公开(公告)号：CN1255939C

公开(公告)日：2006-05-10

申请号：CN01806367.5

申请日：2001-05-11

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 森一富 ,  新庄真太郎 ,  前村公正 ,  紫村辉之 ,  中原和彦 ,  高木直

IPC: H03F3/195 ,  H01L29/737 ,  H01L29/205

CPC classification number: H01L27/0605 ,  H03F3/19 ,  H03F3/211 ,  H03F2203/21178

Abstract: 本发明的高频半导体器件用于抑制多路HBT的电流集中，同时改善噪声特性的恶化、增益的降低、及功率效率的降低，在构成放大器(10)的初级及输出级的多路HBT中，构成该初级多路HBT(12)的基本HBT(14)由HBT(14a)和与该HBT(14a)的发射极连接的发射极电阻14b构成，构成输出级的多路HBT(16)的基本HBT(18)由HBT(18a)和与该HBT(18a)的基极连接的基极电阻(18c)构成。本发明的高频半导体器件适用作卫星通信、地面微波通信、移动通信等使用的高输出功率放大器。

公开(公告)号：CN1416616A

公开(公告)日：2003-05-07

申请号：CN01806367.5

申请日：2001-05-11

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 森一富 ,  新庄真太郎 ,  前村公正 ,  紫村辉之 ,  中原和彦 ,  高木直

IPC: H03F3/195 ,  H01L29/737 ,  H01L29/205

CPC classification number: H01L27/0605 ,  H03F3/19 ,  H03F3/211 ,  H03F2203/21178

Abstract: 本发明的高频半导体器件用于抑制多路HBT的电流集中，同时改善噪声特性的恶化、增益的降低、及功率效率的降低，在构成放大器(10)的初级及输出级的多路HBT中，构成该初级多路HBT(12)的基本HBT(14)由HBT(14a)和与该HBT(14a)的发射极连接的发射极电阻14b构成，构成输出级的多路HBT(16)的基本HBT(18)由HBT(18a)和与该HBT(18a)的基极连接的基极电阻(18c)构成。本发明的高频半导体器件适用作卫星通信、地面微波通信、移动通信等使用的高输出功率放大器。