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公开(公告)号：CN103318943B
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201310224302.2
申请日：2013-06-05
Applicant: 上海交通大学 , 上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司
Abstract: 本发明公开一种花状ZnO纳米棒团簇的制备方法，该方法包括：(1)使用磁控溅射技术在Al2O3陶瓷片上溅射一层纯ZnO薄膜；(2)配置生长花状ZnO纳米棒团簇的溶液；(3)将溅射有ZnO薄膜的Al2O3陶瓷片放在所配置溶液中，在烘箱中分两步进行化学溶解，获得花状ZnO纳米棒簇。该制备方法能够成功制得花状的ZnO纳米棒团簇，获得产物具有花状形貌以及高的比表面积和稳定性。本发明操作简便，反应条件温和，可用于大面积制备ZnO纳米棒团簇，适用于工业化生产。
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公开(公告)号：CN102817006B
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：CN201210308708.4
申请日：2012-08-27
Applicant: 上海交通大学 , 上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司
Abstract: 本发明公开一种利用磁控溅射对原子力显微镜探针进行金膜修饰的方法，该方法利用磁控溅射法，室温下在清洗干净的原子力显微镜探针（硅或氮化硅）上依次沉积Cr膜和Au膜；通过改变溅射时间改变Cr膜和Au膜的厚度，最终可得到表面覆有3～20nm铬膜和30～100nm金膜的原子力显微镜探针；可用于微观科学等领域。由于磁控溅射法具有设备简单、成膜均匀、沉积速度快、可用于大面积制膜等优点，该制备方法可在工业化生产中的得到广泛应用。
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公开(公告)号：CN102899701A
公开(公告)日：2013-01-30
申请号：CN201210337502.4
申请日：2012-09-13
Applicant: 上海交通大学 , 上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司
Abstract: 本发明公开一种Al2O3陶瓷基底上TiO2纳米管有序阵列的制备，该方法包括：（1）使用磁控溅射方法在Al2O3陶瓷片上溅射一层纯钛膜；（2）配置阳极氧化溶液；（3）将溅射有钛膜的Al2O3陶瓷片进行阳极氧化，获得高度有序的TiO2纳米管阵列。该方法克服必须使用钛片或者钛箔制备高度有序纳米管的缺陷，而是使用磁控溅射的方法获得很薄的一层钛膜，并对此进行阳极氧化而获得高度有序的TiO2纳米管阵列。本发明操作简便，反应条件温和，并且磁控溅射方法价格便宜、成膜均匀，可用于大面积制备薄膜，适用于工业化生产。
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公开(公告)号：CN102899701B
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201210337502.4
申请日：2012-09-13
Applicant: 上海交通大学 , 上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司
Abstract: 本发明公开一种Al2O3陶瓷基底上TiO2纳米管有序阵列的制备，该方法包括：（1）使用磁控溅射方法在Al2O3陶瓷片上溅射一层纯钛膜；（2）配置阳极氧化溶液；（3）将溅射有钛膜的Al2O3陶瓷片进行阳极氧化，获得高度有序的TiO2纳米管阵列。该方法克服必须使用钛片或者钛箔制备高度有序纳米管的缺陷，而是使用磁控溅射的方法获得很薄的一层钛膜，并对此进行阳极氧化而获得高度有序的TiO2纳米管阵列。本发明操作简便，反应条件温和，并且磁控溅射方法价格便宜、成膜均匀，可用于大面积制备薄膜，适用于工业化生产。
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公开(公告)号：CN103318943A
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：CN201310224302.2
申请日：2013-06-05
Applicant: 上海交通大学 , 上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司
Abstract: 本发明公开一种花状ZnO纳米棒团簇的制备方法，该方法包括：(1)使用磁控溅射技术在Al2O3陶瓷片上溅射一层纯ZnO薄膜；(2)配置生长花状ZnO纳米棒团簇的溶液；(3)将溅射有ZnO薄膜的Al2O3陶瓷片放在所配置溶液中，在烘箱中分两步进行化学溶解，获得花状ZnO纳米棒簇。该制备方法能够成功制得花状的ZnO纳米棒团簇，获得产物具有花状形貌以及高的比表面积和稳定性。本发明操作简便，反应条件温和，可用于大面积制备ZnO纳米棒团簇，适用于工业化生产。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102817006A
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：CN201210308708.4
申请日：2012-08-28
Applicant: 上海交通大学 , 上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司
Abstract: 本发明公开一种利用磁控溅射对原子力显微镜探针进行金膜修饰的方法，该方法利用磁控溅射法，室温下在清洗干净的原子力显微镜探针（硅或氮化硅）上依次沉积Cr膜和Au膜；通过改变溅射时间改变Cr膜和Au膜的厚度，最终可得到表面覆有3~20nm铬膜和30~100nm金膜的原子力显微镜探针；可用于微观科学等领域。由于磁控溅射法具有设备简单、成膜均匀、沉积速度快、可用于大面积制膜等优点，该制备方法可在工业化生产中的得到广泛应用。
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公开(公告)号：CN103334141B
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201310222210.0
申请日：2013-06-05
Applicant: 上海交通大学 , 上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司
Abstract: 本发明公开一种双稀土掺杂TiO2纳米管有序阵列的制备方法，该方法包括：（1）使用磁控溅射方法在Al2O3陶瓷片上溅射一层纯钛膜；（2）将溅射有钛膜的Al2O3陶瓷片进行阳极氧化，获得高度有序的TiO2纳米管阵列；（3）将TiO2纳米管阵列的陶瓷片浸泡在双稀土溶液中，利用水热法进行离子掺杂。该方法克服必须使用钛片或者钛箔制备高度有序纳米管的缺陷，并且能够将双稀土离子成功负载在二氧化钛纳米管的内部或表面，大幅度提高TiO2的光催化性能。本发明操作简便，反应条件温和，产物性质稳定，并且磁控溅射方法价格便宜、成膜均匀，可用于大面积制备薄膜，适用于工业化生产。
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公开(公告)号：CN103334141A
公开(公告)日：2013-10-02
申请号：CN201310222210.0
申请日：2013-06-05
Applicant: 上海交通大学 , 上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司
Abstract: 本发明公开一种双稀土掺杂TiO2纳米管有序阵列的制备方法，该方法包括：（1）使用磁控溅射方法在Al2O3陶瓷片上溅射一层纯钛膜；（2）将溅射有钛膜的Al2O3陶瓷片进行阳极氧化，获得高度有序的TiO2纳米管阵列；（3）将TiO2纳米管阵列的陶瓷片浸泡在双稀土溶液中，利用水热法进行离子掺杂。该方法克服必须使用钛片或者钛箔制备高度有序纳米管的缺陷，并且能够将双稀土离子成功负载在二氧化钛纳米管的内部或表面，大幅度提高TiO2的光催化性能。本发明操作简便，反应条件温和，产物性质稳定，并且磁控溅射方法价格便宜、成膜均匀，可用于大面积制备薄膜，适用于工业化生产。
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公开(公告)号：CN102719792A
公开(公告)日：2012-10-10
申请号：CN201210199801.6
申请日：2012-06-18
Applicant: 上海交通大学 , 上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司
Abstract: 本发明公开一种运用磁控溅射法制备透明导电薄膜的方法，该方法利用磁控溅射方法，室温下在清洗干净的基片上依次沉积Zn1-xCuxO膜、Cu膜、Zn1-xCuxO膜，得到Zn1-xCuxO/Cu/Zn1-xCuxO透明导电薄膜；通过改变溅射功率和溅射时间改变Zn1-xCuxO膜和Cu膜的厚度，最终可得到电阻率小于10-3Ω·cm，透光率大于80%的透明导电薄膜，可用于太阳能电池、平板显示器等领域。由于磁控溅射法具有设备简单、价格便宜、成膜均匀、可用于大面积制膜等优点，该制备方法可在工业化生产中的得到广泛应用。
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公开(公告)号：CN103539941B
公开(公告)日：2016-04-27
申请号：CN201310437617.5
申请日：2013-09-24
Applicant: 上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司
Abstract: 本发明属于材料化学技术领域，涉及一种纳米SnO2负载聚α-萘胺纳米管气敏传感材料的化学制备方法。将α-萘胺单体、水溶性亚锡盐和模板剂加入去离子水中搅拌形成乳液，然后另取引发剂溶于另一盛有去离子水的烧杯中，再以两秒每滴的速度加入之前配制的乳液中，反应结束后经洗涤干燥得到纳米SnO2修饰的聚α-萘胺纳米管。本发明原料廉价，可在常温下将结晶良好的SnO2均匀修饰负载于聚α-萘胺纳米管上，工艺简单，材料的结构形貌控制稳定，室温下对氨气气体检测限在10ppm以下。除气敏传感器领域外，所得产物可应用于微波吸收材料、超级电容器、电致变色、光催化剂等领域。
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