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公开(公告)号：CN115023869B
公开(公告)日：2025-03-11
申请号：CN202080094364.4
申请日：2020-01-28
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01S5/227
Abstract: 本发明的光半导体装置具备：台面条带(8)，在n型InP基板(1)的表面依次层叠n型InP包覆层(2)、活性层(3)以及p型InP包覆层(4)而成；Fe掺杂半绝缘性InP层(9)，以比台面条带的高度高的方式埋入到台面条带的两侧；n型InP阻挡层(10)，在与活性层(3)的中央部分对应的区域隔开比活性层窄的间隔而层叠于台面条带的两侧的Fe掺杂半绝缘性InP层的表面；p型InP包覆层(6)，形成于n型InP阻挡层的台面条带侧的两端部的背面；以及p型InP包覆层(12)，埋入台面条带的顶部、p型InP包覆层以及n型InP阻挡层，p型InP包覆层设为载流子浓度比p型InP包覆层以及p型InP包覆层高，而降低漏电流。
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公开(公告)号：CN113841310B
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN201980094951.0
申请日：2019-05-27
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01S5/026
Abstract: 光半导体装置(1)具备：多个半导体激光器相反的一侧即后端侧输出第二光；光合波电路(4)，其对从多个半导体激光器(2)输出的第一光进行合波并将输出光(7)输出；多个波导路(8)，它们将第二光分别向该光半导体装置(1)的一端面(12)侧导波；以及多个光检测器(9)，它们接收在波导路(8)中进行了导波的第二光分别在一端面(12)或在形成于一端面(12)的多个凹部(14)的倾斜端面(35)反射后的各个反射光(11)。光检测器(9)配置于半导体激光器(2)的后端侧与一端面(12)或倾斜端面(35)之间，从波导路(8)输出的第二光相对于一端面(12)或倾斜端面(35)的垂线倾斜地输出。(2)，它们从前端侧输出第一光，并且从与前端侧
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公开(公告)号：CN105977787B
公开(公告)日：2019-03-15
申请号：CN201610141486.X
申请日：2016-03-11
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 松本启资
Abstract: 防止在形成填埋型光元件的脊部时高台面脊型光元件的Al类材料飞溅附着至芯层的侧面，改善可靠性。在形成调制器的区域，形成在内侧具有镂空部(9)的第2绝缘膜(8)，将该第2绝缘膜用作掩模而进行蚀刻，从而在镂空部(9)的下方，在透明波导层(6)以及p‑InP上包层(7)形成凹部(10)。接着，形成具有Al类材料的调制器层(11)，在将形成在凹部内的调制器层(11)利用第3绝缘膜(13)覆盖的状态下进行蚀刻而将除形成在凹部内的调制器层以外的调制器层(11)去除。在将形成在凹部内的调制器层(11)利用第4绝缘膜(14)覆盖的状态下进行蚀刻，形成半导体激光器的脊部，而不使形成在凹部内的调制器层(11)露出。
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公开(公告)号：CN116491036B
公开(公告)日：2025-04-01
申请号：CN202080106480.3
申请日：2020-11-06
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 本公开的光半导体装置具备：脊构造(5)，形成于第一导电型半导体基板(1)；埋入层(6)，埋入于脊构造(5)的两侧面；第二导电型第二包层(7)以及第二导电型接触层(8)，依次层叠于脊构造(5)的顶部和埋入层(6)的表面；台面构造(13)，由从第二导电型接触层(8)到达第一导电型半导体基板(1)的台面来形成两侧面；散热层(9)，设置于第二导电型接触层(8)的表面；台面保护膜(10)，覆盖台面构造(13)的两侧面以及第二导电型接触层(8)的表面的两端部；以及第二导电型侧电极(11)，与第二导电型接触层(8)电连接。
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公开(公告)号：CN118266139A
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202180104326.7
申请日：2021-11-30
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 半导体激光器(100)具备形成于n型半导体基板(1)的脊构造(16)、和以覆盖脊构造(16)的在与延伸方向垂直的方向上相互对置的两侧的方式埋入的埋入层(13)。脊构造(16)具有从n型半导体基板(1)侧依次形成的n型包层(4)、活性层(5)和p型包层(6)。埋入层(13)具有与脊构造(16)的p型包层(6)及活性层(5)的两侧面相接的p型半导体层(7b)和半绝缘层(8)，p型半导体层(7b)不与脊构造(16)的n型包层(4)相接。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111989832B
公开(公告)日：2022-10-28
申请号：CN201880092469.9
申请日：2018-04-23
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 半导体放大器和多个半导体激光器被单片集成于同一导电性的半导体基板，半导体放大器的n侧包层和半导体激光器的n侧包层通过第一电绝缘层及第二电绝缘层被电绝缘，该第一电绝缘层形成于半导体基板和多个半导体激光器的n侧包层之间，该第二电绝缘层形成于半导体放大器的n侧包层和半导体激光器的n侧包层之间，并且用于与多个半导体激光器的n侧包层电连接的n侧接触层设置于多个半导体激光器的n侧包层和所述第一电绝缘层之间，构成为n侧接触层和半导体放大器的p侧包层电连接。
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公开(公告)号：CN111989832A
公开(公告)日：2020-11-24
申请号：CN201880092469.9
申请日：2018-04-23
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 在将第一半导体光元件(101)和第二半导体光元件(103)单片集成于同一半导体基板(1、104)的一个面的半导体光集成元件中，第一半导体光元件(101)的n侧包层(51)和第二半导体光元件(103)的n侧包层(53)电绝缘，并且用于与第一半导体光元件(101)及第二半导体光元件(103)中的至少一者的n侧包层(51、53)电连接的n侧接触层(41、43)设置于该n侧包层(51、53)和半导体基板(1、104)之间，n侧接触层(41、43)和与设置有该n侧接触层(41、43)的半导体光元件(101、103)不同的半导体光元件(101、103)的p侧包层(9)电连接。
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公开(公告)号：CN102445769B
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：CN201110215013.7
申请日：2011-07-29
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: G02F1/025 , G02F1/2255
Abstract: 本发明的目的在于得到一种能够充分地扩大调制频带的光调制器。在半导体芯片（10）内设置有波导（12）。经由第一导线（18）将供电线（20）连接到行波型电极（14）的输入部（14a）。经由第二导线（22）以及终端线（24）将终端电阻（26）连接到行波型电极（14）的输出部（14b）。输出部（14b）和接地点之间的电容比输入部（14a）和接地点之间的电容大。
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公开(公告)号：CN118077110A
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202180103198.4
申请日：2021-10-19
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 光半导体装置(100)具备半导体基板(8)和包含形成于半导体基板(8)的光波导层(2)的半导体构造部(30)。半导体构造部(30)具备：包层(1)，与光波导层(2)的半导体基板侧的面亦即第一面(23a)以及与半导体基板(8)相反侧的面亦即第二面(23b)连接；和半导体材料的加热层(3)，从光波导层(2)的第一面侧或/和第二面侧经由包层(1)加热光波导层(2)。
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公开(公告)号：CN116491036A
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202080106480.3
申请日：2020-11-06
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01S5/024
Abstract: 本公开的光半导体装置具备：脊构造(5)，形成于第一导电型半导体基板(1)；埋入层(6)，埋入于脊构造(5)的两侧面；第二导电型第二包层(7)以及第二导电型接触层(8)，依次层叠于脊构造(5)的顶部和埋入层(6)的表面；台面构造(13)，由从第二导电型接触层(8)到达第一导电型半导体基板(1)的台面来形成两侧面；散热层(9)，设置于第二导电型接触层(8)的表面；台面保护膜(10)，覆盖台面构造(13)的两侧面以及第二导电型接触层(8)的表面的两端部；以及第二导电型侧电极(11)，与第二导电型接触层(8)电连接。
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