba-Cu-O先驱粉末，并保温；(d)将溶液以第一降温速度降低至第二温度；(e)将固定在连接杆上特定结构的YBCO/NGO基板作为籽晶材料插入到步骤(d)得到的溶液，生长a/c轴取向的YBCO人工晶界。本发明采用YBCO/NGO基板作为籽晶，通过控制第二次加入Ba-Cu-O粉末的量以及保温的时
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公开(公告)号：CN104120490B
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201410373565.4
申请日：2014-07-31
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明公开了一种用于制备a轴取向高温超导膜的方法，包括以下步骤：a)制备Ba‑Cu‑O粉末；b)将Ba‑Cu‑O先驱粉末加入晶体生长炉中的Y2O3坩埚中，加热至第一温度进行保温，获得Y‑Ba‑Cu‑O溶液；c)将溶液以第一降温速度降低至第二温度；d)将溶液以第一升温速度从第二温度升高至第三温度；e)将固定在连接杆的NGO单晶基板作为籽晶材料插入到步骤d)得到的溶液，生长纯a轴取向的YBCO液相外延膜。本发明采用NGO单晶基板作为籽晶，通过控制第一降温速度、第二温度、第一升温速度以及第三温度以实现外延生长a轴取向YBCO超导厚膜。
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公开(公告)号：CN103526283B
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201310533809.6
申请日：2013-10-31
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明公开了一种制备纯a轴取向的YBCO液相外延膜的方法，包括如下工序：1)制备Ba-Cu-O先驱粉末；2)将Ba-Cu-O先驱粉末加入晶体生长炉中的Y2O3坩埚中，加热至第一温度进行保温，获得Y-Ba-Cu-O溶液；3)在溶液加入Ba-Cu-O先驱粉末，并保温；4)将溶液以第一降温速度降低至第二温度；5)将固定在连接杆的NGO单晶基板作为籽晶材料快速插入到步骤4)得到的溶液，生长纯a轴取向的YBCO液相外延膜。本发明通过选取特定割切方向的NGO单晶基板、控制溶液的过饱和度等方式来液相外延生长纯a轴取向的YBCO混合晶界结构的超导厚膜，工艺简单，操作方便。
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