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公开(公告)号:CN102021616B
公开(公告)日:2016-04-27
申请号:CN201010293494.9
申请日:2010-09-16
Applicant: 上村工业株式会社
IPC: C25D3/38 , C25D7/12 , H01L21/288 , H01L21/3205
Abstract: 本发明提供对于通孔和盲孔混合存在的基板而言,对通孔的包覆性良好且对盲孔的孔封埋性良好的铜电镀浴及使用该铜电镀浴的电镀方法。本发明涉及使用铜电镀浴的电镀方法,其特征在于,以水溶性铜盐、硫酸及氯离子为主要构成成分,且含有对由二乙烯三胺、己二酸及ε-己内酰胺构成的缩聚物的环氧氯丙烷改性物进行加热处理而生成的聚酰胺多胺作为整平剂。
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公开(公告)号:CN102071443B
公开(公告)日:2016-03-02
申请号:CN201010609312.4
申请日:2010-10-15
Applicant: 上村工业株式会社
Abstract: 本发明公开了一种铜电解镀覆浴和电解镀覆的方法,该浴包括以五水硫酸铜计的50-250g/升的硫酸铜,20-200g/升的硫酸和20-150mg/升的氯离子,以及作为有机添加剂的含硫原子的有机化合物和含氮原子的有机化合物。含氮原子的有机化合物是通过包括两阶段的反应获得含氮原子的聚合物,该两阶段的反应包括使1mol的吗啉与2mol环氧氯丙烷在酸性水溶液中反应以获得反应产物以及相对于1mol的吗啉,使1-2mol的咪唑与该反应产物进一步反应。
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公开(公告)号:CN101394711B
公开(公告)日:2012-07-04
申请号:CN200810160947.3
申请日:2008-09-19
Applicant: 上村工业株式会社
CPC classification number: H05K3/384 , H05K3/108 , H05K3/4644 , H05K2203/0307 , H05K2203/0723
Abstract: 本发明提供加厚层积基板的制造方法,该方法包括在有机高分子绝缘层上由电镀铜形成配线层、在该配线层上进而层积有机高分子绝缘层的工序,在电镀铜的最后工序,由电镀铜使所述配线层表面形成粗面,在形成于该粗面的配线层表面上直接层积有机高分子绝缘层。根据本发明,可以省去用于提高有机高分子绝缘层和配线层的密合性的必要的特殊的蚀刻工序,不必使用高价的蚀刻装置,因此是经济的。另外,特别是因为即使原样使用用于导孔填充电镀的含有各种添加剂的各种硫酸铜电镀浴液也可以把表面的凹凸形成为各式各样的形状和粗度,所以也不必对应由添加剂引起的覆膜特性而选择特殊的蚀刻液。另外,也容易与层积的有机高分子绝缘层的材质及物性吻合地形成表面的凹凸。
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公开(公告)号:CN1383484A
公开(公告)日:2002-12-04
申请号:CN01801789.4
申请日:2001-05-21
Applicant: 上村工业株式会社
CPC classification number: C23C18/1683 , G01N21/31 , Y10T436/12
Abstract: 一种用于无电复合镀敷溶液的自动分析和控制系统,用来自动分析无电复合镀敷溶液和进行这样一种控制以便得到适当的镀液成分和/或使用条件,其中作为一种通过光吸收测定法来测量在镀敷溶液中的金属成分的浓度的技术,该系统包括一个在把镀敷溶液自动引进到分析单元中之后用来测量在两个或多个不同波长下的透射率和吸收率的机构、和一个用来由测量值计算客观浓度和显示计算结果的机构。
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公开(公告)号:CN101532160B
公开(公告)日:2013-02-20
申请号:CN200910127431.3
申请日:2009-03-11
Applicant: 上村工业株式会社
CPC classification number: C25D17/00 , C25D3/38 , C25D7/123 , C25D17/001 , C25D17/002 , C25D21/18 , H05K3/241
Abstract: 本发明提供一种连续电镀铜的方法,其是在收纳有硫酸铜镀浴的镀槽中,使用不溶性阳极作为阳极,以被镀物为阴极,对被镀物进行电镀铜的方法,在该方法中,设置与镀槽不同的铜溶解槽,将镀浴转移到铜溶解槽中,并使镀浴从铜溶解槽返回到镀槽,由此使镀浴在镀槽和铜溶解槽之间循环,通过进一步在铜溶解槽中投入铜离子的补给盐并使其溶解,补给因电镀而消耗的镀浴的铜离子,连续进行电镀,该方法的特征在于,在阳极和阴极之间,镀浴可以移动,在镀浴从铜溶解槽返回到镀槽的过程中,使镀浴返回到电镀中的阳极附近,由此可以氧化分解用于补给铜离子的铜离子的补给盐溶解时产生的妨碍电镀性能的成分,可以防止妨碍电镀性能的成分引起的电镀不良。
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公开(公告)号:CN101796221B
公开(公告)日:2012-07-04
申请号:CN200780053044.9
申请日:2007-05-21
Applicant: 上村工业株式会社
IPC: C25D3/38
CPC classification number: C25D3/38 , C25D3/00 , C25D3/02 , H01L21/02 , H01L21/2885 , H01L21/76877 , H01L21/76898 , H05K3/423 , H05K3/424
Abstract: 本发明涉及一种铜电镀浴,其用于以铜填充形成于基板上的盲孔,所述铜电镀浴含有水溶性铜盐、硫酸、氯化物离子及作为添如剂的光泽剂、载运剂及平整剂,所述平整剂含有1种以上包含含有在溶液中阳离子化的季氮、叔氮或其两者的水溶性聚合物。通过仅改变作为平整剂的水溶性聚合物的季氮与叔氮的比率,可以使用于利用铜填充形成于基板上的盲孔的铜电镀浴的镀铜填充性配合盲孔的尺寸简便调整,可配合各种尺寸的盲孔进行电镀铜。
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公开(公告)号:CN102071443A
公开(公告)日:2011-05-25
申请号:CN201010609312.4
申请日:2010-10-15
Applicant: 上村工业株式会社
Abstract: 本发明公开了一种铜电解镀覆浴和电解镀覆的方法,该浴包括以五水硫酸铜计的50-250g/升的硫酸铜,20-200g/升的硫酸和20-150mg/升的氯离子,以及作为有机添加剂的含硫原子的有机化合物和含氮原子的有机化合物。含氮原子的有机化合物是通过包括两阶段的反应获得含氮原子的聚合物,该两阶段的反应包括使1mol的吗啉与2mol环氧氯丙烷在酸性水溶液中反应以获得反应产物以及相对于1mol的吗啉,使1-2mol的咪唑与该反应产物进一步反应。
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公开(公告)号:CN102011169A
公开(公告)日:2011-04-13
申请号:CN201010278802.0
申请日:2010-09-08
Applicant: 上村工业株式会社
Abstract: 本发明提供一种电镀装置及电镀方法。电镀装置(11)具备:电镀槽(13),贮存电镀液;以及辅槽(15),该辅槽(15)是与该电镀槽(13)不同体的槽,且所述电镀液在该辅槽(15)与所述电镀槽(13)之间循环。辅槽(15)在其内部具有第1空间(17)及位于该第1空间(17)下游侧的第2空间(19)。第1空间(17)内的电镀液中超过指定高度的部分从第1空间(17)流入第2空间(19),且在该第2空间(19)内在空气中流下。
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公开(公告)号:CN100595343C
公开(公告)日:2010-03-24
申请号:CN200510106721.1
申请日:2005-07-22
Applicant: 上村工业株式会社
Abstract: 本发明涉及一种电镀铜浴,所述电镀铜浴用于对在基板上形成的通路孔进行通孔填充电镀,其含有水溶性铜盐、硫酸、氯离子和作为添加剂的均镀剂,上述均镀剂是下式(1)所示的聚乙烯基咪唑鎓季铵类化合物或下式(2)所示的乙烯基吡咯烷酮与乙烯基咪唑鎓季铵类化合物的共聚物见右式,(式中,R1和R2分别表示烷基,m表示大于等于2的整数,p、q分别表示大于等于1的整数)的一种或两种,以及使用该电镀铜浴对在基板上形成的通路孔进行通孔填充电镀的电镀铜方法。
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公开(公告)号:CN103493609B
公开(公告)日:2017-05-31
申请号:CN201280020316.6
申请日:2012-05-22
Applicant: 上村工业株式会社
CPC classification number: H05K3/422 , B05D1/02 , B05D5/12 , C23C4/12 , C23C18/161 , C23C18/1628 , C23C18/1669 , C23C18/1675 , C23C18/1683 , C23C18/38 , C25D3/38 , C25D5/026 , C25D17/00 , C25D21/10 , C25D21/12 , H05K3/107 , H05K3/1258 , H05K3/423 , H05K2201/09563 , H05K2203/075 , H05K2203/081 , H05K2203/1518 , H05K2203/1554 , H05K2203/1563
Abstract: 向印刷基板喷射镀覆液或者喷射气泡,并且在从镀覆液中析出金属并且填充通孔的中途的时间点上,通过变更镀覆液的喷射角或者变更印刷基板的姿势,消除填充到通孔中的金属的缺陷。
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