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公开(公告)号：CN102719792A
公开(公告)日：2012-10-10
申请号：CN201210199801.6
申请日：2012-06-18
Applicant: 上海交通大学 , 上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司
Abstract: 本发明公开一种运用磁控溅射法制备透明导电薄膜的方法，该方法利用磁控溅射方法，室温下在清洗干净的基片上依次沉积Zn1-xCuxO膜、Cu膜、Zn1-xCuxO膜，得到Zn1-xCuxO/Cu/Zn1-xCuxO透明导电薄膜；通过改变溅射功率和溅射时间改变Zn1-xCuxO膜和Cu膜的厚度，最终可得到电阻率小于10-3Ω·cm，透光率大于80%的透明导电薄膜，可用于太阳能电池、平板显示器等领域。由于磁控溅射法具有设备简单、价格便宜、成膜均匀、可用于大面积制膜等优点，该制备方法可在工业化生产中的得到广泛应用。
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公开(公告)号：CN102277570A
公开(公告)日：2011-12-14
申请号：CN201110239699.3
申请日：2011-08-19
Applicant: 上海交通大学 , 上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司
Abstract: 本发明公开一种光电材料技术领域的ZnO/Cu/ZnO透明导电薄膜的制备方法，通过在基片上依次进行原子层沉积ZnO薄膜，磁控溅射沉积Cu中间层，原子层沉积ZnO薄膜。利用ZnO良好的光电特性和Cu的低电阻率，加入Cu中间层，形成ZnO/Cu/ZnO的三明治结构。由于Cu的掺入，载流子浓度增加，薄膜的导电性能有了很大的提高，电阻率可低至8.6×10-5Ω·cm，同时可见光透过率高，可达80%以上；且由于原子层沉积为自限制反应，薄膜的均匀性极好。
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公开(公告)号：CN101921984A
公开(公告)日：2010-12-22
申请号：CN201010282390.8
申请日：2010-09-15
Applicant: 上海交通大学 , 上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司
Abstract: 一种纳米表面处理技术领域的基于MoS2-TiC-C的自润滑减摩复合薄膜及其制备方法，通过在不锈钢基片溅射纯钛或纯镍后进一步进行反应磁控溅射制备得到MoS2-TiC-C复合薄膜。本发明制备工艺简单，沉积过程易于控制，沉积后的复合薄膜无需进行热处理，可直接作为机械零部件表面的减摩防护薄膜使用。本工艺制备所得的复合薄膜硬度高，纳米硬度达到7.6GPa，抗磨减摩性能优异，摩擦系数可达到0.04，经摩擦磨损测试后薄膜表面未见磨穿脱落现象。
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公开(公告)号：CN100339309C
公开(公告)日：2007-09-26
申请号：CN200510028674.3
申请日：2005-08-11
Applicant: 上海交通大学
IPC: C01G39/06
Abstract: 一种材料技术领域的无机类富勒烯结构二硫化钼的制备方法，用四硫代钼酸铵为原料，将四硫代钼酸铵水溶液用喷雾干燥的方法干燥，制得三硫化钼超细前驱颗粒，而后将三硫化钼颗粒在氢气和氩气混合气体的环境下加热，三硫化钼被还原为富勒烯结构二硫化钼颗粒。本发明通过简单有效的化学合成方法制备了宏量的无机类富勒烯二硫化钼颗粒，方法简单快速，粒度便于控制，为其在摩擦学和其他方面的广泛应用提供了可能。
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公开(公告)号：CN1752023A
公开(公告)日：2006-03-29
申请号：CN200510028674.3
申请日：2005-08-11
Applicant: 上海交通大学
IPC: C01G39/06
Abstract: 一种材料技术领域的无机类富勒烯结构二硫化钼的制备方法，用四硫代钼酸铵为原料，将四硫代钼酸铵水溶液用喷雾干燥的方法干燥，制得三硫化钼超细前驱颗粒，而后将三硫化钼颗粒在氢气和氩气混合气体的环境下加热，三硫化钼被还原为富勒烯结构二硫化钼颗粒。本发明通过简单有效的化学合成方法制备了宏量的无机类富勒烯二硫化钼颗粒，方法简单快速，粒度便于控制，为其在摩擦学和其他方面的广泛应用提供了可能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102899701B
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201210337502.4
申请日：2012-09-13
Applicant: 上海交通大学 , 上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司
Abstract: 本发明公开一种Al2O3陶瓷基底上TiO2纳米管有序阵列的制备，该方法包括：（1）使用磁控溅射方法在Al2O3陶瓷片上溅射一层纯钛膜；（2）配置阳极氧化溶液；（3）将溅射有钛膜的Al2O3陶瓷片进行阳极氧化，获得高度有序的TiO2纳米管阵列。该方法克服必须使用钛片或者钛箔制备高度有序纳米管的缺陷，而是使用磁控溅射的方法获得很薄的一层钛膜，并对此进行阳极氧化而获得高度有序的TiO2纳米管阵列。本发明操作简便，反应条件温和，并且磁控溅射方法价格便宜、成膜均匀，可用于大面积制备薄膜，适用于工业化生产。
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公开(公告)号：CN103318943A
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：CN201310224302.2
申请日：2013-06-05
Applicant: 上海交通大学 , 上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司
Abstract: 本发明公开一种花状ZnO纳米棒团簇的制备方法，该方法包括：(1)使用磁控溅射技术在Al2O3陶瓷片上溅射一层纯ZnO薄膜；(2)配置生长花状ZnO纳米棒团簇的溶液；(3)将溅射有ZnO薄膜的Al2O3陶瓷片放在所配置溶液中，在烘箱中分两步进行化学溶解，获得花状ZnO纳米棒簇。该制备方法能够成功制得花状的ZnO纳米棒团簇，获得产物具有花状形貌以及高的比表面积和稳定性。本发明操作简便，反应条件温和，可用于大面积制备ZnO纳米棒团簇，适用于工业化生产。
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公开(公告)号：CN102817006A
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：CN201210308708.4
申请日：2012-08-28
Applicant: 上海交通大学 , 上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司
Abstract: 本发明公开一种利用磁控溅射对原子力显微镜探针进行金膜修饰的方法，该方法利用磁控溅射法，室温下在清洗干净的原子力显微镜探针（硅或氮化硅）上依次沉积Cr膜和Au膜；通过改变溅射时间改变Cr膜和Au膜的厚度，最终可得到表面覆有3~20nm铬膜和30~100nm金膜的原子力显微镜探针；可用于微观科学等领域。由于磁控溅射法具有设备简单、成膜均匀、沉积速度快、可用于大面积制膜等优点，该制备方法可在工业化生产中的得到广泛应用。
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公开(公告)号：CN101550535A
公开(公告)日：2009-10-07
申请号：CN200910050734.X
申请日：2009-05-07
Applicant: 上海交通大学 , 上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司
Abstract: 一种纳米复合薄膜技术领域的复合金属硫化物类金刚石复合薄膜的制备方法，包括：基片抛光洗净烘干；中间层溅射处理；通入乙炔气体；金属硫化物复合靶溅射处理；本发明方法制备获得的复合薄膜具有优异减摩性能以及良好耐磨性能的复合薄膜，制备工艺简单，沉积过程易于控制，薄膜沉积后无需进行热处理，可直接作为机械零部件表面的减摩防护薄膜使用。
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公开(公告)号：CN100387750C
公开(公告)日：2008-05-14
申请号：CN200510030259.1
申请日：2005-09-30
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 一种固体润滑技术领域的磁控溅射制备减摩IF-WS2/IF-MoS2复合薄膜的方法。本发明采用IF-WS2靶材与IF-MoS2共溅射，通过调节二者的功率，溅射气压、偏压制备出减摩IF-WS2/IF-MoS2复合薄膜，具体工艺参数为：气压为0.1～1Pa，电源功率为100～300W，基体的偏压为-100V。由于复合薄膜中IF-WS2和IF-MoS2两种固体润滑剂，由于结构相同，晶格常数接近而发生特殊的物理化学作用，使得该减摩复合薄膜在大气和真空环境都具有低的摩擦系数，具有较高的耐潮湿、抗氧化性能和很高的耐磨性能，同时由于溅射有金属Ni中间层，使得薄膜基底有较高的结合力，可用于制造在真空和潮湿空气中交叉使用的轴承、陀螺仪和齿轮等零部件表面的减摩防护薄膜。
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