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公开(公告)号:CN109616455A
公开(公告)日:2019-04-12
申请号:CN201910137230.5
申请日:2015-08-25
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L23/367 , H01L23/552 , H01L23/66 , H01L25/07 , H01L25/18 , H01Q1/02 , H01Q1/22
Abstract: 本发明提供一种提高了散热性的高频模块(1),其包括电介质多层基板(2),该电介质多层基板(2)具有接地层(2a),将具有发热部的高频电子元器件(3)与所述接地层(2a)接触来进行安装;以及截止块(5),该截止块(5)由立壁部(5b)以及将其覆盖的盖部(5a)构成,在内部收纳所述高频电子元器件(3),并且设置有在所述高频电子元器件(3)所使用的高频信号的频率具有截止特性的空洞部(5c),所述截止块(5)的立壁部(5b)采用与所述电介质多层基板(2)的接地层(2a)相接触的结构。
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公开(公告)号:CN103563165A
公开(公告)日:2014-02-05
申请号:CN201280025584.7
申请日:2012-05-23
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 本发明得到不需要来自外部的控制信号的小型的高频开关。高频开关具备一端与天线端子(1)(第一高频信号输入输出端子)连接且另一端与发送端子(2)(第二高频信号输入输出端子)连接、并且在规定的高频功率以上的输入功率成为导通状态的反平行二极管(4)(第一反平行二极管)。在高频开关为SPDT方式的情况下,也可以具备一端与天线端子(1)连接且另一端与接收端子(3)(第三高频信号输入输出端子)连接的高频开关的使用频率的1/4波长线路(5)和与接收端子(3)和接地(6)连接且在规定的高频功率以上的输入功率成为导通状态的反平行二极管(7)(第二反平行二极管)。
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公开(公告)号:CN106796924B
公开(公告)日:2019-02-26
申请号:CN201580046563.7
申请日:2015-08-25
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L23/36 , H01L23/427 , H01L25/00 , H05K7/20
Abstract: 本发明提供一种提高了散热性的高频模块(1),其包括电介质多层基板(2),该电介质多层基板(2)具有接地层(2a),将具有发热部的高频电子元器件(3)与所述接地层(2a)接触来进行安装;以及截止块(5),该截止块(5)由立壁部(5b)以及将其覆盖的盖部(5a)构成,在内部收纳所述高频电子元器件(3),并且设置有在所述高频电子元器件(3)所使用的高频信号的频率具有截止特性的空洞部(5c),所述截止块(5)的立壁部(5b)采用与所述电介质多层基板(2)的接地层(2a)相接触的结构。
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公开(公告)号:CN106796924A
公开(公告)日:2017-05-31
申请号:CN201580046563.7
申请日:2015-08-25
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L23/36 , H01L23/427 , H01L25/00 , H05K7/20
CPC classification number: H01L23/367 , H01L21/486 , H01L23/36 , H01L23/427 , H01L23/552 , H01L23/66 , H01L25/072 , H01L25/18 , H01L2223/6677 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2924/1423 , H01L2924/16152 , H01Q1/02 , H01Q1/2283 , H01Q9/285 , H05K1/0206 , H05K7/20 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明提供一种提高了散热性的高频模块(1),其包括电介质多层基板(2),该电介质多层基板(2)具有接地层(2a),将具有发热部的高频电子元器件(3)与所述接地层(2a)接触来进行安装;以及截止块(5),该截止块(5)由立壁部(5b)以及将其覆盖的盖部(5a)构成,在内部收纳所述高频电子元器件(3),并且设置有在所述高频电子元器件(3)所使用的高频信号的频率具有截止特性的空洞部(5c),所述截止块(5)的立壁部(5b)采用与所述电介质多层基板(2)的接地层(2a)相接触的结构。
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公开(公告)号:CN103563165B
公开(公告)日:2015-07-15
申请号:CN201280025584.7
申请日:2012-05-23
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 本发明得到不需要来自外部的控制信号的小型的高频开关。高频开关具备一端与天线端子(1)(第一高频信号输入输出端子)连接且另一端与发送端子(2)(第二高频信号输入输出端子)连接、并且在规定的高频功率以上的输入功率成为导通状态的反平行二极管(4)(第一反平行二极管)。在高频开关为SPDT方式的情况下,也可以具备一端与天线端子(1)连接且另一端与接收端子(3)(第三高频信号输入输出端子)连接的高频开关的使用频率的1/4波长线路(5)和与接收端子(3)和接地(6)连接且在规定的高频功率以上的输入功率成为导通状态的反平行二极管(7)(第二反平行二极管)。
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