公开(公告)号：CN1193374C

公开(公告)日：2005-03-16

申请号：CN01142498.2

申请日：2001-11-30

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 国清辰也 ,  永久克己 ,  前田茂伸

IPC: G11C13/00

CPC classification number: B82Y10/00 ,  G11C11/15 ,  G11C11/16 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01021 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01039 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 磁存储装置与磁基片，提供一种降低写入时的耗电的MRAM，同时，提供一种降低擦除和写入花费的时间的MRAM。把彼此平行设置的多个位线BL1配置成在相互平行配置的多个字线WL1的上部交叉。在字线和位线夹持的各交点上形成MRAM单元MC2。把各MRAM单元MC3配置成用箭头表示的易磁化轴相对位线和字线倾斜45度。

公开(公告)号：CN1368735A

公开(公告)日：2002-09-11

申请号：CN01142498.2

申请日：2001-11-30

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 国清辰也 ,  永久克己 ,  前田茂伸

IPC: G11C13/00

CPC classification number: B82Y10/00 ,  G11C11/15 ,  G11C11/16 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01021 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01039 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 磁存储装置与磁基片,提供一种降低写入时的耗电的MRAM,同时,提供一种降低擦除和写入花费的时间的MRAM。把彼此平行设置的多个位线BL1配置成在相互平行配置的多个字线WL1的上部交叉。在字线和位线夹持的各交点上形成MRAM单元MC2。把各MRAM单元MC3配置成用箭头表示的易磁化轴相对位线和字线倾斜45度。

公开(公告)号：CN1438688A

公开(公告)日：2003-08-27

申请号：CN02140029.6

申请日：2002-12-25

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 国清辰也 ,  永久克己 ,  山下恭司 ,  海本博之 ,  小林睦 ,  大谷一弘

IPC: H01L21/66 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7833 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L27/092 ,  H01L29/1045 ,  H01L29/7801 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 获得一种具有能够高精度地测定电容值的CBCM用电路的半导体器件。构成CBCM用电路的MOS晶体管具有以下结构。亦即，在主体区16的表面内选择地形成源·漏区4、4’，分别形成从相互对置的源·漏区4、4’的前端部延伸的延伸区5、5’。在包含延伸区5、5’的源·漏区4、4’之间的上面形成栅绝缘膜7，在栅绝缘膜7上形成栅电极8。但是，在延伸区5(5’)的前端部和延伸区5的周边部，不形成相当于比沟道区的杂质浓度更高的已有结构的小袋区6(6’)的区域。

公开(公告)号：CN100458968C

公开(公告)日：2009-02-04

申请号：CN200410064300.2

申请日：2001-11-30

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 国清辰也 ,  永久克己 ,  前田茂伸

IPC: G11C11/16 ,  G11C7/00

CPC classification number: B82Y10/00 ,  G11C11/15 ,  G11C11/16 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01021 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01039 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明提供了一种磁存储装置，配备具有多个存储器单元阵列、跨过所述多个存储器单元阵列的多个主字线、对应于所述多个存储器单元阵列的每一个配置的多个存储器单元阵列选择线的至少一个存储器单元阵列组，该存储器单元阵列由多个存储器单元构成，该存储器单元包括非接触地交叉、构成矩阵的多个位线和多个字线以及分别配置在所述多个位线和所述多个字线的交叉部上的至少一个磁隧道结，所述多个字线分别连接于分别设置在所述多个主字线和所述多个存储器单元阵列选择线的交叉部上的第一组合逻辑门的输出，所述第一组合逻辑门的输入连接于处于交叉状态的所述多个主字线之一与所述多个存储器单元阵列选择线之一。

公开(公告)号：CN1462068A

公开(公告)日：2003-12-17

申请号：CN03138118.9

申请日：2003-05-27

Applicant: 松下电器产业株式会社 ,  三菱电机株式会社

Inventor： 山下恭司 ,  海本博之 ,  小林睦 ,  大谷一弘 ,  国清辰也 ,  永久克己

IPC: H01L21/66 ,  H01L27/04 ,  H01L29/78

CPC classification number: G01R31/275 ,  G01R31/312

Abstract: 一种半导体装置和电容测量方法，CBCM测量装置具有：PMIS晶体管(11)和(12)、NMIS晶体管(13)和(14)、与第一节点(N1)相连的参照用第一导体部(15)、在与参照用第一导体部之间构成虚设电容的参照用第二导体部(17)、与第二节点相连的测试用第一导体部、与测试用第一导体部之间构成测试电容的第二导体部(18)。通过控制电压(V1、V2)，控制各晶体管的导通和截止，从流过第一、第二节点的电流测量测试电容器中的目标电容器的电容。通过增大虚设电容，使电容测量精度提高。提供电容的测量精度高的半导体装置或电容的测量方法。