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公开(公告)号：CN118829853A
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202280092181.8
申请日：2022-07-22
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 一种用于估计MOS/MIS功率半导体模块的温度的测量方法包括：‑在参考状态下，a.向栅极注入正电流Ig,ref，栅极‑发射极/源极的初始电压V0,ref高于平带电压Vfb，b.测量电流源两端的电压Vig,ref(t)，c.当电压变得低于平带电压Vfb时，停止电流注入Ig,ref，‑在操作状态下，d.从向栅极注入正电流Ig,op，栅极‑发射极/源极的初始电压V0,op高于平带电压Vfb，e.测量电流源两端的电压Vig,op(t)，f.当电压变得低于平带电压Vfb时，停止电流注入Ig,op，‑然后，g.比较所测量的电压Vig,ref(t)和Vig,op(t)，h.从所述比较推算横跨MOS/MIS功率半导体模块的温度分布Tj,dev。
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