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公开(公告)号：CN100355026C
公开(公告)日：2007-12-12
申请号：CN00816776.1
申请日：2000-10-06
Abstract: 一种多晶态硅膜的制造方法，包括下列步骤：在玻璃衬底(31)上形成具有第一区(33a)和与该第一区(33a)相接的第二区(33b)的非晶态硅膜(33)的步骤；在上述非晶态硅膜(33)的第一区(33a)上照射波长为390nm以上、640nm以下的激光(35)，形成第一多晶态部分(34a)的步骤；以及在非晶态硅膜(33)的第二区(33b)和与该第二区(33b)相接的上述第一多晶态部分(34a)的一部分区域上照射设置为390nm以上、640nm以下的激光(35)，与第一多晶态部分(34a)相接地形成第二多晶态部分(34b)的步骤。
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公开(公告)号：CN1304548A
公开(公告)日：2001-07-18
申请号：CN00800825.6
申请日：2000-03-08
IPC: H01L21/268 , H01L21/20
Abstract: 把由波长350nm以上至800nm以下的脉冲激光光源(101)发生的聚光激光光束(102)成形为具有宽度(WO)和长度(LO)的线状光束(300),对形成于基板(203)的膜材料(201)照射线状光束(300),对非晶质或者多结晶的硅膜材料进行激光热处理。
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公开(公告)号：CN1179401C
公开(公告)日：2004-12-08
申请号：CN00800825.6
申请日：2000-03-08
IPC: H01L21/268 , H01L21/20
Abstract: 把由波长350nm以上至800nm以下的脉冲激光光源(101)发生的聚光激光光束(102)成形为具有宽度(WO)和长度(L0)的线状光束(300)，对形成于基板(203)的膜材料(201)照射线状光束(300)，对非晶质或者多结晶的硅膜材料进行激光热处理。
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公开(公告)号：CN1156894C
公开(公告)日：2004-07-07
申请号：CN00800777.2
申请日：2000-01-14
IPC: H01L21/20 , H01L29/786
CPC classification number: H01L21/02686 , H01L21/02422 , H01L21/02532 , H01L21/0262 , H01L21/02683 , H01L21/02691 , H01L21/2026 , H01L21/268 , H01L27/1296 , H01L29/04 , H01L29/66757
Abstract: 一种以在基板上被形成的硅作为主体的结晶性半导体膜作为有源层来使用的半导体装置的制造方法，包括：在基板上形成成为基底保护膜的氧化硅膜的基底保护膜形成工序；在该基底保护膜上形成以硅作为主体的半导体膜的第一工序；以及对半导体膜照射脉冲激光的第二工序，脉冲激光的波长定为370nm以上至710nm以下。由此，采用低温工艺可容易地且稳定地制造高性能的薄膜半导体装置。
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公开(公告)号：CN1304547A
公开(公告)日：2001-07-18
申请号：CN00800777.2
申请日：2000-01-14
IPC: H01L21/20 , H01L29/786
CPC classification number: H01L21/02686 , H01L21/02422 , H01L21/02532 , H01L21/0262 , H01L21/02683 , H01L21/02691 , H01L21/2026 , H01L21/268 , H01L27/1296 , H01L29/04 , H01L29/66757
Abstract: 一种以在基板上被形成的硅作为主体的结晶性半导体膜作为有源层来使用的半导体装置的制造方法,包括:在基板上形成成为基底保护膜的氧化硅膜的基底保护膜形成工序;在该基底保护膜上形成以硅作为主体的半导体膜的第一工序;以及对半导体膜照射脉冲激光的第二工序,脉冲激光的波长定为370nm以上至710nm以下。由此,采用低温工艺可容易地且稳定地制造高性能的薄膜半导体装置。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105891974A
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201610353201.9
申请日：2010-08-18
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: G02B6/42
CPC classification number: G02B6/4201 , G02B6/4256 , G02B6/4296 , G02B7/02 , H01S5/02212 , H01S5/0222 , H01S5/02284 , H01S5/02288 , H01S5/4012 , Y10T83/0453
Abstract: 本发明的目的在于，提供一种光源装置及其制造方法。该光源装置具有半导体激光器(LD)、LED、灯等的发光源、以及透镜、光纤等的传送、转印、会聚等的光学部件，将装置内的硫酸根离子量保持在低水准，由此，能够防止硫酸铵附着于光学部件。光源装置具有：光源，其出射光；光学部件，其对从光源出射的光进行处理；以及框体，其收纳光学部件或者安装光学部件，通过切削不含硫成分的材料来形成框体，所述材料露出于表面。
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公开(公告)号：CN1332262C
公开(公告)日：2007-08-15
申请号：CN200410047604.8
申请日：2004-05-26
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: G02F1/353
Abstract: 为了使用用于进行波长转换的非线性光学晶体、通过使基本激光束沿一个方向传播来对基本激光束进行波长转换，使随机偏振的基本激光束按顺序穿过串联的、用于进行波长转换的两个非线性光学晶体，从而产生波长已经转换的激光束，其偏振方向彼此相差45度到90度。提供了用于进行波长转换的两个非线性光学晶体，以便当相对于激光束的光轴的方向观察时，各晶体的晶体方向轴相差45度到90度。
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公开(公告)号：CN1619404A
公开(公告)日：2005-05-25
申请号：CN200410047604.8
申请日：2004-05-26
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: G02F1/353
Abstract: 为了使用于进行波长转换的非线性光学晶体、通过使基本激光束沿一个方向传播来对基本激光束进行波长转换，使随机偏振的基本激光束按顺序穿过串联的、用于进行波长转换的两个非线性光学晶体，从而产生波长已经转换的激光束，其偏振方向彼此相差45度到90度。提供了用于进行波长转换的两个非线性光学晶体，以便当相对于激光束的光轴的方向观察时，各晶体的晶体方向轴相差45度到90度。
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公开(公告)号：CN102053319A
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：CN201010245029.8
申请日：2010-08-02
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H01S5/02212 , H01S5/005 , H01S5/02 , H01S5/02415 , H01S5/4012
Abstract: 本发明提供一种能够容易且高精度地调整半导体激光元件和透镜的光轴位置的光源装置。光源装置具有：筒状的多个LD保持架(20)，其具有分别嵌入并固定LD(19)的孔；平板状的基座(1)，其具有第1表面、所述第1表面的相反侧的第2表面、和用于使固定于LD保持架(20)的多个LD(19)通过的多个贯通孔，固定有LD(19)的多个LD保持架(20)以连接各贯通孔和各LD保持架(20)的孔的方式与所述第1表面抵接，并且，对应于各贯通孔在所述第2表面上配置有多个透镜；以及粘接剂(21a、21b)，其配置于基座(1)和各LD保持架(20)相互抵接的抵接部位外侧的角部，固定基座(1)和LD保持架(20)。
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公开(公告)号：CN1287381A
公开(公告)日：2001-03-14
申请号：CN00118744.9
申请日：2000-06-23
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L21/324 , C30B33/02
CPC classification number: B23K26/0732 , B23K2101/40 , H01L21/02675 , H01L21/2026
Abstract: 在激光热处理方法中,提供控制形成高性能薄膜用的激光照射剖面的光学系统。在向形成于基板上的膜上照射长方形束的光学系统中,通过用强度分布成形装置使长度方向的强度分布均匀,短边方向保持振荡激光的定向性等向的结构,能在振荡激光性质限制的界限内进行聚光,在基板上的膜上得到最大限度的强度梯度。因此,可在基板上的膜上形成陡峻的温度分布,其结果,可形成高性能薄膜。
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