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公开(公告)号：CN103628137A
公开(公告)日：2014-03-12
申请号：CN201310629299.2
申请日：2013-11-29
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明公开了一种制备钙掺杂的REBCO高温超导准单晶体的方法，包括如下工序：a）制备RE123相的粉末；b）制备前驱体；c）将籽晶放置在前驱体的上表面；d）将前驱体和籽晶置于生长炉中进行熔融织构生长高温超导材料；其中，工序b）中的前驱体为工序a）获得的RE123相的粉末按RE123+（0～15）wt%CaCO3+（0.3～1.5）wt%CeO2的比例混合均匀，压制而成的圆柱形前驱体。本发明采用顶部籽晶熔融织构制备钙掺杂的REBCO高温超导准单晶体，在制备工艺过程中，只需要将CaCO3均匀混入前驱体粉末中，压制圆柱状前驱体，方法简单、易于操作、完全重复可控。
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公开(公告)号：CN103628137B
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201310629299.2
申请日：2013-11-29
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明公开了一种制备钙掺杂的REBCO高温超导准单晶体的方法，包括如下工序：a）制备RE123相的粉末；b）制备前驱体；c）将籽晶放置在前驱体的上表面；d）将前驱体和籽晶置于生长炉中进行熔融织构生长高温超导材料；其中，工序b）中的前驱体为工序a）获得的RE123相的粉末按RE123+（0～15）wt%CaCO3+（0.3～1.5）wt%CeO2的比例混合均匀，压制而成的圆柱形前驱体。本发明采用顶部籽晶熔融织构制备钙掺杂的REBCO高温超导准单晶体，在制备工艺过程中，只需要将CaCO3均匀混入前驱体粉末中，压制圆柱状前驱体，方法简单、易于操作、完全重复可控。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103541011B
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201310534506.6
申请日：2013-10-31
Applicant: 上海交通大学
IPC: C30B29/22
Abstract: 本发明公开了一种生长REBCO高温超导准单晶体的方法，包括如下工序：a）制备RE123相和RE211相的粉末；b）按RE123+（0.3～1.5）wt%CeO2的配比制备第一前驱体；c）按RE123+30mol%RE211+（0.3～1.5）wt%CeO2的配比制备第二前驱体；c）籽晶放置在第二前驱体的上表面，第二前驱体放置在第一前驱体的上表面；d）将工序c）所得样品置于生长炉中进行熔融织构生长高温超导块体。本发明操作简单，通过在第二先驱体内添加RE211相，有效抑制高温熔融状态下薄膜籽晶中稀土元素的溶解和扩散，提高薄膜籽晶的热稳定性，有利于诱导生长REBCO高温超导准单晶体。
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公开(公告)号：CN103603034B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201310548601.1
申请日：2013-11-07
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明公开了一种制备大尺寸高温超导单晶体的方法，包括步骤：（a）将BaCO3粉末和CuO粉末进行配料、湿磨和烧结，获得Ba?Cu?O粉末；（b）将Ba?Cu?O粉末加入到RE2O3坩埚中加热至第一温度，并继续保温，获得RE?Ba?Cu?O溶液，再冷却至第二温度；（c）使用REBCO/MgO薄膜作为籽晶，首先在第二温度的RE?Ba?Cu?O溶液提拉法保温生长10～20小时，然后设置溶液的缓冷速度为0.2～2.0℃/h，所得REBCO单晶体再继续提拉法生长50～100小时。本发明引入生长温度的缓冷工序，持续增加溶液的过饱和度，有利于提高单晶体的生长速度，制备大尺寸REBCO高温超导单晶体。
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公开(公告)号：CN103882513A
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201410119439.6
申请日：2014-03-27
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明公开了一种生长钙掺杂REBCO高温超导准单晶体的方法，包括如下工序：a）制备RE123相粉末；b）按RE123+（1～15）wt.%CaCO3+（0.3～1.5）wt%CeO2的配比制备第一前驱体；c）按RE123+（0.3～1.5）wt%CeO2的配比制备第二前驱体；c）籽晶放置在第一前驱体的上表面，第一前驱体放置在第二前驱体的上表面；d）将工序c）所得样品置于生长炉中进行熔融织构生长高温超导块体。本发明操作简单，通过添加第二前驱体，有效抑制高温熔融状态下Ba-Cu-O液体的流失，有利于诱导生长长满的钙掺杂的REBCO高温超导准单晶体。
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公开(公告)号：CN103603034A
公开(公告)日：2014-02-26
申请号：CN201310548601.1
申请日：2013-11-07
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明公开了一种制备大尺寸高温超导单晶体的方法，包括步骤：（a）将BaCO3粉末和CuO粉末进行配料、湿磨和烧结，获得Ba-Cu-O粉末；（b）将Ba-Cu-O粉末加入到RE2O3坩埚中加热至第一温度，并继续保温，获得RE-Ba-Cu-O溶液，再冷却至第二温度；（c）使用REBCO/MgO薄膜作为籽晶，首先在第二温度的RE-Ba-Cu-O溶液提拉法保温生长10～20小时，然后设置溶液的缓冷速度为0.2～2.0℃/h，所得REBCO单晶体再继续提拉法生长50～100小时。本发明引入生长温度的缓冷工序，持续增加溶液的过饱和度，有利于提高单晶体的生长速度，制备大尺寸REBCO高温超导单晶体。
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公开(公告)号：CN103541011A
公开(公告)日：2014-01-29
申请号：CN201310534506.6
申请日：2013-10-31
Applicant: 上海交通大学
IPC: C30B29/22
Abstract: 本发明公开了一种生长REBCO高温超导准单晶体的方法，包括如下工序：a）制备RE123相和RE211相的粉末；b）按RE123+（0.3～1.5）wt%CeO2的配比制备第一前驱体；c）按RE123+30mol%RE211+（0.3～1.5）wt%CeO2的配比制备第二前驱体；c）籽晶放置在第二前驱体的上表面，第二前驱体放置在第一前驱体的上表面；d）将工序c）所得样品置于生长炉中进行熔融织构生长高温超导块体。本发明操作简单，通过在第二先驱体内添加RE211相，有效抑制高温熔融状态下薄膜籽晶中稀土元素的溶解和扩散，提高薄膜籽晶的热稳定性，有利于诱导生长REBCO高温超导准单晶体。
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