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公开(公告)号：CN109804465B
公开(公告)日：2022-11-29
申请号：CN201780056146.X
申请日：2017-09-15
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 半导体开关元件(16A、16B)的栅极与栅极控制布线图案(9)连接。对栅极控制布线图案(9)，还连接栅极控制端子(5)、和用于在框体(2)的外部连接滤波器形成用元件的滤波器用端子(23)。滤波器用端子(23)以及栅极控制端子(5)以在栅极控制布线图案(9)中对栅极控制端子(5)和滤波器用端子(23)进行电连接的区间与对半导体开关元件(16A、16B)的栅极进行电连接的区间的至少一部分重叠的方式，与栅极控制布线图案(9)连接。
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公开(公告)号：CN109804465A
公开(公告)日：2019-05-24
申请号：CN201780056146.X
申请日：2017-09-15
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 半导体开关元件(16A、16B)的栅极与栅极控制布线图案(9)连接。对栅极控制布线图案(9)，还连接栅极控制端子(5)、和用于在框体(2)的外部连接滤波器形成用元件的滤波器用端子(23)。滤波器用端子(23)以及栅极控制端子(5)以在栅极控制布线图案(9)中对栅极控制端子(5)和滤波器用端子(23)进行电连接的区间与对半导体开关元件(16A、16B)的栅极进行电连接的区间的至少一部分重叠的方式，与栅极控制布线图案(9)连接。
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公开(公告)号：CN109166833A
公开(公告)日：2019-01-08
申请号：CN201810998767.6
申请日：2011-01-12
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 本发明涉及一种电力用半导体模块。为了得到将由Si半导体制作的开关元件的温度上升抑制为较低且能够提高模块的冷却效率的电力用半导体模块，具备由Si半导体制作的开关元件(4)和由宽禁带半导体制作的二极管(5)，二极管(5)配置在电力用半导体模块(100)的中央区域，开关元件(4)配置在电力用半导体模块(100)的中央区域的两侧或周边。
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公开(公告)号：CN107636968A
公开(公告)日：2018-01-26
申请号：CN201680032947.8
申请日：2016-05-30
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 电压驱动部(3)根据导通指令或者截止指令使作为功率用半导体元件(100)的控制电极的栅极(101)的电压变动。栅极电压检测部(4)生成栅极电压的检测信号(VG)。延迟信号生成部(5)生成对检测信号(VG)赋予延迟时间得到的延迟信号(dVG)。差分运算部(6)生成检测信号(VG)以及延迟信号(dVG)之间的电压差分信号(VD)。在功率用半导体元件(100)的接通动作时，在电压差分信号(VD)超过基准电压(VR1)时，短路状态检测部(7)检测功率用半导体元件(100)的短路状态。
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公开(公告)号：CN103650137A
公开(公告)日：2014-03-19
申请号：CN201280034222.4
申请日：2012-07-05
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H01L23/28 , H01L23/3121 , H01L23/3135 , H01L23/36 , H01L23/3735 , H01L25/072 , H01L25/18 , H01L2224/48227 , H01L2224/49111 , H01L2224/4917 , H01L2224/49175 , H01L2924/12032 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 在将Si半导体元件和宽能带隙半导体元件配置于相同的功率半导体模块内的情况下，将宽能带隙半导体元件的温度上升抑制得较低，抑制宽能带隙半导体元件的芯片总面积的增大，得到能够低成本地制造的功率半导体模块。Si制开关元件（4）配置于功率半导体模块（100）的中央区域中，SiC制二极管元件（5）配置于功率半导体模块（100）的中央区域的两侧或者包围中央区域的周边部。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1445928A
公开(公告)日：2003-10-01
申请号：CN03101711.8
申请日：2003-01-17
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H03K17/168 , H01L2924/0002 , H03K17/08128 , H01L2924/00
Abstract: 提供一种能抑制过电流状态下、在关断时发生的浪涌电压的功率半导体元件的驱动电路。该电路包括：检测输入控制信号指示了断开，在IGBT10的密勒期间的开始时刻输出取样信号的取样信号发生电路7；按输入取样信号的定时分配检测IGBT10的密勒电压、在其为阈值以上时输出过电流检测信号的栅极电压检测电路9；接收该过电流检测信号、控制IGBT10的栅极电压使IGBT10以比平常慢的速度断开的栅极电压控制电路8。
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公开(公告)号：CN111033735B
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN201880052280.7
申请日：2018-08-27
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 多个半导体开关元件(12)的栅极通过导线(15)与共同的栅极控制图案(10)电连接。多个半导体开关元件(12)的源极通过导线(16)与共同的源极控制图案(11)电连接。栅极控制图案(10)针对并联连接而并行动作的多个半导体开关元件(12)隔着源极控制图案(11)配置，所以导线(15)比导线(16)长，具有比导线(16)大的电感。由此，减轻或者抑制并联连接而并行动作的多个半导体开关元件(12)中的栅极振荡。
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公开(公告)号：CN109166833B
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN201810998767.6
申请日：2011-01-12
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 本发明涉及一种电力用半导体模块。为了得到将由Si半导体制作的开关元件的温度上升抑制为较低且能够提高模块的冷却效率的电力用半导体模块，具备由Si半导体制作的开关元件(4)和由宽禁带半导体制作的二极管(5)，二极管(5)配置在电力用半导体模块(100)的中央区域，开关元件(4)配置在电力用半导体模块(100)的中央区域的两侧或周边。
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公开(公告)号：CN109168321B
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN201780016770.7
申请日：2017-03-13
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 在该半导体模块(1)中，第1及第2半导体芯片(C1、C2)的各个包括晶体管(2)、和连接于第1及第2控制焊盘之间的温度检测用的二极管(3)。将第1半导体芯片(C1)的第1控制焊盘与第1控制端子(T1a)连接，将第1半导体芯片(C1)的第2控制焊盘和第2半导体芯片(C2)的第1控制焊盘与第2控制端子(T1ak)连接，将第2半导体芯片(C2)的第2控制焊盘与第3控制端子(T2k)连接。
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公开(公告)号：CN107636968B
公开(公告)日：2021-01-01
申请号：CN201680032947.8
申请日：2016-05-30
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H03K17/16 , H03K17/082 , G01R31/27 , H02M1/00 , H02M1/08
Abstract: 电压驱动部(3)根据导通指令或者截止指令使作为功率用半导体元件(100)的控制电极的栅极(101)的电压变动。栅极电压检测部(4)生成栅极电压的检测信号(VG)。延迟信号生成部(5)生成对检测信号(VG)赋予延迟时间得到的延迟信号(dVG)。差分运算部(6)生成检测信号(VG)以及延迟信号(dVG)之间的电压差分信号(VD)。在功率用半导体元件(100)的接通动作时，在电压差分信号(VD)超过基准电压(VR1)时，短路状态检测部(7)检测功率用半导体元件(100)的短路状态。
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