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公开(公告)号：CN119404612A
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202280097208.2
申请日：2022-06-22
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H10F30/225
Abstract: 本公开的半导体受光元件(100)具备：半导体基板(2)；增倍层(4)，形成在半导体基板(2)之上，由交替层叠多次由单原子层的N倍(1≦N≦20)的层厚构成的第一半导体层(4a)以及由单原子层的M倍(1≦M≦20)的层厚构成且带隙能量比第一半导体层(4a)小的第二半导体层(4b)而成的数字合金构造构成，并放大光载流子；光吸收层(6)，形成在增倍层(4)之上，吸收入射光而生成光载流子；以及电场缓和层(5)，形成在增倍层(4)与光吸收层(6)之间。
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公开(公告)号：CN103390680A
公开(公告)日：2013-11-13
申请号：CN201310168139.2
申请日：2013-05-09
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L31/107 , H01L31/0304 , H01L31/0352 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/107 , H01L31/1075 , H01L31/18 , H01L31/1844 , Y02E10/544
Abstract: 本发明涉及雪崩光电二极管及其制造方法。得到一种能改善高速响应性并且能减少特性的随时间变化的雪崩光电二极管。在n型InP衬底（1）上依次层叠有AlInAs雪崩倍增层（3）、p型AlInAs电场控制层（4）、未掺杂光吸收层（5）以及窗层（6）。在窗层（6）和未掺杂光吸收层（5）的一部分设置有p型区域（7）。使用碳作为p型AlInAs电场控制层（4）的掺杂物。使用Zn作为p型区域（7）的掺杂物。P型区域（7）的底面比未掺杂光吸收层（5）与窗层（6）的界面位于下方。
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公开(公告)号：CN101626043A
公开(公告)日：2010-01-13
申请号：CN200910128969.6
申请日：2009-03-20
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L31/105 , H01L31/0232
CPC classification number: H01L31/02327 , H01L31/02162 , H01L31/0304 , H01L31/03046 , H01L31/105 , Y02E10/544
Abstract: 本发明提供一种能够降低量子效率的波长依赖性的半导体受光元件。在n型InP衬底(10)(半导体衬底)的下表面上，从n型InP衬底(10)侧起依次形成有n型第一多层反射层(12)、n型第一光谐振层(14)、n型第二多层反射层(16)、i型InGaAs光吸收层(18)、和阳极电极(22)(反射膜)。在n型InP衬底(10)的上表面上形成有反射防止膜(26)。第一光谐振层(14)比构成第一、第二的多层反射层(12、16)的各半导体层厚，在将在第二多层反射层(16)和阳极电极(22)之间具有的膜的光学膜厚作为第一光学膜厚Lopt1，将第一光谐振层(14)的光学膜厚作为第二光学膜厚Lopt2时，Lopt1和Lopt2不同。
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公开(公告)号：CN101320763A
公开(公告)日：2008-12-10
申请号：CN200810005763.X
申请日：2008-02-04
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L31/107 , H01L31/0224
CPC classification number: H01L31/107 , H01L31/022416 , H01L31/03046 , Y02E10/544
Abstract: 得到一种能够提高耐湿性的光半导体装置。在n型InP衬底(11)上依次层叠n型InGaAs光吸收层(12)、作为窗层和倍增层的n型InP层(13)(第一导电型半导体层)。选择性地进行杂质扩散或者离子注入，由此，在n型InP层(13)的上表面的一部分上形成p型InP区域(14)(第二导电型半导体区域)。n型InP层(13)以及p型InP区域(14)的上表面被表面保护膜(15)覆盖。在n型InP衬底(11)的下表面连接阴极电极(16)(第一电极)。在p型InP区域(14)的上表面连接环状的阳极电极(17)(第二电极)。以包围阳极电极(17)的方式，配置低电压电极(19)。对该低电压电极(19)施加比阴极电极(16)低的电压。
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公开(公告)号：CN101521245B
公开(公告)日：2011-10-26
申请号：CN200810160917.2
申请日：2008-09-19
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L31/10 , H01L31/107 , H01L31/0232
CPC classification number: H01L31/035236 , B82Y20/00 , H01L31/02327 , H01L31/105
Abstract: 本发明的目的在于得到一种能够提高波长稳定性的半导体受光元件。n型InP衬底(11)(半导体衬底)具有彼此对置的下表面(第一主面)和上表面(第二主面)。在n型InP衬底11的下表面从n型InP衬底(11)侧依次形成的n型多层反射层(12)(第一反射层)、吸收层(13)、p型相位调整层(14)和阳极电极(15)(第二反射层)。在n型InP衬底(11)的上表面上形成的防反射膜(17)。n型多层反射层(12)是层叠了折射率不同的半导体层的多层反射层。吸收层(13)的带隙比n型InP衬底(11)小。p型相位调整层(14)的带隙比吸收层(13)大。n型多层反射层(12)和吸收层(13)不通过其他层地接触。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100576576C
公开(公告)日：2009-12-30
申请号：CN200710142647.8
申请日：2007-08-20
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L31/10 , H01L31/0232 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/105 , H01L31/0352 , H01L31/1035 , H01L31/107
Abstract: 本发明提供一种埋入到Fe掺杂绝缘体层中的埋入波导型受光元件，使该受光元件的泄漏电流减少。所述埋入波导型受光元件具有：n-金属包层(28)，其配设于Fe-InP衬底(24)上；波导(16a)，其配设于该n-金属包层(28)的一部分上、并从Fe-InP衬底(24)侧顺次以脊状层叠有：n-光引导层(30)、具有和所述n型金属包层(28)相同或更高的折射率同时具有比所述n型光引导层(30)的杂质浓度更低的1×1017cm-3以下的杂质浓度或者无掺杂的i-光引导层(31)、比该i-光引导层(31)折射率更高的光吸收层(32)、p-光引导层(34)、以及p-金属包层(36)；封闭层，其配设于Fe-InP衬底(24)上且埋入了波导16a的侧壁。
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公开(公告)号：CN101431118A
公开(公告)日：2009-05-13
申请号：CN200810188598.6
申请日：2006-09-12
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L31/107 , H01L31/0352
CPC classification number: H01L31/107
Abstract: 本发明提供能够提高量产性的雪崩光电二极管。在InP衬底上作为半导体层而至少依次层叠光吸收层、雪崩倍增层和半导体窗口层，在上述半导体窗口层中形成扩散了Zn的导电区域；在上述半导体窗口层中，上述导电区域周边具有p型周边区域；上述p型周边区域与上述导电区域的外围离开；上述导电区域的端部向上述p型周边区域突出。
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公开(公告)号：CN101048878A
公开(公告)日：2007-10-03
申请号：CN200480044292.3
申请日：2004-10-25
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L31/10
CPC classification number: H01L31/1075 , H01L31/035281 , H01L31/03529 , Y02E10/50
Abstract: 在备有具备第1电极和电连接到该第1电极上的由第1导电型构成的第1半导体层的衬底的雪崩光电二极管中，配置成在上述衬底上至少层叠了雪崩倍增层、光吸收层和能带隙比上述光吸收层的能带隙大的第2半导体层，在上述第2半导体层内形成第2导电型导电区域并将上述第2导电型导电区域电连接到第2电极上。利用该结构可用简易的工序提供低暗电流且长期可靠性高的雪崩光电二极管。此外，留下上述第2导电型导电区域和第2导电型导电区域的周围的第2半导体层，除去在其外周的衬底上层叠的层中的至少光吸收层，从而形成上述光吸收层的侧面。利用该结构可进一步减少暗电流。
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公开(公告)号：CN1933187A
公开(公告)日：2007-03-21
申请号：CN200610153930.6
申请日：2006-09-12
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L31/107
CPC classification number: H01L31/107
Abstract: 本发明提供能够提高量产性的雪崩光电二极管。在n型InP衬底(1)上依次层叠n型InP缓冲层(2)、n型GaInAs光吸收层(3)、n型GaInAsP过度层(4)、n型InP电场调节层(5)、n型InP雪崩倍增层(6)、n型AlInAs窗口层(7)、p型GaInAs接触层(8)。接着，在沿着受光区域外围的环状区域上注入Be离子，由热处理使之激活，形成倾斜型结，作为防止边缘击穿的p型周边区域(9)。然后，在上述受光区域上，选择地使Zn热扩散，直至n型InP雪崩倍增层(6)，形成p型导电区域(10)。
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公开(公告)号：CN107546569A
公开(公告)日：2018-01-05
申请号：CN201710507493.1
申请日：2017-06-28
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 涉及被用作波长可变光源的半导体装置，目的是获得能够提高光电二极管的配置自由度的半导体装置。本发明涉及的半导体装置具备：基板，其具备前端面、后端面及在该前端面和该后端面两侧配置的侧面；设置于该基板的多个半导体激光器；前方光合波器，其设置于该基板，对该多个半导体激光器的前方输出光进行合波，向该前端面输出；后方光合波器，其设置于该基板，对该多个半导体激光器的后方输出光进行合并，向该后端面输出；以及多个后方波导，其设置于该基板，与该后方光合波器的输出部连接，该多个后方波导包含：主波导，其配置于该输出部的中央部：及多个侧部波导，其配置于该主波导两侧，向该侧面弯曲，从该侧面以相对于该侧面倾斜的方式输出光。
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