薄膜晶体管基板及其制造方法

    公开(公告)号:CN108027541B

    公开(公告)日:2020-12-15

    申请号:CN201680052503.0

    申请日:2016-09-08

    Abstract: 本发明涉及TFT基板,像素具有:栅极电极,其选择性地配置在基板之上;栅极绝缘膜,其将栅极电极覆盖;半导体沟道层,其选择性地配置在栅极绝缘膜之上;保护绝缘膜,其配置在半导体沟道层之上;第1层间绝缘膜,其设置在基板之上;源极电极及漏极电极,它们经过将第1层间绝缘膜及保护绝缘膜贯通的接触孔,相互分离地与半导体沟道层接触;以及像素电极,其是从漏极电极延伸出的,在俯视观察时,以至少与沟道区域重叠的方式在保护绝缘膜之上配置有第1遮光膜,在俯视观察时,以与半导体沟道层及所1遮光膜重叠的方式在源极电极之上及漏极电极之上配置有第2遮光膜。

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