公开(公告)号：CN118266139A

公开(公告)日：2024-06-28

申请号：CN202180104326.7

申请日：2021-11-30

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 中村直干 ,  河原弘幸 ,  松本启资 ,  铃木凉子 ,  平聪

IPC: H01S5/227 ,  H01S5/12

Abstract: 半导体激光器(100)具备形成于n型半导体基板(1)的脊构造(16)、和以覆盖脊构造(16)的在与延伸方向垂直的方向上相互对置的两侧的方式埋入的埋入层(13)。脊构造(16)具有从n型半导体基板(1)侧依次形成的n型包层(4)、活性层(5)和p型包层(6)。埋入层(13)具有与脊构造(16)的p型包层(6)及活性层(5)的两侧面相接的p型半导体层(7b)和半绝缘层(8)，p型半导体层(7b)不与脊构造(16)的n型包层(4)相接。

公开(公告)号：CN119213646A

公开(公告)日：2024-12-27

申请号：CN202280096016.X

申请日：2022-05-23

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 前原宏昭 ,  平聪 ,  渊田步 ,  铃木凉子 ,  宫越亮辅

IPC: H01S5/223 ,  H01S5/227

Abstract: 半导体激光器(100)具备：形成于n型半导体基板(1)的脊(5)、和以覆盖与脊的延伸方向亦即y方向垂直的x方向的两侧的方式埋入的埋入层(25)。在脊突出的方向亦即z方向的正侧以及埋入层的z方向的正侧具备：p型第二包覆层(9)、p型接触层(10)、与p型接触层连接的表面侧电极(12)、以及形成于沿x方向从脊离开的外缘的半绝缘性层(11)，在该半导体激光器(100)的x方向的端部(29a、29b)侧的z方向的正侧，形成有半绝缘性层或者表面侧电极。