-
公开(公告)号：CN102719792A
公开(公告)日：2012-10-10
申请号：CN201210199801.6
申请日：2012-06-18
Applicant: 上海交通大学 , 上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司
Abstract: 本发明公开一种运用磁控溅射法制备透明导电薄膜的方法，该方法利用磁控溅射方法，室温下在清洗干净的基片上依次沉积Zn1-xCuxO膜、Cu膜、Zn1-xCuxO膜，得到Zn1-xCuxO/Cu/Zn1-xCuxO透明导电薄膜；通过改变溅射功率和溅射时间改变Zn1-xCuxO膜和Cu膜的厚度，最终可得到电阻率小于10-3Ω·cm，透光率大于80%的透明导电薄膜，可用于太阳能电池、平板显示器等领域。由于磁控溅射法具有设备简单、价格便宜、成膜均匀、可用于大面积制膜等优点，该制备方法可在工业化生产中的得到广泛应用。
-
公开(公告)号：CN102277570A
公开(公告)日：2011-12-14
申请号：CN201110239699.3
申请日：2011-08-19
Applicant: 上海交通大学 , 上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司
Abstract: 本发明公开一种光电材料技术领域的ZnO/Cu/ZnO透明导电薄膜的制备方法，通过在基片上依次进行原子层沉积ZnO薄膜，磁控溅射沉积Cu中间层，原子层沉积ZnO薄膜。利用ZnO良好的光电特性和Cu的低电阻率，加入Cu中间层，形成ZnO/Cu/ZnO的三明治结构。由于Cu的掺入，载流子浓度增加，薄膜的导电性能有了很大的提高，电阻率可低至8.6×10-5Ω·cm，同时可见光透过率高，可达80%以上；且由于原子层沉积为自限制反应，薄膜的均匀性极好。
-
公开(公告)号：CN101921984A
公开(公告)日：2010-12-22
申请号：CN201010282390.8
申请日：2010-09-15
Applicant: 上海交通大学 , 上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司
Abstract: 一种纳米表面处理技术领域的基于MoS2-TiC-C的自润滑减摩复合薄膜及其制备方法，通过在不锈钢基片溅射纯钛或纯镍后进一步进行反应磁控溅射制备得到MoS2-TiC-C复合薄膜。本发明制备工艺简单，沉积过程易于控制，沉积后的复合薄膜无需进行热处理，可直接作为机械零部件表面的减摩防护薄膜使用。本工艺制备所得的复合薄膜硬度高，纳米硬度达到7.6GPa，抗磨减摩性能优异，摩擦系数可达到0.04，经摩擦磨损测试后薄膜表面未见磨穿脱落现象。
-
公开(公告)号：CN105755431A
公开(公告)日：2016-07-13
申请号：CN201610261432.7
申请日：2016-04-25
Applicant: 上海交通大学 , 上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司
CPC classification number: C23C14/185 , B82Y40/00 , C23C14/35 , C23C18/42 , G01N21/658
Abstract: 本发明提供了一种基于金属置换法形成纳米颗粒的SERS基底制备方法，所述方法通过真空磁控溅射技术在玻片表面镀锌膜，然后将其在低浓度氯金酸溶胶中浸泡，通过锌置换氯金酸的方法使金纳米颗粒均匀地吸附在玻片基底上，制成可重复的、对罗丹明有高增强因子的SERS基底。本发明制备的SERS活性基底具有制备工艺简单易行、重复性强、增强因子大等优点，对罗丹明的检测限可达到10?7。
-
公开(公告)号：CN105499602A
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201510973724.9
申请日：2015-12-21
Applicant: 上海交通大学 , 上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司
CPC classification number: B22F9/24 , B82Y40/00 , G01N21/658
Abstract: 本发明提供了一种基于还原法合成金纳米颗粒的SERS基底制备方法，所述方法通过对硅片表面进行修饰，实现氨基化过程，然后通过还原氯金酸溶液的方法使金纳米颗粒较均匀地吸附在基底上，制成可重复的、有高增强因子的SERS基底。本发明制备的SERS活性基底具有制备工艺简单易行、重复性强、增强因子大等优点，具备小分子和大分子检测的应用潜力。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102899701A
公开(公告)日：2013-01-30
申请号：CN201210337502.4
申请日：2012-09-13
Applicant: 上海交通大学 , 上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司
Abstract: 本发明公开一种Al2O3陶瓷基底上TiO2纳米管有序阵列的制备，该方法包括：（1）使用磁控溅射方法在Al2O3陶瓷片上溅射一层纯钛膜；（2）配置阳极氧化溶液；（3）将溅射有钛膜的Al2O3陶瓷片进行阳极氧化，获得高度有序的TiO2纳米管阵列。该方法克服必须使用钛片或者钛箔制备高度有序纳米管的缺陷，而是使用磁控溅射的方法获得很薄的一层钛膜，并对此进行阳极氧化而获得高度有序的TiO2纳米管阵列。本发明操作简便，反应条件温和，并且磁控溅射方法价格便宜、成膜均匀，可用于大面积制备薄膜，适用于工业化生产。
-
公开(公告)号：CN102051594A
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：CN201110030298.7
申请日：2011-01-28
Applicant: 上海交通大学 , 上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司
Abstract: 一种光电材料技术领域的原子层沉积制备Al掺杂ZnO透明导电薄膜的方法，通过将基片加热后依次进行多组复合沉积、每组复合沉积由多次ZnO沉积和Al掺杂沉积组成，得到原子层沉积制备的Al掺杂ZnO透明导电薄膜。本发明制备得到的透明导电薄膜均匀性优异；导电性好，电阻率可低至7.2×10-4cm；可见光透过率高，可达90％以上。
-
公开(公告)号：CN101654771B
公开(公告)日：2011-02-09
申请号：CN200910195127.2
申请日：2009-09-04
Applicant: 上海交通大学 , 上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司
Abstract: 一种固体润滑技术领域的磁控溅射制备减磨MoS2/C/Ti复合薄膜的方法，包括：第一步、将基片抛光后超声清洗并烘干，装入溅射室内；第二步、在溅射室中进行纯钛溅射和复合层溅射，然后待溅射室自然冷却至室温，制备得到磁控溅射制备减磨复合薄膜。本发明制备工艺简单，沉积过程易于控制，薄膜沉积后无需进行热处理，可直接作为机械零部件表面的减摩防护薄膜使用，制备所得的复合薄膜纳米硬度达到5.9GPa，摩擦系数可达到0.03。
-
公开(公告)号：CN101550535B
公开(公告)日：2010-09-29
申请号：CN200910050734.X
申请日：2009-05-07
Applicant: 上海交通大学 , 上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司
Abstract: 一种纳米复合薄膜技术领域的复合金属硫化物类金刚石复合薄膜的制备方法，包括：基片抛光洗净烘干；中间层溅射处理；通入乙炔气体；金属硫化物复合靶溅射处理；本发明方法制备获得的复合薄膜具有优异减摩性能以及良好耐磨性能的复合薄膜，制备工艺简单，沉积过程易于控制，薄膜沉积后无需进行热处理，可直接作为机械零部件表面的减摩防护薄膜使用。
-
公开(公告)号：CN102899701B
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201210337502.4
申请日：2012-09-13
Applicant: 上海交通大学 , 上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司
Abstract: 本发明公开一种Al2O3陶瓷基底上TiO2纳米管有序阵列的制备，该方法包括：（1）使用磁控溅射方法在Al2O3陶瓷片上溅射一层纯钛膜；（2）配置阳极氧化溶液；（3）将溅射有钛膜的Al2O3陶瓷片进行阳极氧化，获得高度有序的TiO2纳米管阵列。该方法克服必须使用钛片或者钛箔制备高度有序纳米管的缺陷，而是使用磁控溅射的方法获得很薄的一层钛膜，并对此进行阳极氧化而获得高度有序的TiO2纳米管阵列。本发明操作简便，反应条件温和，并且磁控溅射方法价格便宜、成膜均匀，可用于大面积制备薄膜，适用于工业化生产。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
239
records
(took 0.054 seconds)
