公开(公告)号：CN103811337A

公开(公告)日：2014-05-21

申请号：CN201310558981.7

申请日：2013-11-12

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 仓桥健一郎 ,  加茂宣卓 ,  山本佳嗣

IPC: H01L21/335 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/28017 ,  H01L21/0272 ,  H01L21/0331 ,  H01L21/28581 ,  H01L21/31111 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/401 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/66431 ,  H01L29/778 ,  H01L21/28264

Abstract: 本发明的目的在于提供一种半导体装置的制造方法，能够利用简单的方法降低对基板的损伤并且能够使电极的宽度变短。在形成于基板（10）的半导体层（10a）上形成第一层（12），在该第一层上形成第二层（14），在该第二层的上方形成被构图后的掩模（16），对该第二层的未被该掩模覆盖的部分进行刻蚀，实施对该第一层进行湿法刻蚀而使该第一层的宽度比该掩模的宽度短的湿法刻蚀工序，在该湿法刻蚀工序之后，在该半导体层上形成绝缘层（20），将该第一层（12A）和该第二层（14A）除去，在该绝缘层形成开口（20A），在该半导体层的表面的从该开口露出的部分形成电极（22A）。该第一层（12）的在该湿法刻蚀工序中的刻蚀速度比该第二层（14）的在该湿法刻蚀工序中的刻蚀速度快。

公开(公告)号：CN106558601B

公开(公告)日：2019-09-27

申请号：CN201610847818.6

申请日：2016-09-23

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 仓桥健一郎 ,  南条拓真 ,  吹田宗义 ,  今井章文 ,  柳生荣治 ,  冈崎拓行

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/20 ,  H01L29/778 ,  H01L21/335

Abstract: 得到一种能够再现性优异地抑制电流崩塌的半导体装置及其制造方法。在衬底(1)之上形成有氮化物半导体层(3、4)。在氮化物半导体层(3、4)之上形成有源极电极(5)、栅极电极(7)以及漏极电极(6)。SiN表面保护膜(8)覆盖氮化物半导体层(3、4)。SiN表面保护膜(8)的形成Si‑N键的Si与N的构成比Si/N为0.751～0.801。

公开(公告)号：CN102646582B

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：CN201210041968.X

申请日：2012-02-15

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 仓桥健一郎 ,  小山英寿 ,  尾上和之

IPC: H01L21/28

CPC classification number: H01L21/28264 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/66446 ,  H01L29/7787

Abstract: 本发明的目的在于，提供能够相对于绝缘膜的开口中心无偏差地形成场电极构造的半导体装置的制造方法。本申请的发明的半导体装置的制造方法的特征在于，具备：在半导体层的表面形成绝缘膜的工序；在该绝缘膜的表面形成具有开口的抗蚀剂的工序；使与该抗蚀剂进行交联反应的图案收缩剂附着在该抗蚀剂、在该抗蚀剂的内周形成硬化层的工序；以该抗蚀剂及该硬化层作为掩模蚀刻该绝缘膜的工序；除去该硬化层的工序；在该半导体层、该绝缘膜以及该抗蚀剂的表面形成金属层的工序；以及通过剥离法除去该抗蚀剂及该抗蚀剂的表面的该金属层的工序。

公开(公告)号：CN103811337B

公开(公告)日：2017-07-14

申请号：CN201310558981.7

申请日：2013-11-12

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 仓桥健一郎 ,  加茂宣卓 ,  山本佳嗣

IPC: H01L21/335 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/28017 ,  H01L21/0272 ,  H01L21/0331 ,  H01L21/28581 ,  H01L21/31111 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/401 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/66431 ,  H01L29/778

Abstract: 本发明目的在于提供一种半导体装置的制造方法，能够利用简单的方法降低对基板的损伤并且能够使电极的宽度变短。在形成于基板（10）的半导体层（10a）上形成第一层（12），在该第一层上形成第二层（14），在该第二层的上方形成被构图后的掩模（16），对该第二层的未被该掩模覆盖的部分进行刻蚀，实施对该第一层进行湿法刻蚀而使该第一层的宽度比该掩模的宽度短的湿法刻蚀工序，在该湿法刻蚀工序之后，在该半导体层上形成绝缘层（20），将该第一层（12A）和该第二层（14A）除去，在该绝缘层形成开口（20A），在该半导体层的表面的从该开口露出的部分形成电极（22A）。该第一层（12）的在该湿法刻蚀工序中的刻蚀速度比该第二层（14）的在该湿法刻蚀工序中的刻蚀速度快。

公开(公告)号：CN106531791A

公开(公告)日：2017-03-22

申请号：CN201610827160.2

申请日：2016-09-14

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 冈崎拓行 ,  仓桥健一郎 ,  小山英寿 ,  北野俊明 ,  加茂宣卓

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423

CPC classification number: H01L29/778 ,  H01L21/0495 ,  H01L21/28581 ,  H01L23/291 ,  H01L23/3171 ,  H01L29/0891 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/402 ,  H01L29/452 ,  H01L29/475 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/06 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/78

Abstract: 得到一种能够提高耐湿性而不使绝缘膜变厚的半导体装置及其制造方法。氮化物半导体膜物半导体膜(4)上。由氮化硅构成的第1绝缘膜(11)形成于氮化物半导体膜(4)上，与栅极电极(6)的侧面的至少一部分接触，在第1绝缘膜(11)与氮化物半导体膜(4)之间形成界面。由原子层交替排列的氧化铝构成的第2绝缘膜(12)覆盖栅极电极(6)及第1绝缘膜(11)。(4)形成于衬底(1)上。栅极电极(6)形成于氮化

公开(公告)号：CN106558601A

公开(公告)日：2017-04-05

申请号：CN201610847818.6

申请日：2016-09-23

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 仓桥健一郎 ,  南条拓真 ,  吹田宗义 ,  今井章文 ,  柳生荣治 ,  冈崎拓行

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/20 ,  H01L29/778 ,  H01L21/335

Abstract: 得到一种能够再现性优异地抑制电流崩塌的半导体装置及其制造方法。在衬底(1)之上形成有氮化物半导体层(3、4)。在氮化物半导体层(3、4)之上形成有源极电极(5)、栅极电极(7)以及漏极电极(6)。SiN表面保护膜(8)覆盖氮化物半导体层(3、4)。SiN表面保护膜(8)的形成Si‑N键的Si与N的构成比Si/N为0.751～0.801。

公开(公告)号：CN102646582A

公开(公告)日：2012-08-22

申请号：CN201210041968.X

申请日：2012-02-15

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 仓桥健一郎 ,  小山英寿 ,  尾上和之

IPC: H01L21/28

CPC classification number: H01L21/28264 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/66446 ,  H01L29/7787

Abstract: 本发明的目的在于，提供能够相对于绝缘膜的开口中心无偏差地形成场电极构造的半导体装置的制造方法。本申请的发明的半导体装置的制造方法的特征在于，具备：在半导体层的表面形成绝缘膜的工序；在该绝缘膜的表面形成具有开口的抗蚀剂的工序；使与该抗蚀剂进行交联反应的图案收缩剂附着在该抗蚀剂、在该抗蚀剂的内周形成硬化层的工序；以该抗蚀剂及该硬化层作为掩模蚀刻该绝缘膜的工序；除去该硬化层的工序；在该半导体层、该绝缘膜以及该抗蚀剂的表面形成金属层的工序；以及通过剥离法除去该抗蚀剂及该抗蚀剂的表面的该金属层的工序。