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公开(公告)号:CN101393905A
公开(公告)日:2009-03-25
申请号:CN200810160924.2
申请日:2008-09-19
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L23/532 , H01L23/48 , H01L27/12 , H01L27/32 , G02F1/1343 , G02F1/1368
CPC classification number: H01L23/53219 , G02F2001/136295 , H01L27/12 , H01L27/124 , H01L29/458 , H01L2924/0002 , H01L2924/12044 , Y10T428/12438 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及Al合金膜、电子器件以及光电显示装置用有源矩阵衬底。提供一种防止与ITO或Si的界面扩散并且能够应用于要求低温工艺的各种电子器件中的低电阻的电极膜用Al合金膜。本发明一个实施方式的Al合金膜包含由Ni构成的第一添加元素和由属于元素周期表的第二周期或第三周期的2a族的碱土金属、3b、4b族的半金属中选择的至少一种以上的第二添加元素。并且,第一添加元素的组成比是0.5~5at%,第二添加元素的组成比是0.1~3at%。
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公开(公告)号:CN101388371A
公开(公告)日:2009-03-18
申请号:CN200810173789.5
申请日:2008-09-12
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L23/48 , H01L23/532 , H01L21/28 , H01L21/60 , H01L21/768 , C23C14/14
CPC classification number: H01L21/2855 , H01L23/53223 , H01L27/124 , H01L29/458 , H01L29/4908 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及半导体器件、显示装置及半导体器件的制造方法。提供一种Al合金膜,无需采用高熔点金属形成阻挡层,实现了与Si膜或以Si为主成分的膜的良好接触特性。半导体器件包括:以硅为主成分的膜;以及与以硅为主成分的膜、例如欧姆性低电阻Si膜(8)直接连接、并在连接界面附近至少含有Al、Ni和N的铝合金膜,例如源电极(9)或漏电极(10)。铝合金膜无需采用高熔点金属形成为阻挡层,与以硅为主成分的膜直接连接,并具有良好的接触特性。
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公开(公告)号:CN108027541B
公开(公告)日:2020-12-15
申请号:CN201680052503.0
申请日:2016-09-08
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: G02F1/1368 , G02F1/1343 , G09F9/30 , H01L21/336 , H01L29/786
Abstract: 本发明涉及TFT基板,像素具有:栅极电极,其选择性地配置在基板之上;栅极绝缘膜,其将栅极电极覆盖;半导体沟道层,其选择性地配置在栅极绝缘膜之上;保护绝缘膜,其配置在半导体沟道层之上;第1层间绝缘膜,其设置在基板之上;源极电极及漏极电极,它们经过将第1层间绝缘膜及保护绝缘膜贯通的接触孔,相互分离地与半导体沟道层接触;以及像素电极,其是从漏极电极延伸出的,在俯视观察时,以至少与沟道区域重叠的方式在保护绝缘膜之上配置有第1遮光膜,在俯视观察时,以与半导体沟道层及所1遮光膜重叠的方式在源极电极之上及漏极电极之上配置有第2遮光膜。
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公开(公告)号:CN108027541A
公开(公告)日:2018-05-11
申请号:CN201680052503.0
申请日:2016-09-08
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: G02F1/1368 , G02F1/1343 , G09F9/30 , H01L21/336 , H01L29/786
CPC classification number: H01L27/1225 , G02F1/136209 , G02F1/136286 , G02F1/1368 , G02F2001/134372 , G09F9/30 , H01L27/124 , H01L27/1244 , H01L27/1259 , H01L27/1288 , H01L29/78633 , H01L29/7869
Abstract: 本发明涉及TFT基板,像素具有:栅极电极,其选择性地配置在基板之上;栅极绝缘膜,其将栅极电极覆盖;半导体沟道层,其选择性地配置在栅极绝缘膜之上;保护绝缘膜,其配置在半导体沟道层之上;第1层间绝缘膜,其设置在基板之上;源极电极及漏极电极,它们经过将第1层间绝缘膜及保护绝缘膜贯通的接触孔,相互分离地与半导体沟道层接触;以及像素电极,其是从漏极电极延伸出的,在俯视观察时,以至少与沟道区域重叠的方式在保护绝缘膜之上配置有第1遮光膜,在俯视观察时,以与半导体沟道层及所1遮光膜重叠的方式在源极电极之上及漏极电极之上配置有第2遮光膜。
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公开(公告)号:CN101388371B
公开(公告)日:2011-11-16
申请号:CN200810173789.5
申请日:2008-09-12
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L23/48 , H01L23/532 , H01L21/28 , H01L21/60 , H01L21/768 , C23C14/14
CPC classification number: H01L21/2855 , H01L23/53223 , H01L27/124 , H01L29/458 , H01L29/4908 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及半导体器件、显示装置及半导体器件的制造方法。提供一种Al合金膜,无需采用高熔点金属形成阻挡层,实现了与Si膜或以Si为主成分的膜的良好接触特性。半导体器件包括:以硅为主成分的膜;以及与以硅为主成分的膜、例如欧姆性低电阻Si膜(8)直接连接、并在连接界面附近至少含有Al、Ni和N的铝合金膜,例如源电极(9)或漏电极(10)。铝合金膜无需采用高熔点金属形成为阻挡层,与以硅为主成分的膜直接连接,并具有良好的接触特性。
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